1.一種用于形成石墨烯的方法，所述方法包括：
提供基底；
使所述基底經受減壓環境；
提供載氣；
提供碳源；
使所述基底的至少一部分暴露于所述載氣、所述碳源和至少一種大氣氣體；
在所述基底的所述至少一部分上進行CMOS兼容的表面處理工藝；以及
通過CMOS兼容的生長工藝，將所述碳源的一部分轉變成布置在所述基底的所述至少一部分上的石墨烯。
2.如權利要求1所述的方法，其中所述基底包括銅箔。
3.如權利要求1所述的方法，其中所述CMOS兼容的表面處理工藝包括RF等離子體蝕刻工藝。
4.如權利要求1所述的方法，其中所述載氣包括氫氣，所述碳源包括甲烷，并且所述CMOS兼容的表面處理工藝包括RF氫等離子體工藝。
5.如權利要求1所述的方法，其中提供所述載氣和提供所述碳源被同時進行。
6.如權利要求1所述的方法，其中所述碳源構成少于0.6％的包含所述載氣、所述碳源和所述至少一種大氣氣體的流。
7.如權利要求1所述的方法，其中所述至少一種大氣氣體包括氮氣。
8.如權利要求1所述的方法，其中進行所述CMOS兼容的表面處理工藝包括蝕刻所述基底。
9.如權利要求1所述的方法，其中：
所述CMOS兼容的表面處理工藝包括室溫表面處理工藝；以及
所述CMOS兼容的生長工藝在室溫下被進行。
10.如權利要求1所述的方法，其中進行所述CMOS兼容的表面處理工藝和將所述碳源的所述部分轉變成石墨烯被同時進行。