制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型提供了一種制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置。該裝置包括：本體，所述本體內(nèi)限定出汽化空間；氫氣進(jìn)料口，所述氫氣進(jìn)料口設(shè)置在所述本體上；三氯氫硅進(jìn)料口，所述三氯氫硅進(jìn)料口設(shè)置在所述本體上；二氯二氫硅進(jìn)料口，所述二氯二氫硅進(jìn)料口設(shè)置在所述本體上；以及還原生產(chǎn)用混合氣供料出口，所述還原生產(chǎn)用混合氣供料出口設(shè)置在所述本體上。由此，利用該裝置得到的還原生產(chǎn)用混合氣供料，可以提高三氯氫硅的一次轉(zhuǎn)化率，進(jìn)而提高多晶硅在還原爐內(nèi)的沉積速率；還可以通過(guò)控制參數(shù)調(diào)整過(guò)程中誘發(fā)二氯二氫硅的氣相沉積，從而提高了三氯氫硅的還原利用率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及化工領(lǐng)域，具體地，涉及制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]多晶硅生產(chǎn)中大量采用改良西門(mén)子法生產(chǎn)工藝，目前國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)上太陽(yáng)能用多晶硅有85%以上是采用改良西門(mén)子工藝生產(chǎn)所得；改良西門(mén)子工藝生產(chǎn)技術(shù)主要是將提純所得的高純液態(tài)三氯氫硅與氫氣在特點(diǎn)的設(shè)備內(nèi)進(jìn)行混合，液態(tài)三氯氫硅在設(shè)備內(nèi)汽化后與氫氣完全混合被輸送到還原爐內(nèi)在熾熱的高溫載體上進(jìn)行氣相沉積反應(yīng)，多晶硅不斷的沉積在硅芯載體上，直徑增大到一定的值后，到達(dá)生產(chǎn)要求時(shí)即可停爐，完成多晶硅的生長(zhǎng)過(guò)程。
[0003]但是，目前制備多晶硅的還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置仍有待改進(jìn)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型旨在至少在一定程度上解決上述技術(shù)問(wèn)題之一。為此，本實(shí)用新型的一個(gè)目的在于提出一種在制備多晶硅過(guò)程中提高三氯氫硅還原利用率的還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置。
[0005]本實(shí)用新型是實(shí)用新型人基于以下發(fā)現(xiàn)而完成的:多晶硅沉積過(guò)程中在還原爐內(nèi)的主要反應(yīng)有:(I) SiHCl3+H2=Si+3HCl ； (2) 4SiHCl3=Si+2H2+3SiCl4 ； (3) Si+2HCl=SiH2Cl2 ；和(4)2SiHCl3=SiH2Cl2+SiCl4。其中，反應(yīng)(I)為氫還原反應(yīng)，為多晶硅沉積的主要反應(yīng)；反應(yīng)(2)、(4)均為熱分解反應(yīng)；反應(yīng)(3)為氯化氫腐蝕硅反應(yīng)；從反應(yīng)方程式中可以看出，副反應(yīng)中有二氯二氫硅生成；通過(guò)實(shí)踐證明，供料中加入適量的二氯二氫硅有利于抑制副反應(yīng)的進(jìn)行，提高三氯氫硅的一次轉(zhuǎn)化率，提高多晶硅在還原爐內(nèi)的沉積速率，此外，還原爐運(yùn)行控制參數(shù)是根據(jù)三氯氫硅的氣相沉積來(lái)確定的，因此二氯二氫硅的少量添加還可以使得控制參數(shù)調(diào)整過(guò)程中誘發(fā)二氯二氫硅的氣相沉積，從而提高了三氯氫硅的還原利用率。同時(shí)，由于制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料裝置內(nèi)的混合氣溫度最高只能達(dá)到混合器中氯硅烷的飽和蒸汽溫度，不能加熱到更高，因此從制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料裝置內(nèi)輸出去的多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料在輸送過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)液化現(xiàn)象，不僅降低了生產(chǎn)系統(tǒng)的穩(wěn)定性，并且降低了還原生產(chǎn)用混合氣供料以高溫氣態(tài)的形式進(jìn)入還原爐進(jìn)行氣相沉積反應(yīng)而獲得多晶娃的效率。
[0006]本實(shí)用新型的第一個(gè)目的在于提供一種制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置。該裝置包括:本體，所述本體內(nèi)限定出汽化空間；氫氣進(jìn)料口，所述氫氣進(jìn)料口設(shè)置在所述本體上，用于向所述汽化空間中引入所述氫氣；三氯氫硅進(jìn)料口，所述三氯氫硅進(jìn)料口設(shè)置在所述本體上，用于向所述汽化空間中弓I入所述三氯氫硅；二氯二氫硅進(jìn)料口，所述二氯二氫硅進(jìn)料口設(shè)置在所述本體上，用于向所述汽化空間中弓I入所述二氯二氫硅；以及還原生產(chǎn)用混合氣供料出口，所述還原生產(chǎn)用混合氣供料出口設(shè)置在所述本體上，用于將獲得的還原生產(chǎn)用混合氣供料輸送出所述制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置。由此，利用該裝置得到的還原生產(chǎn)用混合氣供料，不僅可以提高三氯氫硅的一次轉(zhuǎn)化率，從而提高多晶硅在還原爐內(nèi)的沉積速率；還可以通過(guò)控制參數(shù)調(diào)整過(guò)程中誘發(fā)二氯二氫硅的氣相沉積，從而提高了三氯氫硅的還原利用率。
[0007]根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣器供料的裝置，還可以具有如下附加的技術(shù)特征:
[0008]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置進(jìn)一步包括:溫度控制組件，所述溫度控制組件設(shè)置在所述本體上，用于控制所述汽化空間內(nèi)的溫度。由此，可以保證液態(tài)三氯氫硅和液態(tài)二氯二氫硅在適當(dāng)?shù)臏囟认卤怀浞制⑴c氫氣充分混合，同時(shí)還可以保證制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置的穩(wěn)定性。
