技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種碳化硅晶體生長設(shè)備，包括真空腔室、腔室加熱裝置、坩堝裝置、坩堝蓋加熱裝置和控制裝置。真空腔室包括具有開口端部的真空腔體和密封安裝于開口端部的密封法蘭；坩堝裝置設(shè)置于真空腔室內(nèi)，包括具有頂端開口的坩堝本體和密封蓋在頂端開口的坩堝蓋，坩堝本體用于盛裝碳化硅料，坩堝蓋底部設(shè)有一籽晶；控制裝置包括采集坩堝蓋底部的溫度數(shù)據(jù)的溫度采集器和控制器，控制器內(nèi)部存儲(chǔ)有多條隨著晶體生長厚度變化的晶體背面溫度曲線，控制器用于接收溫度采集器發(fā)送的坩堝蓋底部溫度數(shù)據(jù)，并依此控制坩堝蓋加熱裝置，以使坩堝蓋溫度與晶體背面溫度曲線保持一致。使用本發(fā)明生長出的晶體質(zhì)量高。

技術(shù)研發(fā)人員：楊翠柏;方聰;楊光輝;陳丙振
受保護(hù)的技術(shù)使用者：珠海鼎泰芯源晶體有限公司
文檔號(hào)碼：201611155315
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.14
技術(shù)公布日：2017.05.10