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一種保護水溶液生長晶體表面臺階的方法與流程

文檔序號:12416713閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及了一種保護水溶液生長晶體表面臺階的方法。利用KDP不溶于正己烷和氯仿的特性,以及正己烷密度小于水的密度,水的密度小于氯仿的密度這種物理性質(zhì),將殘存在晶體表面的水溶液清除掉,保證生長臺階形貌的完整性、準(zhǔn)確性,安全有效的保存晶體。有機溶劑在使用前,盡量加熱到與生長溶液相似的溫度,避免溫度差過大造成晶體的開裂。本發(fā)明能夠完全的避免在去除晶體表面所附著的水溶液時所帶來的破壞,不會造成晶體表面殘留溶質(zhì)的再結(jié)晶以及表面結(jié)構(gòu)的破壞。可以減少實驗測試時尋找完整干凈表面帶來的工作難度,保證生長臺階形貌的完整性和準(zhǔn)確性。

技術(shù)研發(fā)人員:李偉東;丁建旭;顧慶天;王圣來;許心光;余波
受保護的技術(shù)使用者:山東大學(xué)
文檔號碼:201611175554
技術(shù)研發(fā)日:2016.12.19
技術(shù)公布日:2017.05.31

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