[0009]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述溫度控制組件為夾套式加熱器和盤(pán)管式加熱器的至少一種。
[0010]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置進(jìn)一步包括:進(jìn)料控制組件，所述進(jìn)料控制組件分別與氫氣進(jìn)料口、三氯氫硅進(jìn)料口和二氯二氫硅進(jìn)料口相連，用于控制進(jìn)入所述汽化空間的氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅的摩爾比例。由此，通過(guò)控制汽化空間的氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅的摩爾比例可以保證制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置中的溫度和壓力，從而保證該裝置的穩(wěn)定性。
[0011]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述汽化過(guò)程是在-5攝氏度?100攝氏度的溫度以及0.2MPa?0.SMPa的壓力下進(jìn)行的。通過(guò)根據(jù)亨利定律控制制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置的溫度和壓力，從而保證混合氣中各組分的穩(wěn)定性。
[0012]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述氫氣和三氯氫硅的摩爾比為I?10:1。由此，可以保證制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置的安全穩(wěn)定，并提高制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的效率，從而進(jìn)一步提聞制備多晶娃的生廣效率。
[0013]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅的摩爾比為40:10:0.1?I。由此，可以通過(guò)調(diào)節(jié)氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅的比例，而提高多晶硅還原中的三氯氫硅的一次轉(zhuǎn)化率，提高多晶硅的沉積速率，降低多晶硅生產(chǎn)成本。
[0014]本實(shí)用新型的另一個(gè)目的在于提供一種用于制備多晶硅的設(shè)備。該設(shè)備包括:還原生產(chǎn)用混合氣供料制備裝置，所述還原生產(chǎn)用混合氣供料制備裝置為上述的制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置，用于利用氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅獲得多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料；以及多晶硅還原爐，所述多晶硅還原爐與所述還原生產(chǎn)用混合氣供料制備裝置相連，并且從所述還原生產(chǎn)用混合氣供料制備裝置接收所述多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料，用于制備多晶硅。由此，可以提高制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的效率，并進(jìn)一步提聞制備多晶娃還原爐中的氣相沉積反應(yīng)效率，從而提聞多晶娃的生廣效率。
[0015]另外，根據(jù)本實(shí)用新型上述實(shí)施例的用于制備多晶硅的設(shè)備，還可以具有如下附加的技術(shù)特征:
[0016]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述用于制備多晶硅的設(shè)備進(jìn)一步包括:預(yù)熱裝置，所述預(yù)熱裝置分別與所述還原生產(chǎn)用混合氣供料制備裝置和多晶硅還原爐相連，用于在將所述還原混合氣供料引入多晶硅還原爐中之前，對(duì)所述還原混合氣供料進(jìn)行預(yù)熱處理。由此，可以對(duì)經(jīng)過(guò)汽化并充分混合的還原氣進(jìn)行保溫操作，從而防止生產(chǎn)過(guò)程中還原生產(chǎn)用混合氣供料在從制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置輸送到還原爐的過(guò)程中由于溫度降低而出現(xiàn)三氯氫硅和二氯二氫硅的液化現(xiàn)象，從而提高了多晶硅的生產(chǎn)效率。
[0017]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述預(yù)熱裝置包括電加熱組件。由此，通過(guò)加熱組件的加熱功能解決了還原生產(chǎn)用混合氣供料在輸送過(guò)程中的液化問(wèn)題，保證了還原生產(chǎn)用混合氣供料以高溫氣態(tài)的形式進(jìn)入還原爐進(jìn)行氣相沉積反應(yīng)而獲得多晶硅，因此提高了多晶硅的生產(chǎn)效率。
[0018]本實(shí)用新型的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本實(shí)用新型的實(shí)踐了解到。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]本實(shí)用新型的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0020]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置示意圖，其中包括本體100、汽化空間200、氫氣進(jìn)料口 300、三氯氫硅進(jìn)料口 400、二氯二氫硅進(jìn)料口 500和還原生產(chǎn)用混合氣供料出口 600 ；
[0021]圖2是根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的用于制備多晶硅的設(shè)備，其中包括還原生產(chǎn)用混合氣供料制備裝置料的裝置1000和多晶硅還原爐3000 ；
[0022]圖3是根據(jù)本實(shí)用新型另一個(gè)實(shí)施例的用于制備多晶硅的設(shè)備示意圖，其中包括還原生產(chǎn)用混合氣供料制備裝置1000、預(yù)熱裝置2000和多晶硅還原爐3000。
【具體實(shí)施方式】
