技術(shù)總結(jié)
一種三層結(jié)構(gòu)的聚合物基介電儲能納米復(fù)合材料及其制備方法。本發(fā)明涉及電子復(fù)合材料及儲能材料制備技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種三層結(jié)構(gòu)的聚合物基介電儲能納米復(fù)合材料及其制備方法。本發(fā)明的目的在于提高聚合物基體介電常數(shù)的同時保持高的擊穿場強(qiáng)和低的介電損耗。三層結(jié)構(gòu)的聚合物基介電儲能納米復(fù)合材料由兩層KTN/聚合物復(fù)合薄膜和一層高分子聚合物薄膜組成；方法：一、制備KTN/聚合物混合溶液；二、制備聚合物溶液；三、涂膜；四、成膜。本發(fā)明用于制備三層結(jié)構(gòu)的聚合物基介電儲能納米復(fù)合材料。

技術(shù)研發(fā)人員：楊文龍;陳高汝;林家齊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：哈爾濱理工大學(xué)
文檔號碼：201611247610
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.29
技術(shù)公布日：2017.05.10