本發(fā)明屬于納米復合材料的制備領域,具體涉及一種聚酰亞胺納米復合材料的制備方法。
背景技術:
聚酰亞胺(簡稱PI)是一類耐熱、高強、輕質、低介電常數(shù)的特種工程材料,廣泛應用于航空航天、電子電工及能源轉換等領域,通常,聚酰亞胺的加工溫度在300℃以上,因此,聚酰亞胺所使用的填料需要更高的耐熱溫度,否則制備的聚酰亞胺納米材料難以滿足耐熱性的要求。
水滑石(簡稱LDH)是一類陰離子型層狀雙金屬氫氧化物(LDH),其主體層板厚度為0.48nm,通常由2種金屬氫氧化物構成,層板呈正電性,縱向有序排列形成三維晶體結構,分布于層板間的平衡陰離子可交換為具有功能性的有機陰離子,有機陰離子的修飾可使LDH 層間距增大,并由親水性轉變?yōu)槭杷浴S袡C修飾的LDH 也可剝離為高比表面積的二維納米片層,分散于聚合物基體中,構建納米復合材料,從而提升復合材料的耐熱性和機械性能,或賦予復合材料阻隔性、阻燃性、耐磨性、光學、磁性和電性能等多種功能。聚合物納米復合材料的性能在很大程度上依賴于LDH 層板的剝離分散程度,但LDH 層板表面電荷密度較高,層板間具有較強的靜電力,比蒙脫土等其它層狀粘土更難以剝離。目前,能夠實現(xiàn)LDH 剝離的有機插層劑主要為陰離子表面活性劑, 如十二烷基硫酸鈉和十二烷基苯磺酸鈉等,此類表面活性劑熱穩(wěn)定性低,在納米復合材料的高溫加工過程中易分解。
氟碳表面活性劑是一類高表面活性、高疏水性、高化學惰性及高熱穩(wěn)定性的表面活性劑。
技術實現(xiàn)要素:
本發(fā)明提供一種聚酰亞胺納米復合材料的制備方法,制備得到的納米復合材料具有較好的氣體阻隔性和熱性能。
一種聚酰亞胺納米復合材料的制備方法,包含以下步驟:
(1)全氟辛基磺酸根插層的水滑石的制備:將鎂鋁水滑石和全氟辛基磺酸鉀混合,加入到去離子水中, 攪拌分散均勻,加入硝酸維持體系pH 值在4-5 之間,室溫攪拌反應72 h,將所得產(chǎn)物過濾并用去離子水洗滌至pH=6.5-7.5,真空干燥后,即得到全氟辛基磺酸根插層的水滑石;
(2)制備全氟辛基磺酸根插層的水滑石和聚酰亞胺的納米復合材料:將全氟辛基磺酸根插層的水滑石和二氨基二苯醚加入N,N’-二甲基乙酰胺中, 超聲分散;在0 ℃,惰性氣體保護和攪拌條件下,加入均苯四甲酸二酐,反應24 h, 得到聚酰胺酸溶液;將聚酰胺酸溶液涂布于玻璃板上,70℃干燥6h后,在100-300℃加熱1h,冷卻至室溫,將形成的薄膜從玻璃板上剝離,即得到聚酰亞胺納米復合材料。
優(yōu)選地,上述步驟(1)中,鎂鋁水滑石、全氟辛基磺酸鉀和去離子水的質量比為1:1:200。
優(yōu)選地,上述步驟(1)中,真空干燥的條件為:溫度60℃,時間12h。
優(yōu)選地,上述步驟(2)中,全氟辛基磺酸根插層的水滑石、二氨基二苯醚、N,N’-二甲基乙酰胺、均苯四甲酸二酐的質量比為1:10:120:11。
優(yōu)選地,上述步驟(2)中,超聲分散的條件為:功率200W,時間3h。
本發(fā)明的優(yōu)點:
本發(fā)明提供的一種聚酰亞胺納米復合材料的制備方法,操作簡單,制備得到的納米復合材料氣體阻隔性和熱性能優(yōu)異,熱降解溫度為574℃,耐熱性提高。
具體實施方式
實施例1
一種聚酰亞胺納米復合材料的制備方法,包含以下步驟:
(1)全氟辛基磺酸根插層的水滑石的制備:將鎂鋁水滑石和全氟辛基磺酸鉀混合,加入到去離子水中, 攪拌分散均勻,加入硝酸維持體系pH 值在4 之間,室溫攪拌反應72 h,將所得產(chǎn)物過濾并用去離子水洗滌至pH=6.5,溫度60℃下真空干燥12h,即得到全氟辛基磺酸根插層的水滑石,其中,鎂鋁水滑石、全氟辛基磺酸鉀和去離子水的質量比為1:1:200;
(2)制備全氟辛基磺酸根插層的水滑石和聚酰亞胺的納米復合材料:將全氟辛基磺酸根插層的水滑石和二氨基二苯醚加入N,N’-二甲基乙酰胺中, 功率200W,時間3h的條件下超聲分散;在0 ℃,惰性氣體保護和攪拌條件下,加入均苯四甲酸二酐,反應24 h, 得到聚酰胺酸溶液;將聚酰胺酸溶液涂布于玻璃板上,70℃干燥6h后,在300℃加熱1h,冷卻至室溫,將形成的薄膜從玻璃板上剝離,即得到聚酰亞胺納米復合材料,其中,全氟辛基磺酸根插層的水滑石、二氨基二苯醚、N,N’-二甲基乙酰胺、均苯四甲酸二酐的質量比為1:10:120:11。
實施例2
一種聚酰亞胺納米復合材料的制備方法,包含以下步驟:
(1)全氟辛基磺酸根插層的水滑石的制備:將鎂鋁水滑石和全氟辛基磺酸鉀混合,加入到去離子水中, 攪拌分散均勻,加入硝酸維持體系pH 值在5之間,室溫攪拌反應72 h,將所得產(chǎn)物過濾并用去離子水洗滌至pH=7.5,溫度60℃下真空干燥12h,即得到全氟辛基磺酸根插層的水滑石,其中,鎂鋁水滑石、全氟辛基磺酸鉀和去離子水的質量比為1:1:200;
(2)制備全氟辛基磺酸根插層的水滑石和聚酰亞胺的納米復合材料:將全氟辛基磺酸根插層的水滑石和二氨基二苯醚加入N,N’-二甲基乙酰胺中, 功率200W,時間3h的條件下超聲分散;在0 ℃,惰性氣體保護和攪拌條件下,加入均苯四甲酸二酐,反應24 h, 得到聚酰胺酸溶液;將聚酰胺酸溶液涂布于玻璃板上,70℃干燥6h后,在100℃加熱1h,冷卻至室溫,將形成的薄膜從玻璃板上剝離,即得到聚酰亞胺納米復合材料,其中,全氟辛基磺酸根插層的水滑石、二氨基二苯醚、N,N’-二甲基乙酰胺、均苯四甲酸二酐的質量比為1:10:120:11。