[0023]下面詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類(lèi)似的標(biāo)號(hào)表示相同或類(lèi)似的元件或具有相同或類(lèi)似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本實(shí)用新型，而不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
[0024]本實(shí)用新型中使用的術(shù)語(yǔ)“多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料”是指在生產(chǎn)多晶硅的過(guò)程中用于還原反應(yīng)的混合氣。
[0025]本實(shí)用新型是實(shí)用新型人基于以下發(fā)現(xiàn)而完成的:多晶硅沉積過(guò)程中再還原爐內(nèi)的主要反應(yīng)有:(I) SiHCl3+H2=Si+3HCl ； (2) 4SiHCl3=Si+2H2+3SiCl4 ； (3) Si+2HCl=SiH2Cl2 ；和(4)2SiHCl3=SiH2Cl2+SiCl4。其中，反應(yīng)(I)為氫還原反應(yīng)，為多晶硅沉積的主要反應(yīng)；反應(yīng)(2)、(4)均為熱分解反應(yīng)；反應(yīng)(3)為氯化氫腐蝕硅反應(yīng)；從反應(yīng)方程式中可以看出，副反應(yīng)中有二氯二氫硅生成；通過(guò)實(shí)踐證明，供料中加入適量的二氯二氫硅有利于抑制副反應(yīng)的進(jìn)行，提高三氯氫硅的一次轉(zhuǎn)化率，提高多晶硅在還原爐內(nèi)的沉積速率，此外，還原爐運(yùn)行控制參數(shù)是根據(jù)三氯氫硅的氣相沉積來(lái)確定的，因此二氯二氫硅的少量添加還可以使得控制參數(shù)調(diào)整過(guò)程中誘發(fā)二氯二氫硅的氣相沉積，從而提高了三氯氫硅的還原利用率。同時(shí)，由于制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料裝置內(nèi)的混合氣溫度最高只能達(dá)到混合氣中氯硅烷的飽和蒸汽溫度，不能加熱到更高，因此從制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料裝置內(nèi)輸出去的多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料在輸送過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)液化現(xiàn)象，不僅降低了生產(chǎn)系統(tǒng)的穩(wěn)定性，并且降低了還原生產(chǎn)用混合氣供料以高溫氣態(tài)的形式進(jìn)入還原爐進(jìn)行氣相沉積反應(yīng)而獲得多晶娃的效率。
[0026]在本實(shí)用新型的第一方面，本實(shí)用新型提供了一種制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置。如圖1所示，該裝置包括:本體100，所述本體內(nèi)限定出汽化空間200 ;氫氣進(jìn)料口 300，所述氫氣進(jìn)料口 300設(shè)置在所述本體100上，用于向所述汽化空間200中引入所述氫氣；三氯氫硅進(jìn)料口 400，所述三氯氫硅進(jìn)料口 400設(shè)置在所述本體100上，用于向所述汽化空間200中引入所述三氯氫硅；二氯二氫硅進(jìn)料口 500，所述二氯二氫硅進(jìn)料口 500設(shè)置在所述本體100上，用于向所述汽化空間200中引入所述二氯二氫硅；以及還原生產(chǎn)用混合氣供料出口 600，所述還原生產(chǎn)用混合氣供料出口 600設(shè)置在所述本體100上，用于將獲得的還原生產(chǎn)用混合氣供料輸送出所述制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，上述三個(gè)進(jìn)料口的設(shè)置并不受特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要在制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置的本體100上設(shè)置，根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，氫氣進(jìn)料口 300、三氯氫硅進(jìn)料口 400和二氯二氫硅進(jìn)料口 500既可以分開(kāi)設(shè)置，也可以合并設(shè)置，只要達(dá)到將氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅通入制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置的目的即可。由此，利用該裝置得到的還原生產(chǎn)用混合氣供料，不僅可以提高三氯氫硅的一次轉(zhuǎn)化率，從而提高多晶硅在還原爐內(nèi)的沉積速率；還可以通過(guò)控制參數(shù)調(diào)整過(guò)程中誘發(fā)二氯二氫硅的氣相沉積，從而提高了三氯氫硅的還原利用率。
[0027]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置進(jìn)一步包括:溫度控制組件2，所述溫度控制組件設(shè)置在所述本體上，用于控制所述汽化空間內(nèi)的溫度。由此，可以保證液態(tài)三氯氫硅和液態(tài)二氯二氫硅在適當(dāng)?shù)臏囟认卤怀浞制⑴c氫氣充分混合，同時(shí)還可以保證制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置的穩(wěn)定性。
[0028]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述溫度控制組件為夾套式加熱器和盤(pán)管式加熱器的至少一種。
[0029]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置進(jìn)一步包括:進(jìn)料控制組件，所述進(jìn)料控制組件分別與氫氣進(jìn)料口、三氯氫硅進(jìn)料口和二氯二氫硅進(jìn)料口相連，用于控制進(jìn)入所述汽化空間的氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅的摩爾比例。由此，通過(guò)控制汽化空間的氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅的摩爾比例可以保證制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置中的溫度和壓力，從而保證該裝置的安全穩(wěn)定性。
