技術總結
針對現(xiàn)有技術中存在的問題，本發(fā)明提供了一種用于生長低缺陷碳化硅單晶的籽晶處理方法。本發(fā)明提供的籽晶處理方法，通過在籽晶背面形成凹凸結構石墨層，控制籽晶面溫度分布，調(diào)控晶體生長過程中晶核的形成位置，有效抑制晶核在籽晶缺陷位置形成，提升了生長SiC晶體的質(zhì)量。該方法能夠使用具有一定缺陷的籽晶生長得到低缺陷SiC晶體，且易于實現(xiàn)、成本可控，具有突出的規(guī)模化應用前景。

技術研發(fā)人員：喬松;楊昆;高宇;鄭清超
受保護的技術使用者：河北同光晶體有限公司
文檔號碼：201611126006
技術研發(fā)日：2016.12.09
技術公布日：2017.02.22