一種卷繞式ito結晶設備的制作方法
【專利摘要】一種卷繞式ITO結晶設備，包括放膜輥，第一組夾緊輥，高溫輥，第二組夾緊輥，收膜輥，第一速度檢測傳感器，薄膜，第二速度檢測傳感器；其中：放膜輥與第一組夾緊輥平行布置在框架上，第一組夾緊輥和高溫輥平行布置在框架上；高溫輥和第二組夾緊輥平行布置在框架上，第二組夾緊輥和收膜輥平行布置在框架上；第一速度檢測傳感器布置在第二組夾緊輥的下后方；第二速度檢測傳感器布置在第一組夾緊輥的下前方；薄膜繞在放膜輥上，順次通過第一組夾緊輥、高溫輥、第二組夾緊輥和收膜輥上。本發明的優點：加熱輥能與零張力的薄膜完整貼合，且能保證每一點都能受熱均勻，可以有效解決薄膜寬度的限制，可制備大尺寸ITO結晶膜。
【專利說明】一種卷繞式I TO結晶設備

【技術領域】
[0001] 本發明涉及Ι--結晶膜生產設備，特別涉及了一種卷繞式ΙΤ0結晶設備。

【背景技術】
[0002] 現在對于薄膜ΙΤ0結晶來說，薄膜主要的承載方式為平面式承載，即在0張力情 況下薄膜依附于平面板上，放置于加熱真空腔室內。這種方式的缺點，薄膜寬度不能大于 500_，因為寬度過大，會造成四周與中心受熱不均勻，影響結晶效果。


【發明內容】

[0003] 本發明的目的是為了能夠有效解決薄膜寬度的限制，制備大尺寸ΙΤ0結晶膜，特 提供了一種卷繞式ΙΤ0結晶設備。
[0004] 本發明提供了一種卷繞式ΙΤ0結晶設備，其特征在于：所述的卷繞式ΙΤ0結晶設 備，包括放膜輥1，第一組夾緊輥2,高溫輥4,第二組夾緊輥5,收膜輥6,第一速度檢測傳感 器7,薄膜8,第二速度檢測傳感器9 ;
[0005] 其中：放膜輥1與第一組夾緊輥2平行布置在框架上，第一組夾緊輥2和高溫輥4 平行布置在框架上；
[0006] 高溫輥4和第二組夾緊輥5平行布置在框架上，第二組夾緊輥5和收膜輥6平行 布置在框架上；
[0007] 第一速度檢測傳感器7布置在第二組夾緊輥5的下后方；第二速度檢測傳感器9 布置在第一組夾緊輥2的下前方；
[0008] 薄膜8繞在放膜輥1上，順次通過第一組夾緊輥2、高溫輥4、第二組夾緊輥5和收 膜輥6上。
[0009] 所述的卷繞式ΙΤ0結晶設備，還包括一個能抽真空環境的封閉箱體3 ;
[0010] 放膜輥1、第一組夾緊輥2、高溫輥4、第二組夾緊輥5、收膜輥6、第一速度檢測傳感 器7、薄膜8和第二速度檢測傳感器9均布置在能抽真空環境的封閉箱體3內。
[0011] 所述的卷繞式Ι--結晶設備，還包括控制單元，控制單元為PC。
[0012] 所述的卷繞式ΙΤ0結晶設備，還包括電機驅動裝置，電機驅動裝置分別連接放膜 輥1、高溫輥4和收膜輥6。
[0013] 工作原理：
[0014] 通過放膜輥的薄膜，經過第一組夾緊輥，使其自然下垂，通過重力自然吸附在高溫 輥上，薄膜貼合著高溫輥來進行運動，來實現ΙΤ0的結晶。
[0015] 當機構運轉時，放膜輥、加熱輥和收膜輥同方向旋轉；加熱輥的鍍膜速度由人工調 節；放膜輥的速度由第二速度檢測傳感器進行反饋，反饋給PC，由PC進行調速。如果放膜 輥部分膜下垂量不足，則放膜輥加速，相反則減速。收膜輥的收膜速度由第一速度檢測傳感 器進行調節，如果收卷部分膜下垂量不足，則收膜輥減速，反之則加速。
[0016] 本發明的優點：
[0017] 本發明所述的卷繞式ΙΤ0結晶設備，加熱輥能與零張力的薄膜完整貼合，且能保 證每一點都能受熱均勻，可以有效解決薄膜寬度的限制，可制備大尺寸ΙΤ0結晶膜。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018] 下面結合附圖及實施方式對本發明作進一步詳細的說明：
[0019] 圖1為卷繞式ΙΤ0結晶設備結構示意圖。

