本實用新型涉及一種用于多顆粒微鉆的生產裝置，屬于人造鉆石領域。

背景技術：

商業化生產微型鉆石時，鉆石生長腔體內一般放置大量（200~500粒）晶種，由于加熱管結構和合成塊材料導熱性能的差異，導致鉆石生長腔體，特別是晶種所在晶床的中心和邊緣溫度的差異，造成鉆石晶體形貌的差異，嚴重時導致部分區域不生長鉆石。

技術實現要素：

本實用新型為解決上述不足，提供了一種用于多顆粒微鉆的生產裝置，具體方案為：

一種用于多顆粒微鉆的生產裝置，包括石墨加熱管，設于石墨加熱管內部的晶床，和設于晶床內部的觸媒，觸媒上方設有碳源，觸媒下方設有晶種，其所述的晶種包括多粒微晶種；所述的晶床設有導熱層，導熱層位于晶種的下方。

進一步的，所述的導熱層為氮化鋁層。

進一步的，所述的氮化鋁層的厚度為1.5~2.5mm。

進一步的，所述的氮化鋁層為圓形片層，氮化鋁層的直徑比晶床的直徑小1.5~2.5mm。

進一步的，所述的氮化鋁層距晶床下底面1.5~2mm。

本方案的有益點在于，在晶床中設置導熱層，可以解決石墨加熱管這種加熱方式存在的中心與邊緣溫差較大的問題，使石墨加熱管內部溫度趨于一致，晶種能夠順利生長成微鉆。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖。

具體實施方式

如圖1所示的一種用于多顆粒微鉆的生產裝置，包括石墨加熱管1，設于石墨加熱管1內部的晶床2，和設于晶床2內部的觸媒4，觸媒4上方設有碳源3，觸媒4下方設有晶種5，其所述的晶種5包括多粒微晶種；所述的晶床2設有導熱層6，導熱層6位于晶種5的下方。

本實施例中所述的導熱層6為熱傳導率很高的氮化鋁層；所述的氮化鋁層的厚度為1.5~2.5mm；所述的氮化鋁層為圓形片層，氮化鋁層的直徑比晶床2的直徑小1.5~2.5mm；所述的氮化鋁層距晶床2下底面1.5~2mm。

本方案的有益點在于，在晶床中設置導熱層，可以解決石墨加熱管這種加熱方式存在的中心與邊緣溫差較大的問題，使石墨加熱管內部溫度區域一致，晶種能夠順利生長成微鉆。

以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特征和本實用新型的優點。本行業的技術人員應該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內。本實用新型要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。