[0030]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，汽化過(guò)程的溫度和壓力并不受特別限制，制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置的壓力可以由制備多晶硅的后續(xù)還原爐生產(chǎn)系統(tǒng)決定，根據(jù)本實(shí)用新型的一些具體實(shí)施例，所述制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置的壓力可以為0.2MPa?0.8MPa。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置的溫度由氫氣和三氯氫硅的摩爾體積比例確定，根據(jù)本實(shí)用新型的另一些實(shí)施例，所述制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置的溫度可以為-5攝氏度?100攝氏度。由此，通過(guò)根據(jù)亨利定律控制制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置的溫度和壓力，從而保證混合氣中各組分的穩(wěn)定性，并提高制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的生產(chǎn)效率。
[0031]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述氫氣和三氯氫硅的摩爾體積比例可以為I?10:1。由此，可以保證制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置的安全穩(wěn)定，并提高制備多晶娃還原生廣用混合氣供料的效率，從而進(jìn)一步提聞制備多晶娃的生廣效率。
[0032]根據(jù)本實(shí)用新型的一些具體實(shí)施例，當(dāng)制備多晶硅還原爐生產(chǎn)系統(tǒng)為常壓生產(chǎn)時(shí)，氫氣和三氯氫硅氣體壓力為0.2Mpa，只需要克服管道輸送過(guò)程中的阻力損失，因此氫氣和三氯氫硅氣體摩爾體積比為1，制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料裝置的溫度為43.68攝氏度；根據(jù)本實(shí)用新型的另一些具體實(shí)施例，當(dāng)氫氣和三氯氫硅氣體摩爾體積比為5，制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料裝置的溫度為13攝氏度；根據(jù)本實(shí)用新型的再一些具體實(shí)施例，氫氣和三氯氫硅氣體摩爾體積比為10，制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料裝置的溫度為-1.15攝氏度。由此，可以提高制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的效率，從而進(jìn)一步提高三氯氫硅的還原利用率。
[0033]根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，當(dāng)制備多晶硅還原爐生產(chǎn)系統(tǒng)壓力為0.3Mpa時(shí)，氫氣和三氯氫硅氣體壓力為0.5Mpa時(shí)，氫氣和三氯氫硅氣體摩爾體積比為I，制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料裝置的溫度為67.15攝氏度；根據(jù)本實(shí)用新型的另一些具體實(shí)施例，氫氣和三氯氫硅氣體摩爾體積比為5時(shí)，制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料裝置的溫度為31.65攝氏度；根據(jù)本實(shí)用新型的再一些具體實(shí)施例，氫氣和三氯氫硅氣體摩爾體積比為10時(shí)，制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料裝置的溫度為15.2攝氏度。由此，可以提高制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的效率，從而進(jìn)一步提高三氯氫硅的還原利用率。
[0034]根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，當(dāng)制備多晶硅還原爐生產(chǎn)系統(tǒng)壓力為0.6Mpa時(shí)，氫氣和三氯氫硅氣體壓力為0.8Mpa時(shí)，氫氣和三氯氫硅氣體摩爾體積比為I，制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料裝置的溫度為87.15攝氏度；根據(jù)本實(shí)用新型的另一些具體實(shí)施例，氫氣和三氯氫硅氣體摩爾體積比為5，制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料裝置的溫度為43.68攝氏度；根據(jù)本實(shí)用新型的再一些具體實(shí)施例，氫氣和三氯氫硅氣體摩爾體積比為10，制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料裝置的溫度為25.9攝氏度。由此，可以提高制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的效率，從而進(jìn)一步提高三氯氫硅的還原利用率。
[0035]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅的摩爾比為40:10:0.1?I。由此，可以通過(guò)調(diào)節(jié)氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅的比例，而提高多晶硅還原中的三氯氫硅的一次轉(zhuǎn)化率，提高多晶硅的沉積速率，降低多晶硅生產(chǎn)成本。