【具體實施方式】
[0020] 實施例1
[0021] 本實施例提供了一種卷繞式ΙΤ0結晶設備，其特征在于：所述的卷繞式ΙΤ0結晶設 備，包括放膜輥1，第一組夾緊輥2,高溫輥4,第二組夾緊輥5,收膜輥6,第一速度檢測傳感 器7,薄膜8,第二速度檢測傳感器9 ;
[0022] 其中：放膜輥1與第一組夾緊輥2平行布置在框架上，第一組夾緊輥2和高溫輥4 平行布置在框架上；
[0023] 高溫輥4和第二組夾緊輥5平行布置在框架上，第二組夾緊輥5和收膜輥6平行 布置在框架上；
[0024] 第一速度檢測傳感器7布置在第二組夾緊輥5的下后方；第二速度檢測傳感器9 布置在第一組夾緊輥2的下前方；
[0025] 薄膜8繞在放膜輥1上，順次通過第一組夾緊輥2、高溫輥4、第二組夾緊輥5和收 膜輥6上。
[0026] 所述的卷繞式ΙΤ0結晶設備，還包括一個能抽真空環境的封閉箱體3 ;
[0027] 放膜輥1、第一組夾緊輥2、高溫輥4、第二組夾緊輥5、收膜輥6、第一速度檢測傳感 器7、薄膜8和第二速度檢測傳感器9均布置在能抽真空環境的封閉箱體3內。
[0028] 所述的卷繞式ΙΤ0結晶設備，還包括控制單元，控制單元為PC。
[0029] 所述的卷繞式ΙΤ0結晶設備，還包括電機驅動裝置，電機驅動裝置分別連接放膜 輥1、高溫輥4和收膜輥6。
[0030] 工作原理：
[0031] 通過放膜輥的薄膜，經過第一組夾緊輥，使其自然下垂，通過重力自然吸附在高溫 輥上，薄膜貼合著高溫輥來進行運動，來實現ΙΤ0的結晶。
[0032] 當機構運轉時，放膜輥、加熱輥和收膜輥同方向旋轉；加熱輥的鍍膜速度由人工調 節；放膜輥的速度由第二速度檢測傳感器進行反饋，反饋給PC，由PC進行調速。如果放膜 輥部分膜下垂量不足，則放膜輥加速，相反則減速。收膜輥的收膜速度由第一速度檢測傳感 器進行調節，如果收卷部分膜下垂量不足，則收膜輥減速，反之則加速。
【權利要求】
1. 一種卷繞式ITO結晶設備，其特征在于：所述的卷繞式ITO結晶設備，包括放膜輥 (1)，第一組夾緊輥（2)，高溫輥（4)，第二組夾緊輥（5)，收膜輥（6)，第一速度檢測傳感器 (7)，薄膜（8)，第二速度檢測傳感器（9); 其中：放膜輥（1)與第一組夾緊輥（2)平行布置在框架上，第一組夾緊輥（2)和高溫輥 (4) 平行布置在框架上； 高溫輥（4)和第二組夾緊輥（5)平行布置在框架上，第二組夾緊輥（5)和收膜輥（6) 平行布置在框架上； 第一速度檢測傳感器（7)布置在第二組夾緊輥（5)的下后方；第二速度檢測傳感器 (9)布置在第一組夾緊輥（2)的下前方； 薄膜（8)繞在放膜輥（1)上，順次通過第一組夾緊輥（2)、高溫輥（4)、第二組夾緊輥 (5) 和收膜棍（6)上。
2. 按照權利要求1所述的卷繞式ΙΤ0結晶設備，其特征在于：所述的卷繞式ΙΤ0結晶 設備，還包括一個能抽真空環境的封閉箱體（3); 放膜輥（1)、第一組夾緊輥（2)、高溫輥（4)、第二組夾緊輥（5)、收膜輥（6)、第一速度檢 測傳感器（7)、薄膜（8)和第二速度檢測傳感器（9)均布置在能抽真空環境的封閉箱體（3) 內。
3. 按照權利要求1所述的卷繞式ΙΤ0結晶設備，其特征在于：所述的卷繞式ΙΤ0結晶 設備，還包括控制單元，控制單元為PC。
4. 按照權利要求1所述的卷繞式ITO結晶設備，其特征在于：所述的卷繞式ITO結晶 設備，還包括電機驅動裝置，電機驅動裝置分別連接放膜輥（1)、高溫輥（4)和收膜輥（6)。
【文檔編號】C01G15/00GK104192891SQ201410367386
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年7月30日 優先權日:2014年7月30日
【發明者】王宇 申請人:沈陽鐠和真空電子設備有限公司