本實用新型屬于碳化硅晶體生長加工裝置領域，尤其涉及一種蒸發法孕育碳化硅晶體生長裝置。

背景技術：

隨著現在社會科技的不斷發展，人們對于自身的衣食住行均提出越來越高的要求，晶體作為現在裝飾用品的重要用品，相比于黃金等貴金屬，晶體具有優良的美觀性，收到人們的廣泛喜愛。

且不僅是寶石碳化硅晶體，對于一些特殊的晶體結構，由于現在的科技水平的不斷成熟，也逐漸被人們所熟知，SiC作為C和Si唯一穩定的化合物，其晶格結構由致密排列的兩個亞晶格組成，每個si(或c)原子與周邊包圍的C(si)原子通過定向的強四面體SP3鍵結合，雖然SiC的四面體鍵很強，但層錯形成能量卻很低，這一特點決定了SiC的多型體現象，已經發現SiC具有250多種多型體，每種多型體的C/Si雙原子層的堆垛次序不同。

由于在自然界中碳化硅晶體生長較為緩慢，難以滿足現在人們的生活以及生產需要。傳統的設備子啊進行碳化硅晶體加工生長時，極易使得碳化硅晶體籽料受熱不均勻，使得碳化硅晶體生長不均勻，嚴重影響碳化硅晶體的品質。

技術實現要素：

本實用新型的目的在于提供一種蒸發法孕育碳化硅晶體生長裝置，能夠有效促進碳化硅晶體籽料在水溶液中快速生長，使得碳化硅晶體籽料生長均勻。

本實用新型是這樣實現的：

一種蒸發法孕育碳化硅晶體生長裝置，包括反應釜本體、轉軸、碳化硅晶體盛放盒、換熱器，所述反應釜本體的頂部設置有開口，并在開口上安裝有液封蓋，所述的轉軸貫穿過液封蓋設置于反應釜本體內部，并在轉軸前端設置有若干攪拌槳，在攪拌槳的底部再安裝有碳化硅晶體盛放盒，所述換熱器設置在反應釜本體的側邊，在反應釜本體底部設置有加熱管，所述的反應釜本體內設置有溫度感應裝置。

優選地，所述反應釜本體的側壁設置若干限位槽孔。

優選地，所述的反應釜本體上安裝有控制開關。

優選地，所述的攪拌槳與碳化硅晶體盛放盒可拆卸連接。

優選地，所述的反應釜本體與限位槽孔相互焊接。

技術效果

本實用新型提供的一種蒸發法孕育碳化硅晶體生長裝置，通過裝置上設計的轉軸帶動攪拌槳轉動，使得防止在反應釜本體內的水溶液能充分流動，同時使得放置在碳化硅晶體盛放盒內的碳化硅晶體籽料能與水溶液充分接觸，且受熱均勻，促進碳化硅晶體籽料在水溶液中快速生長，整個裝置操作便捷，使用方便，可被進一步推廣應用。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1本實用新型實施例的整體結構示意圖：

圖中：1、反應釜本體；2、轉軸；3、攪拌槳；4、碳化硅晶體盛放盒；5、換熱器；6、溫度感應器；11、液封蓋；12、加熱管；13、限位槽孔；14、控制開關。

具體實施方式

為了使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

下面結合附圖及具體實施例對本實用新型的應用原理作進一步描述。

如圖1所示，本實施例提供一種蒸發法孕育碳化硅晶體生長裝置，包括反應釜本體1、轉軸2、碳化硅晶體盛放盒4、換熱器5，反應釜本體1的頂部設置有開口，并在開口上安裝有液封蓋11，用于液封開口，轉軸2貫穿過液封蓋11設置于反應釜本體1內部，并在轉軸2前端設置有若干攪拌槳3，在攪拌槳3的底部再安裝有碳化硅晶體盛放盒4，換熱器5設置在反應釜本體1的側邊，方便對反應釜本體1內的水溶液進行及時溫度調節，在反應釜本體1底部設置有加熱管12，反應釜本體1內設置有溫度感應裝置6，實時監控溫度變化狀況。

反應釜本體1的側壁設置若干限位槽孔13。

反應釜本體1上安裝有控制開關14。

攪拌槳3與碳化硅晶體盛放盒4可拆卸連接。

反應釜本體1與限位槽孔13相互焊接，提高整個裝置的穩定性。整個裝置操作便捷，可被進一步推廣應用。

以上實施例僅用以說明本實用新型的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本實用新型各實施例技術方案的精神和范圍。