[0036]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述三氯氫硅和二氯二氫硅的供給方式并不受特別限制，只要可以使得三氯氫硅和二氯二氫硅在制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置進(jìn)行被充分汽化混合，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以采用各種供給方式，根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，可以將未經(jīng)提純合格含有部分二氯二氫硅的三氯氫硅通入到制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置內(nèi)進(jìn)行汽化，也可以將將提純合格后的二氯二氫硅和提純合格后的三氯氫硅分別通入到特定設(shè)備內(nèi)進(jìn)行汽化。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，將氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅通入到制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置內(nèi)進(jìn)行汽化的比例不受特別限制，只要可以達(dá)到適合氫氣對(duì)三氯氫硅和二氯二氫硅在制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置內(nèi)以適合的溫度進(jìn)行汽化，并達(dá)到充分進(jìn)行混合后在還原爐內(nèi)進(jìn)行氣相沉積反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)所需要的配比，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)具體情況進(jìn)行調(diào)節(jié)。根據(jù)本實(shí)用新型的一些具體實(shí)例，所述氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅的摩爾比為40:10:0.1?1，即經(jīng)過(guò)汽化后，混合氣中的二氯二氫硅的摩爾濃度與三氯氫硅的摩爾濃度比例在1%_10%之間。由此，可以通過(guò)調(diào)節(jié)氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅的比例，而提高多晶硅還原中的三氯氫硅的一次轉(zhuǎn)化率，提高多晶硅的沉積速率，降低多晶硅生產(chǎn)成本，并且通過(guò)控制制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置中氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅的摩爾比為40:10:0.1?I而對(duì)制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置的溫度和壓力進(jìn)行控制，而保證以適合的溫度和壓力保證該設(shè)備可以穩(wěn)定而持續(xù)地將三氯氫硅和二氯二氫硅汽化為氣體，并給還原爐提供氣相沉積反應(yīng)的混合氣供料。
[0037]所述汽化過(guò)程是在O攝氏度?100攝氏度的溫度以及0.SMPa的壓力下進(jìn)行的。通過(guò)根據(jù)亨利定律控制制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置的溫度和壓力，從而保證混合氣中各組分的穩(wěn)定性。根據(jù)本實(shí)用新型的另一些具體實(shí)施例，所述汽化過(guò)程是在45攝氏度?47攝氏度下進(jìn)行的。由此，可以保證液態(tài)三氯氫硅和液態(tài)二氯二氫硅可以被充分汽化，并與氫氣充分混合。
[0038]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，將液態(tài)三氯氫硅和液態(tài)二氯二氫硅被汽化為氣體所需要的熱量的提供方式并不受特別限制，只要可以達(dá)到三氯氫硅和二氯二氫硅的汽化溫度，可以采用本領(lǐng)域常用的各種加熱方式，根據(jù)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例，將液態(tài)三氯氫硅和液態(tài)二氯二氫硅被汽化為氣體所需要的熱量一部分是通過(guò)高溫氫氣所攜帶的熱量，另一部分是通過(guò)在制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置上設(shè)置加熱裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)的，根據(jù)本實(shí)用新型的具體示例，所述加熱裝置可以采用夾套式加熱器和盤(pán)管式加熱器的至少一種。由此可以提高對(duì)制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置加熱的效率，從而提高制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的效率，進(jìn)一步提高三氯氫硅在制備多晶硅氣相沉積反應(yīng)中的還原利用率。
[0039]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)具體示例，當(dāng)氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅的摩爾比控制為40:10:1時(shí)，制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置的壓力為0.8Mpa，溫度為46.55攝氏度。由此，可以提高制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的效率，從而進(jìn)一步提高三氯氫硅的還原利用率。
[0040]根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)具體示例，當(dāng)氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅的摩爾比控制為40:10:0.5時(shí)，還原氣混合供料混合設(shè)備的壓力為0.8Mpa，溫度為46.14攝氏度。由此，可以提高制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的效率，從而進(jìn)一步提高三氯氫硅的還原利用率。
[0041]根據(jù)本實(shí)用新型的再一個(gè)具體示例，當(dāng)氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅的摩爾比控制為40:10:0.1時(shí)，還原氣混合供料混合設(shè)備的壓力為0.8Mpa，溫度為45.8攝氏度。由此，可以提高制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的效率，從而進(jìn)一步提高三氯氫硅的還原利用率。
[0042]本實(shí)用新型的另一個(gè)目的在于提供一種用于制備多晶硅的設(shè)備。該設(shè)備包括:
[0043]還原生產(chǎn)用混合氣供料制備裝置1000，所述還原生產(chǎn)用混合氣供料制備裝置為上述的制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置，用于利用氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅獲得多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料；以及
