1.一種用于生長低缺陷碳化硅單晶的籽晶處理方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）在SiC籽晶背面涂覆聚合物，所述聚合物的涂層厚度為5um-100um；
（2）將涂層后的籽晶水平放置于真空加熱爐中，真空度保持在1Pa-50000Pa之間，加熱升溫至50℃-150℃，至少保持0.5h，繼續升溫至200℃-300℃，至少保持0.5h，升溫速率低于100℃/h，自然冷卻至室溫；
（3）繼續在聚合物涂層表面涂覆聚合物，并利用模板遮擋部分聚合物涂層表面，遮擋部分無高碳聚合物附著，涂層厚度為1mm-10mm；
（4）重復步驟（2），去除模板后在涂層面形成凹凸結構；
（5）將涂層后籽晶放入高溫碳化爐中，真空度保持在1pa-50000pa之間，按升溫速率逐步加熱到1000℃-2000℃，使聚合物中小分子釋放，逐步石墨化，形成致密且具有凹凸結構的石墨層；
（6）處理后的籽晶通過粘結劑或者機械方式固定在坩堝上蓋上，使石墨層中凸起部分緊貼坩堝上蓋。
2.如權利要求1所述的一種用于生長低缺陷碳化硅單晶的籽晶處理方法，其特征在于，所述的步驟（1）和步驟（3）中的聚合物含碳量高于50%，包括但不限于酚醛樹脂、糠醛樹脂或環氧樹脂。
3.如權利要求1所述的一種用于生長低缺陷碳化硅單晶的籽晶處理方法，其特征在于，步驟（3）中的模板，包括但不限于方形、半圓形或三角形；步驟（4）中的凹凸結構形狀，包括但不限于方形、半圓形或三角形。
4.如權利要求1所述的一種用于生長低缺陷碳化硅單晶的籽晶處理方法，其特征在于，所述SiC 籽晶的晶型包括4H、6H 、3C和15R 晶型。