1.一種碳化硅晶體生長設備，其特征在于，包括：
真空腔室，包括具有開口端部的真空腔體和密封安裝于所述開口端部的密封法蘭；
腔室加熱裝置，用于給所述真空腔室加熱；
坩堝裝置，設置于所述真空腔室內，包括具有頂端開口的坩堝本體和密封蓋在所述頂端開口的坩堝蓋，所述坩堝本體用于盛裝碳化硅料，所述坩堝蓋底部設有一籽晶，該籽晶能生長成一晶體；
坩堝蓋加熱裝置，用于加熱所述坩堝蓋；
控制裝置，包括：
溫度采集器，用于采集所述坩堝蓋底部的溫度數據；
控制器，其內部存儲有多條隨著晶體生長厚度變化的晶體背面溫度曲線，所述控制器用于接收所述溫度采集器發送的所述坩堝蓋底部溫度數據，并依此控制所述坩堝蓋加熱裝置，以使所述坩堝蓋溫度與所述晶體背面溫度曲線保持一致。
2.如權利要求1的碳化硅晶體生長設備，其特征在于，所述坩堝蓋呈筒形，具有筒底和筒體，所述坩堝蓋加熱裝置設置于所述筒體內并鄰近或接觸所述筒底。
3.如權利要求2的碳化硅晶體生長設備，其特征在于，所述坩堝蓋的筒底的厚度為3mm-5mm。
4.如權利要求2的碳化硅晶體生長設備，其特征在于，所述筒體的具有所述筒底的端部外周設有環形槽，該環形槽具有側密封部和端密封部，所述坩堝本體的內側面和頂端面分別對應配合于所述側密封部和端密封部。
5.如權利要求1的碳化硅晶體生長設備，其特征在于，所述坩堝蓋加熱裝置是渦旋感應加熱線圈，所述坩堝蓋加熱裝置與所述坩堝蓋之間的間隙為8-15mm。
6.如權利要求5的碳化硅晶體生長設備，其特征在于，所述渦旋感應加熱線圈上連接加熱電極，并通過所述加熱電極固定于所述密封法蘭上。
7.如權利要求5的碳化硅晶體生長設備，其特征在于，所述渦旋感應加熱線圈的橫截面呈中空的矩形形狀。
8.如權利要求7的碳化硅晶體生長設備，其特征在于，所述渦旋感應加熱線圈的兩端部分別連接一冷卻水管。
9.如權利要求1的碳化硅晶體生長設備，其特征在于，所述溫度采集器是紅外測溫儀，所述密封法蘭上設有測溫孔，所述坩堝蓋加熱裝置在對應于所述測溫孔位置設有通孔。
10.如權利要求1的碳化硅晶體生長設備，其特征在于，還包括：
保溫裝置，設置于所述真空腔室內，并包圍所述坩堝本體以及部分所述坩堝蓋。