[0044]多晶硅還原爐3000，所述多晶硅還原爐3000與所述還原生產(chǎn)用混合氣供料制備裝置1000相連，并且從所述還原生產(chǎn)用混合氣供料制備裝置3000接收所述多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料，用于制備多晶硅。由此，可以提高制備多晶硅氣相沉積反應(yīng)的效率，從而提聞多晶娃的廣率。
[0045]另外，根據(jù)本實(shí)用新型上述實(shí)施例的用于制備多晶硅的設(shè)備，還可以具有如下附加的技術(shù)特征:[0046]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述用于制備多晶硅的設(shè)備進(jìn)一步包括:預(yù)熱裝置2000，所述預(yù)熱裝置2000分別于所述還原生產(chǎn)用混合氣供料制備裝置1000和多晶硅還原爐3000相連，用于在將所述還原混合氣供料引入多晶硅還原爐3000中之前，對(duì)所述還原混合氣供料進(jìn)行預(yù)熱處理。由此，可以對(duì)經(jīng)過(guò)汽化并充分混合的還原生產(chǎn)用混合氣進(jìn)行保溫操作，從而防止生產(chǎn)過(guò)程中還原生產(chǎn)用混合氣供料在從制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置1000輸送到多晶硅還原爐3000的過(guò)程中由于溫度降低而出現(xiàn)三氯氫硅和二氯二氫娃的液化現(xiàn)象，從而提聞了多晶娃的生廣效率。
[0047]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述預(yù)熱裝置包括電加熱組件。由此，通過(guò)加熱組件的加熱功能解決了還原生產(chǎn)用混合氣供料在輸送過(guò)程中的液化問(wèn)題，保證了還原生產(chǎn)用混合氣供料以高溫氣態(tài)的形式進(jìn)入還原爐進(jìn)行氣相沉積反應(yīng)而獲得多晶硅，因此提高了多晶硅的生產(chǎn)效率。
[0048]下面，結(jié)合本實(shí)用新型的制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的方法對(duì)本發(fā)法進(jìn)行進(jìn)一步的就說(shuō)明。
[0049]根據(jù)本實(shí)用新型的制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的方法，即將氫氣、三氯氫硅液體和二氯二氫硅液體的混合物進(jìn)行汽化過(guò)程，以便獲得多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料。由此，不僅可以提聞二氣氧娃的一次轉(zhuǎn)化率，從而提聞多晶娃在還原爐內(nèi)的沉積速率；還可以通過(guò)控制參數(shù)調(diào)整過(guò)程中誘發(fā)二氯二氫硅的氣相沉積，從而提高了三氯氫硅的還原利用率。
[0050]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述三氯氫硅和二氯二氫硅的供給方式并不受特別限制，只要可以使得三氯氫硅和二氯二氫硅在制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置進(jìn)行被充分汽化混合，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以采用各種供給方式，根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，可以將提純合格含有部分二氯二氫硅的三氯氫硅通入到制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置內(nèi)進(jìn)行汽化過(guò)程，也可以將提純合格后的二氯二氫硅和提純合格后的三氯氫硅分別通入到特定設(shè)備內(nèi)進(jìn)行汽化。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，將氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅通入到制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置內(nèi)進(jìn)行汽化過(guò)程的比例不受特別限制，只要可以達(dá)到適合氫氣對(duì)三氯氫硅和二氯二氫硅在制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置內(nèi)以適合的溫度進(jìn)行汽化過(guò)程，并達(dá)到充分進(jìn)行混合后在還原爐內(nèi)進(jìn)行氣相沉積反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)所需要的配比，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)具體情況進(jìn)行調(diào)節(jié)。根據(jù)本實(shí)用新型的一些具體實(shí)施例，所述氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅的摩爾比為40:10:0.1?1，即經(jīng)過(guò)汽化過(guò)程后，混合氣中的二氯二氫硅的摩爾濃度與三氯氫硅的摩爾濃度比例在1%?10%之間。由此，可以通過(guò)調(diào)節(jié)氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅的比例，而提高多晶硅還原中的三氯氫硅的一次轉(zhuǎn)化率，提高多晶硅的沉積速率，降低多晶硅生產(chǎn)成本，并且通過(guò)控制制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置中氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅的摩爾比為40:10:0.1?I而對(duì)制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置的溫度和壓力進(jìn)行控制，而保證以適合的溫度和壓力保證該設(shè)備可以穩(wěn)定而持續(xù)地將三氯氫硅和二氯二氫硅通過(guò)汽化過(guò)程轉(zhuǎn)變?yōu)闅怏w，并給還原爐提供氣相沉積反應(yīng)的混合氣供料。
