技術總結(jié)
本發(fā)明提供一種在通過濺射法制成氧化物半導體薄膜時能夠獲得低載流子濃度、高載流子遷移率氧化物燒結(jié)體以及使用該氧化物燒結(jié)體的濺射用靶。該氧化物燒結(jié)體以氧化物的形式含有銦、鎵和銅。由Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計的鎵的含量優(yōu)選為0.20以上且0.45以下，由Cu/(In+Ga+Cu)原子數(shù)比計的銅的含量優(yōu)選為0.001以上且小于0.03，并且優(yōu)選在1200℃以上且1550℃以下的溫度進行燒成。將該氧化物燒結(jié)體作為濺射用靶而形成的非晶質(zhì)的氧化物半導體薄膜，能夠獲得載流子濃度為3.0×1018cm?3以下、載流子遷移率為10cm2V?1sec?1以上。

技術研發(fā)人員：中山德行;西村英一郎;松村文彥;井藁正史
受保護的技術使用者：住友金屬礦山株式會社
文檔號碼：201580015792
技術研發(fā)日：2015.04.15
技術公布日：2016.11.16