專利名稱：半導體裝置的制法的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種成型性及固化性、以及高溫高濕可靠性優異的半導體裝置的制法。
背景技術：
歷來，對于晶體管和IC、LSI等半導體元件，從保護其免受外部環境損害以及可實現半導體元件的處理(handling)這樣的觀點考慮，進行塑料封裝，例如，使用環氧樹脂組合物進行樹脂密封而半導體裝置化。就上述環氧樹脂組合物而言，為了加快在成型時的樹脂的固化反應，一般配合固化促進劑。作為上述固化促進劑，例如使用有胺類，咪唑系化合物、1，8_ 二氮雜雙環 [5. 4. 0]十一碳-7-烯等那樣的含氮雜環式化合物，膦系化合物，季銨化合物，鱗化合物，紳 (arsonium)化合物等。含有這些固化促進劑的環氧樹脂組合物，通常按照如下方式進行配合設計在成型時的高溫條件下快速發生反應并在短時間內結束固化。由此，存在有在成型時在上述環氧樹脂組合物完全地填充于成型模具之前引發固化反應的情況，在這樣的狀況下，招致樹脂粘度的上升、流動性的降低，存在有發生如下現象的情況連接半導體元件與引線框等外部端子的焊絲的變形或、鄰接的焊絲彼此間的接觸、或者焊絲的切斷這樣的不良現象，以及樹脂的未填充這樣的不良現象，成型性上的嚴重的不良現象。作為避免這樣的不良現象的方法，例如提出有使用微囊型固化促進劑來延遲固化反應的引發的方法(參照專利文獻1)。然而，在上述那樣的方法中存在有如下這樣的問題因固化反應的進行變遲緩而導致的生產率的大幅降低、或固化物自身的硬度以及強度變得不充分。鑒于這種情況，作為考慮上述那樣的固化性的問題、進一步避免成型性的不良現象的方法，提出有將咪唑系化合物用作固化促進劑來獲得良好的固化性以及流動性的方法(參照專利文獻2)。另一方面，作為半導體用密封樹脂的另一重要的要求特性，可列舉出高溫高濕可靠性。即，在高溫或者高濕下，環氧樹脂中所含的氯離子等離子性雜質變得易于移動，因此使半導體元件上的鋁布線的腐蝕容易進行，以往的半導體密封用環氧樹脂組合物在高溫高濕可靠性方面存在有困難點。導致上述高溫高濕可靠性不良的環氧樹脂中所含的氯離子等離子性雜質，起因于環氧樹脂的制造工序中的、由表鹵代醇導致的酚的縮水甘油醚化。以往的甲酚酚醛清漆型環氧樹脂在溶劑中的溶解性高，因而可水洗，可獲得更低氯的(高純度的)環氧樹脂，但是作為配合成分之一的為實現無機質填充劑的高填充化而使用的低粘度結晶性環氧樹脂在溶劑中的溶解性低，因此難以獲得高純度的環氧樹脂(參照專利文獻 3)。鑒于這種情況，為了捕捉導致高溫高濕可靠性不良的半導體密封用環氧樹脂組合物中所含的離子性雜質，提出有幾種使用含有Bi系無機化合物的離子捕獲劑、水滑石類化合物來捕捉陰離子性雜質的方法(參照專利文獻4 6)。然而，即使使用這些方法，也難以獲得令人充分滿足的高溫高濕可靠性的提高效果，另外環氧樹脂組合物粘度變高因而流動性降低，其結果，產生了對成型性造成不良影響這樣的問題。現有技術文獻專利文獻專利文獻1 日本特開平10-168164號公報專利文獻2 日本特開2005-16^43號公報專利文獻3 日本特開平2-187420號公報專利文獻4 日本特開平11-M0937號公報專利文獻5 日本特開平9-157497號公報專利文獻6 日本特開平9-169830號公報

發明內容
發明要解決的課題本發明鑒于這樣的情形而開發，其目的在于提供一種不降低成型性及固化性、并且高溫高濕可靠性優異的半導體裝置的制法。用于解決問題的方案為了實現上述目的，本發明的半導體裝置的制法采用如下這樣的方案一種使用含有下述的(A) (D)成分的半導體密封用環氧樹脂組合物對半導體元件進行樹脂密封從而制造半導體裝置的方法，其中，在樹脂密封之后施加加熱處理工序，此加熱處理在下述 (χ)所示的條件下進行。(A)下述的通式⑴所示的環氧樹脂。[化學式1]
權利要求
1.一種半導體裝置的制法，其特征在于，其為使用含有下述的(A) (D)成分的半導體密封用環氧樹脂組合物對半導體元件進行樹脂密封從而制造半導體裝置的方法，在樹脂密封之后施加加熱處理工序，此加熱處理在下述(χ)所示的條件下進行，(A)下述的通式(1)所示的環氧樹脂，[化學式1]
2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制法，其中，作為上述(C)成分的胺系固化促進劑的含量相對于作為(B)成分的酚醛樹脂100重量份為1 20重量份。
3.根據權利要求1或者2所述的半導體裝置的制法，其中，作為上述(C)成分的胺系固化促進劑為下述的通式(2)所示的咪唑化合物，[化學式2]
全文摘要
提供半導體裝置的制法，其為不會降低成型性及固化性、高溫高濕可靠性優異的半導體裝置的制法，使用含下述(A)～(D)成分的半導體密封用環氧樹脂組合物對半導體元件樹脂密封，在樹脂密封后施加加熱處理工序，此加熱處理在下述(x)所示條件下進行。(A)下述通式(1)所示的環氧樹脂。上述式(1)中，X為單鍵、-CH2-、-S-或-O-，R1～R4為-H或-CH3且相互可相同也可不同，(B)酚醛樹脂。(C)胺系固化促進劑。(D)無機質填充劑。(x)由熱處理時間(t分鐘)與熱處理溫度(T℃)的關系滿足t≥3.3×10-5exp(2871/T)的區域構成的熱處理條件，其中，185℃≤熱處理溫度T℃≤300℃。
文檔編號C08G59/24GK102468192SQ20111034862
公開日2012年5月23日 申請日期2011年11月7日 優先權日2010年11月10日
發明者保手濱洋幸, 巖重朝仁, 市川智昭, 杉本直哉, 秋月伸也, 襖田光昭 申請人:日東電工株式會社