本發明屬于功能納米填料的改性和制備,涉及一種利用固體輻照實現mxene表面改性的方法,具體是一種利用固體輻照接枝改性技術一步實現mxene表面功能改性的制備方法。
背景技術:
1、二維過渡金屬碳化物、氮化物或碳氮化物,即mxene材料,是由層狀材料max相刻蝕去除a元素后,得到的一類新型二維納米材料。其中,mxene的化學式可表示為mn+1xntx,其中m代表前過渡金屬元素(sc、ti、v、cr、zr、nb、mo?等),x代表c或/和n元素,tx代表表面端基(—o、—oh、—f等)。由于max相組成和結構的多樣性,由其衍生的mxene材料也成為二維材料中最為龐大的一個家族,理論預測有100多種,目前已合成的有40多種。
2、得益于層狀結構和獨特的性能,mxene材料在電極材料、膜分離材料、微波屏蔽與吸收材料、傳感器材料、納米發電機等領域表現出巨大的應用潛力。但是,在實際的研究和應用過程中,mxene材料的制備和應用仍然存在很多問題和難點。特別地,受表面官能團影響,mxene材料在氧氣/水環境中易發生氧化降解反應,生成tio2,使材料失去原有的特性。因此,在mxene材料的化學改性過程中,溶液體系均需要進行脫氣處理,雖然可以部分減緩氧化反應,但會使得反應條件和反應步驟變得復雜,且仍然無法避免mxene材料自身的氧化降解[chemistry?of?materials,?2017.?29(11):?4848-4856]。如何盡量避免ti3c2tx納米片的氧化降解,并保留材料的本征特性,一直是mxene材料制備和功能化改性的核心問題和難點。
3、鑒于此,若能夠開發一種有效的mxene材料改性方法,減少材料自身的氧化降解,對mxene材料在功能材料領域的應用具有十分重要的意義。
技術實現思路
1、本發明的第一個目的在于解決上述提到的不足,提供一種簡單高效的mxene材料改性方法。
2、本發明借助固體輻照法和有機鹽實現mxene材料原位改性的方法,包括以下步驟:
3、步驟(1)、將層狀材料max相、刻蝕劑和去離子水混合并攪拌,獲得溶液共混產物;
4、進一步地,層狀材料max相與刻蝕劑的質量比為100:1.0~50,去離子水與刻蝕劑的質量比為100:10~10。
5、進一步地,攪拌時間為12~24h;所述的磁子攪拌過程中攪拌溫度通常設置在100℃以下,避免去離子水大量揮發。
6、進一步地,所述層狀材料max相為ti3sic2、ti2alc、ti3alcn、v2alc、ti3alc2、ti3znc2、ti2znc、ti2znn和v2znc中的一種;
7、進一步地,所述刻蝕劑為氟化氫、hcl/lif混合液、nahf2、khf2、nh4hf2中的一種;
8、步驟(2)、將上述溶液共混產物離心處理得到刻蝕產物,之后將刻蝕產物加入到離子液體(il)溶液中,常溫攪拌12-48?h進行插層,離心處理后得到離子液體插層產物;
9、所述的離子液體為含不飽和雙鍵的離子液體;優選地,所述含不飽和雙鍵的離子液體為咪唑類離子液體;其中陽離子結構式如下:
10、
11、其中r1為c2~c23的烷基或含c2~c24烯基;r2為含c2~c24烯基;所述的離子液體中的陰離子為pf6-、bf4-、br-、cl-、i-、no3-、cf3co2-、ch3coo-或(cf3so3)2n-;
12、其中,所述的離子液體的質量百分濃度為0.01~50%;所述離子液體的溶劑為去離子水、甲醇、乙醇、n,n-二甲基甲酰胺、三氯甲烷中的一種。
13、步驟(3)、將上述所得離子液體插層產物放置于聚乙烯自封袋中進行輻射照射,得到輻照產物;
14、所述的輻照為電子束輻照,實驗條件為常溫,空氣或氮氣環境;
15、所述的輻照吸收劑量為1~500?kgy。
16、步驟(4)、將上述輻照產物溶劑溶解和離心處理,得到改性mxene材料。
17、所述溶劑為去離子水、甲醇、乙醇、三氯甲烷中的一種。
18、本發明的第二個目的是提供一種固體輻照實現表面改性的mxene材料,采用上述方法制備得到。
19、與現有技術相比,本發明的有益效果是:
20、(1)?在mxene材料的化學改性過程中,材料在氧氣/水環境中極易發生氧化降解反應,生成tio2,使材料失去原有的結構和特性。本發明無需進行脫氣處理,通過離子插層得到有機鹽改性的mxene插層固體材料,之后離心得到插層固體粉末,并在干燥粉末狀態下輻照一步實現mxene表面的功能改性,避免mxene材料在溶劑介質中的氧化和降解,排除了溶劑介質的干擾,能夠很好保證材料自身的結構和特性,為后續mxene復合材料的制備和應用提供便利。
21、(2)?在傳統制備方法中,mxene材料表面改性存在接枝效率低等問題,大大限制了mxene材料的應用。本發明借助mxene層間(表面)含雙鍵離子液體的反應性,在電子束作用下實現原位化學鍵接枝,表現出高的接枝效率和改性劑利用率,改性劑利用率和接枝率接近百分之百,具有很好的原子經濟性。
1.一種利用固體輻照實現mxene表面改性的方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,步驟(1)中層狀材料max相與刻蝕劑的質量比為100:1.0~50。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,步驟(1)中去離子水與刻蝕劑的質量比為100:10~10。
4.根據權利要求1或2所述的方法,其特征在于,步驟(1)中所述層狀材料max相為ti3sic2、ti2alc、ti3alcn、v2alc、ti3alc2、ti3znc2、ti2znc、ti2znn或v2znc中的一種。
5.根據權利要求1或3所述的方法,其特征在于,步驟(1)中所述刻蝕劑為氟化氫、hcl/lif混合液、nahf2、khf2、nh4hf2中的一種。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,步驟(1)中攪拌時間為12~14?h,攪拌溫度低于100?℃。
7.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,步驟(2)中所述含不飽和雙鍵的離子液體為咪唑類離子液體,其陽離子結構式如下:
8.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,步驟(3)中輻射照射為電子束輻照;輻射照射條件為常溫,空氣或氮氣環境。
9.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,步驟(3)中輻射照射的吸收劑量為1~500kgy。
10.一種利用固體輻照實現表面改性的mxene材料,采用權利要求1-9任一項所述方法得到。