技術特征：

1.一種氧化物燒結體，其特征在于，其以氧化物的形式含有銦、鎵以及銅，

并且，以Ga/(In+Ga)原子數比計的前述鎵的含量是0.20以上且0.45以下，

并且，以Cu/(In+Ga+Cu)原子數比計的前述銅的含量是0.001以上且小于0.03，

并且，所述氧化物燒結體由方鐵錳礦型結構的In₂O₃相、以及作為In₂O₃相以外的生成相的β-Ga₂O₃型結構的GaInO₃相構成，或者由方鐵錳礦型結構的In₂O₃相、以及作為In₂O₃相以外的生成相的β-Ga₂O₃型結構的GaInO₃相與(Ga，In)₂O₃相構成。

2.如權利要求1所述的氧化物燒結體，其中，以Cu/(In+Ga+Cu)原子數比計的前述銅的含量是0.001以上且0.015以下。

3.如權利要求1或2所述的氧化物燒結體，其中，以Ga/(In+Ga)原子數比計的前述鎵的含量是0.20以上且0.30以下。

4.如權利要求1至3中任一項所述的氧化物燒結體，其中，其實質上不含有銅以外的正二價元素、以及銦和鎵以外的正三價至正六價的元素。

5.如權利要求1至4中任一項所述的氧化物燒結體，其中，由下述式1所定義的β-Ga₂O₃型結構的GaInO₃相的X射線衍射峰強度比是2％以上且77％以下的范圍，

100×I[GaInO₃相(111)]/{I[In₂O₃相(400)]+I[GaInO₃相(111)]}[％]式1。

6.一種濺射用靶，其是對權利要求1至5中任一項所述的氧化物燒結體進行加工而獲得。

7.一種非晶質的氧化物半導體薄膜，其是使用權利要求6所述的濺射用靶通過濺射法在基板上形成后進行了熱處理的非晶質的氧化物半導體薄膜。

8.如權利要求7所述的非晶質的氧化物半導體薄膜，其中，載流子遷移率是10cm²V^-1sec^-1以上。

9.如權利要求7或8所述的非晶質的氧化物半導體薄膜，其中，載流子濃度是3.0×10¹⁸cm^-3以下。