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一種籽晶漂浮于生長溶液的GaN晶體生長裝置的制作方法

文檔序號:11836586閱讀:來源:國知局

技術特征:

1.一種籽晶漂浮于生長溶液的GaN晶體生長裝置,包括釜體(1),所述釜體(1)內設有坩堝(2),所述坩堝(2)中裝設有生長溶液(3),所述生長溶液(3)的表面處通過漂浮體(4)固定有籽晶(5),其特征在于:所述漂浮體(4)通過至少一個拉繩(6)限制在生長溶液(3)表面處的中心區域,所述坩堝(2)的下端設有轉盤(7),所述轉盤(7)通過轉軸(8)連接有位于釜體(1)外的轉動電機(9)。

2.根據權利要求1所述的一種籽晶漂浮于生長溶液的GaN晶體生長裝置,其特征在于:所述漂浮體(4)為密度小于晶體生長溶液的實心體,上端設有便于固定拉繩(6)的穿孔。

3.根據權利要求1所述的一種籽晶漂浮于生長溶液的GaN晶體生長裝置,其特征在于:所述拉繩(6)由耐高溫纖維編織而成。

4.根據權利要求1所述的一種籽晶漂浮于生長溶液的GaN晶體生長裝置,其特征在于:所述轉軸(8)與釜體(1)連接處設有軸封。

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