[0051]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，汽化過(guò)程的溫度和壓力并不受特別限制，只要可以使得液態(tài)三氯氫硅和液態(tài)二氯二氫硅通過(guò)汽化過(guò)程轉(zhuǎn)變?yōu)闅怏w，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)反應(yīng)條件和設(shè)備的具體情況進(jìn)行調(diào)節(jié)，根據(jù)本實(shí)用新型的一些具體實(shí)施例，所述汽化過(guò)程是在O攝氏度?100攝氏度的溫度以及0.SMPa的壓力下進(jìn)行的。通過(guò)根據(jù)亨利定律控制制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置的溫度和壓力，從而保證混合氣中各組分的穩(wěn)定性。根據(jù)本實(shí)用新型的另一些具體實(shí)施例，所述汽化過(guò)程是在45攝氏度?47攝氏度下進(jìn)行的。由此，可以保證液態(tài)三氯氫硅和液態(tài)二氯二氫硅可以通過(guò)汽化過(guò)程被充分轉(zhuǎn)變?yōu)闅怏w，并與氫氣充分混合。
[0052]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，將液態(tài)三氯氫硅和液態(tài)二氯二氫硅通過(guò)汽化過(guò)程轉(zhuǎn)變?yōu)闅怏w所需要的熱量的提供方式并不受特別限制，只要可以達(dá)到三氯氫硅和二氯二氫硅的汽化過(guò)程的溫度，可以采用本領(lǐng)域常用的各種加熱方式，根據(jù)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例，將液態(tài)三氯氫硅和液態(tài)二氯二氫硅通過(guò)汽化過(guò)程轉(zhuǎn)變?yōu)闅怏w所需要的熱量一部分是通過(guò)高溫氫氣所攜帶的熱量，另一部分是通過(guò)在制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置上設(shè)置加熱裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)的，根據(jù)本實(shí)用新型的具體示例，所述加熱裝置可以采用夾套式加熱器和盤(pán)管式加熱器的至少一種。由此可以提高對(duì)制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置加熱的效率，從而提聞制備多晶娃還原生廣用混合氣供料的效率，進(jìn)一步提聞二氣氧娃在制備多晶硅氣相沉積反應(yīng)中的還原利用率。
[0053]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)具體示例，當(dāng)氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅的摩爾比控制為40:10:1時(shí)，制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置的壓力為0.8Mpa，溫度為46.55攝氏度。由此，可以提高制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的效率，從而進(jìn)一步提高三氯氫硅的還原利用率。根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)具體示例，當(dāng)氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅的摩爾比控制為40:10:0.5時(shí)，還原生產(chǎn)用混合氣供料混合設(shè)備的壓力為0.8Mpa，溫度為46.14攝氏度。由此，可以提高制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的效率，從而進(jìn)一步提高三氯氫硅的還原利用率。
[0054]根據(jù)本實(shí)用新型的再一個(gè)具體示例，當(dāng)氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅的摩爾比控制為40:10:0.1時(shí)，還原生產(chǎn)用混合氣供料混合設(shè)備的壓力為0.8Mpa，溫度為45.8攝氏度。由此，可以提高制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的效率，從而進(jìn)一步提高三氯氫硅的還原利用率。
[0055]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的方法進(jìn)一步包括將所述還原生產(chǎn)用混合氣供料引入多晶硅還原爐中用于制備多晶硅。由此，經(jīng)過(guò)充分混合的還原生產(chǎn)用混合氣可以在還原爐內(nèi)進(jìn)行多晶硅氣相沉積反應(yīng)，通過(guò)提高多晶硅還原中的二氣氧娃的一次轉(zhuǎn)化率，提聞多晶娃的沉積速率，從而提聞多晶娃的生廣效率。
[0056]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，在將所述還原生產(chǎn)用混合氣供料引入多晶硅還原爐中之前，對(duì)所述還原生產(chǎn)用混合氣供料進(jìn)行預(yù)熱處理。由此，可以對(duì)充分混合的還原生產(chǎn)用混合氣進(jìn)行保溫操作，從而防止生產(chǎn)過(guò)程中還原生產(chǎn)用混合氣供料在從制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置輸送到還原爐的過(guò)程中由于溫度降低而出現(xiàn)三氯氫硅和二氯二氫硅的液化現(xiàn)象，從而提聞了多晶娃的生廣效率。
[0057]根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，將所述還原生產(chǎn)用混合氣供料預(yù)熱升溫不低于20攝氏度。由此，解決了還原生產(chǎn)用混合氣供料在輸送過(guò)程中的液化問(wèn)題，保證了還原生產(chǎn)用混合氣供料以高溫氣態(tài)的形式進(jìn)入還原爐進(jìn)行氣相沉積反應(yīng)而獲得多晶硅，因此提高了多晶硅的生產(chǎn)效率。
[0058]實(shí)施例1[0059]先將含有部分二氯二氫娃的液態(tài)三氯氫娃通入到制備多晶娃還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置內(nèi)，然后將高溫氫氣通入到制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置內(nèi)從而對(duì)其中的液態(tài)三氯氫硅進(jìn)行鼓泡式汽化，將氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅的摩爾比控制為40:10:1時(shí)，制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置的壓力為0.8Mpa，溫度為46.55攝氏度，將所獲得的氫氣、氣態(tài)三氯氫娃和氣態(tài)二氯二氫娃從制備多晶娃還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置輸送至制備多晶硅的還原爐內(nèi)。
