本實用新型涉及多晶硅鑄錠技術領域，尤其涉及一種多晶硅鑄錠爐的熱場結構。

背景技術：

采用定向凝固方法進行多晶硅鑄錠時，一般通過鑄錠爐側部和頂部的加熱器加熱使原生多晶熔化，底部散熱降溫結晶生長。由于全熔工藝對漂浮熔化的要求，目前的熱場結構和頂側加熱器發熱比例，側部發熱量較大，使長晶中后期固液界面很凸，致使中間長晶結束后仍需很長的時間進行邊角長晶，致使周期很長；企業為了不影響周期，在邊角還未長晶結束即進入退火，這種處理方法會使邊角凸起甚至產生裂紋，不僅影響美觀也影響良率。

針對上述目前有兩種改善方法：一種方法是升高側部加熱器的位置，使側部最大發熱量的位置上移，固液界面凸出程度降低，可以有效改善邊角長晶。但是，加熱器上移會導致底部溫度偏低，漂浮熔化失敗，熔化時間長，容易粘鍋裂錠。另一種方法是加強側部散熱，這種方法不會影響熔化，但是會增加能耗。

技術實現要素：

本實用新型的目的在于提出一種多晶硅鑄錠爐的熱場結構，能夠在不延長長晶時間的前提下，使邊角長晶的表面比較平整，提高多晶硅鑄錠的良率。

為達此目的，本實用新型采用以下技術方案：

一種多晶硅鑄錠爐的熱場結構，包括：隔熱籠、設置于所述隔熱籠內的坩堝、設置于所述坩堝的外側的側護板、及設置于所述側護板與所述隔熱籠之間的側加熱器；所述側護板與所述側加熱器之間設置有石墨硬氈，所述石墨硬氈連接于所述側護板，且所述石墨硬氈的位置對應于所述側加熱器的中部設置。

優選地，所述側護板的外側面開設有用于放置所述石墨硬氈的凹槽，所述凹槽的深度略小于所述石墨硬氈的厚度。

優選地，所述石墨硬氈的厚度為10mm～30mm。

優選地，所述石墨硬氈與所述側加熱器的高度比為0.4～0.8：1。

本實用新型的有益效果為：本實用新型提出的一種多晶硅鑄錠爐的熱場結構，側護板與側加熱器之間設置有石墨硬氈，石墨硬氈連接于側護板，且石墨硬氈的位置對應于側加熱器的中部設置。通過石墨硬氈對側加熱器正對的硅液進行隔熱，能夠在不延長長晶時間的前提下，使長晶表面平整美觀，提高良率，同時裝置簡單，改造成本不高。

附圖說明

圖1是本實用新型提供的一種多晶硅鑄錠爐的熱場結構的示意圖。

圖2是本實用新型中側護板的示意圖。

圖中：1-隔熱籠；2-坩堝；3-側護板；31-凹槽；4-側加熱器；5-石墨硬氈。

具體實施方式

下面結合附圖并通過具體實施方式來進一步說明本實用新型的技術方案。

如圖1所示，一種多晶硅鑄錠爐的熱場結構，包括：隔熱籠1、設置于隔熱籠1內的坩堝2、設置于坩堝2的外側的側護板3、及設置于側護板3與隔熱籠1之間的側加熱器4；側護板3與側加熱器4之間設置有環形的石墨硬氈5，石墨硬氈5連接于側護板3，且石墨硬氈5的位置對應于側加熱器4的中部設置。

本實用新型提出的一種多晶硅鑄錠爐的熱場結構，主要針對多晶硅鑄錠過程中側部發熱量較大致使中后期固液界面較凸影響邊角長晶的問題進行改善，通過石墨硬氈5對側加熱器4正對的硅液進行隔熱，降低多晶硅鑄錠過程中中后期長晶固液界面的凸出程度，在不延長長晶時間的前提下，使長晶表面平整美觀，提高良率，并且裝置簡單，改造成本不高。

如圖2所示，作為本方案的一個實施例，側護板3的外側面開設有用于放置石墨硬氈5的凹槽31，凹槽31的深度略小于石墨硬氈5的厚度。

優選地，該多晶硅鑄錠爐的熱場結構中，石墨硬氈5的厚度為10mm～30mm，石墨硬氈5與側加熱器4的高度比為0.4～0.8：1。

以上結合具體實施例描述了本實用新型的技術原理。這些描述只是為了解釋本實用新型的原理，而不能以任何方式解釋為對本實用新型保護范圍的限制。基于此處的解釋，本領域的技術人員不需要付出創造性的勞動即可聯想到本實用新型的其它具體實施方式，這些方式都將落入本實用新型的保護范圍之內。