[0060]實(shí)施例2
[0061]先將經(jīng)過(guò)提純合格的液態(tài)二氯二氫硅和經(jīng)過(guò)提純的液態(tài)三氯氫硅通入到制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置內(nèi)，然后將高溫氫氣通入到制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置內(nèi)從而對(duì)其中的液態(tài)三氯氫硅進(jìn)行鼓泡式汽化，將氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅的摩爾比控制為40:10:0.5時(shí)，制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置的壓力為
0.8Mpa,溫度為46.14攝氏度,將所獲得的氫氣、氣態(tài)三氯氫娃和氣態(tài)二氯二氫娃從制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置經(jīng)過(guò)預(yù)熱裝置輸送至制備多晶硅的還原爐內(nèi)。
[0062]實(shí)施例3
[0063]先將經(jīng)過(guò)提純液態(tài)二氯二氫硅和經(jīng)過(guò)提純的液態(tài)三氯氫硅通入到制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置內(nèi)，然后將高溫氫氣通入到制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置內(nèi)從而對(duì)其中的液態(tài)三氯氫娃進(jìn)行鼓泡式汽化，將氫氣、三氯氫娃和二氯二氫娃的摩爾比控制為40:10:0.1時(shí)，制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置的壓力為0.8Mpa，溫度為45.8攝氏度，將所獲得的氫氣、氣態(tài)三氯氫硅和氣態(tài)二氯二氫硅從制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置經(jīng)過(guò)預(yù)熱裝置輸送至制備多晶硅的還原爐內(nèi)。
[0064]在本說(shuō)明書(shū)的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說(shuō)明書(shū)中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0065]盡管上面已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型的原理和宗旨的情況下在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。
【權(quán)利要求】
1.一種制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置，其特征在于，包括: 本體，所述本體內(nèi)限定出汽化空間； 用于向所述汽化空間中弓I入所述氫氣的氫氣進(jìn)料口，所述氫氣進(jìn)料口設(shè)置在所述本體上； 用于向所述汽化空間中引入所述三氯氫硅的三氯氫硅進(jìn)料口，所述三氯氫硅進(jìn)料口設(shè)置在所述本體上； 用于向所述汽化空間中弓I入所述二氯二氫硅的二氯二氫硅進(jìn)料口，所述二氯二氫硅進(jìn)料口設(shè)置在所述本體上；以及 用于將獲得的還原生產(chǎn)用混合氣供料輸送出所述制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料裝置的還原生產(chǎn)用混合氣供料出口，所述還原生產(chǎn)用混合氣供料出口設(shè)置在所述本體上，其中，所述制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置進(jìn)一步包括: 用于控制所述汽化空間內(nèi)的溫度控制組件，所述溫度控制組件設(shè)置在所述本體上， 所述溫度控制組件為夾套式加熱器和盤(pán)管式加熱器的至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括: 用于控制進(jìn)入所述汽化空間的氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅的摩爾比例的進(jìn)料控制組件，所述進(jìn)料控制組件分別與氫氣進(jìn)料口、三氯氫硅進(jìn)料口和二氯二氫硅進(jìn)料口相連。
3.一種用于制備多晶硅的設(shè)備，其特征在于，包括: 用于利用氫氣、三氯氫硅和二氯二氫硅獲得多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的還原生產(chǎn)用混合氣供料制備裝置，所述還原生產(chǎn)用混合氣供料制備裝置為權(quán)利要求1或2所述的制備多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料的裝置；以及 用于制備多晶硅的多晶硅還原爐，所述多晶硅還原爐與所述還原生產(chǎn)用混合氣供料制備裝置相連，并且從所述還原生產(chǎn)用混合氣供料制備裝置接收所述多晶硅還原生產(chǎn)用混合氣供料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其特征在于，進(jìn)一步包括: 用于在將所述還原混合氣供料引入多晶硅還原爐中之前，對(duì)所述還原混合氣供料進(jìn)行預(yù)熱處理的預(yù)熱裝置，所述預(yù)熱裝置分別與所述還原生產(chǎn)用混合氣供料制備裝置和多晶硅還原爐相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其特征在于，所述預(yù)熱裝置包括電加熱組件。
【文檔編號(hào)】C01B33/035GK203558859SQ201320407879
【公開(kāi)日】2014年4月23日 申請(qǐng)日期:2013年7月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月10日
【發(fā)明者】石何武, 嚴(yán)大洲, 肖榮暉, 湯傳斌, 毋克力, 楊永亮, 鄭紅梅 申請(qǐng)人:中國(guó)恩菲工程技術(shù)有限公司