本發明涉及鈣鈦礦量子點材料
技術領域：
，尤其涉及一種有機無機雜化鈣鈦礦量子點及其制備方法。
背景技術：
：量子點又可稱為納米晶，是由有限數目的原子組成，三個維度尺寸均在納米數量級的原子和分子的集合體，其內部電子在各方向上的運動都受到局限，所以其量子限域效應特別顯著?；诹孔有?，量子點在太陽能電池、發光器件和光學生物標記等領域具有廣泛的應用前景。在種類繁多的量子點中，基于鈣鈦礦結構的量子點以其優異的發光性能，如發光效率高和發光譜線窄，受到了人們極大的關注。鈣鈦礦結構呈立方體晶形，其中，全無機的CsPbX3(X＝Cl,Br,I)和有機-無機雜化的CH3NH3PbX3(X＝Cl,Br,I)是當前重點研究的鈣鈦礦量子點。有機無機雜化鈣鈦礦量子點的粒徑小于10nm，其發射波長可以通過鹵素的摻雜以及量子點尺寸進行調控。有機無機雜化鈣鈦礦量子點的發射波長可覆蓋整個可見光區域，且半峰寬窄(FWHM)，約為20～50nm，其溶液中熒光量子產率可達90％以上。有機無機雜化鈣鈦礦量子點具有優良的光學性能，使其在顯示與發光領域備受關注。目前合成有機無機雜化鈣鈦礦量子點材料主要采用配體輔助再沉淀法，即通過化合物在不同溶劑中溶解度不同制備納米晶，同時采用表面配體控制納米晶的尺寸大小和形貌，從而得到發射波長可控的量子點材料。Brightlyluminescentandcolor-tunablecolloidalCH3NH3PbX3(X＝Br,I,Cl)quantumdots:potentialalternativesfordisplaytechnology(ZhangF,ZhongH,ChenC,etal.AcsNano,2015,9(4):4533-4542.)文章中，首次報道采用配體輔助再沉淀法，以正辛胺作為限制配體合成有機無機雜化鈣鈦礦量子點，其中雜化鈣鈦礦結構的通式為CH3NH3PbX3(X＝Cl,Br,I)。這種方法具體包括：首先將PbBr2(溴化鉛)、CH3NH3Br(甲基溴化銨)、正辛胺、油酸按一定摩爾比例混溶于DMF(N,N-二甲基酰胺)中；將混合溶液逐滴滴入劇烈攪拌的甲苯中，最后以7000rpm/min的速度高速離心，獲得分散于上清液的鈣鈦礦量子點材料。其中，正辛胺起到表面修飾，提高熒光量子效率以及控制尺寸的作用；采用油酸為防止納米顆粒團聚。但是，通過上述文獻報道的方法制得的量子點穩定性較差，遇水易分解，這大大限制了有機無機雜化鈣鈦礦量子點的產業化應用。技術實現要素：有鑒于此，本申請提供一種有機無機雜化鈣鈦礦量子點及其制備方法，本發明提供的有機無機雜化鈣鈦礦量子點具有較高的穩定性。本發明提供一種有機無機雜化鈣鈦礦量子點，其以帶有端氨基的硅氧烷為配體，采用配體輔助再沉淀法制成；所述有機無機雜化鈣鈦礦量子點包括內核，所述內核的通式為CH3NH3AX3或(C6H5NH3)2AX4，其中，A選自過渡金屬元素，X選自鹵素；所述有機無機雜化鈣鈦礦量子點的表面有二氧化硅層。優選地，所述配體為3-氨基丙基三甲氧基硅烷和3-氨基丙基三乙基硅烷中的一種或多種。優選地，A為Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Cu或Mn；X為Cl、Br或I。優選地，所述有機無機雜化鈣鈦礦量子點中，A、X、Si與O的原子百分比的比例為(15～17)：(40～50)：(10～11)：(20～30)。本發明提供一種有機無機雜化鈣鈦礦量子點的制備方法，包括以下步驟：以帶有端氨基的硅氧烷為配體，使其在第一溶劑中與過渡金屬鹵化物和有機胺類化合物混合，形成前驅液；所述第一溶劑為DMF、二甲基亞砜、四氫呋喃、乙腈或丙酮；所述有機胺類化合物為甲基鹵化銨或苯乙胺鹵鹽；將所述前驅液與第二溶劑混合，在非密閉狀態下產生沉淀，得到表面有二氧化硅層的有機無機雜化鈣鈦礦量子點；所述第二溶劑為甲苯、氯仿、正己烷、環己烷、乙酸乙酯或乙醚。優選地，所述帶有端氨基的硅氧烷為3-氨基丙基三甲氧基硅烷和3-氨基丙基三乙基硅烷中的一種或多種；所述過渡金屬鹵化物為溴化鉛或碘化鉛。優選地，所述有機胺類化合物、過渡金屬鹵化物與帶有端氨基的硅氧烷的摩爾比為(1.0～1.2)：0.8：(0.2～4.0)。優選地，在非密閉狀態下產生沉淀后，通過低速離心，經烘干得到固體量子點材料。優選地，得到表面有二氧化硅層的有機無機雜化鈣鈦礦量子點后，還包括：將所述表面有二氧化硅層的有機無機雜化鈣鈦礦量子點與硅氧烷混合，在非密閉狀態下進行反應，得到包覆有二氧化硅的有機無機雜化鈣鈦礦量子點。優選地，所述反應在醇存在的條件下進行，然后通過低速離心，得到包覆有二氧化硅的有機無機雜化鈣鈦礦量子點。與現有技術相比，本發明提供的有機無機雜化鈣鈦礦量子點以帶有端氨基的硅氧烷為配體，采用配體輔助再沉淀法制成；所述有機無機雜化鈣鈦礦量子點的表面有二氧化硅層，量子點內核的通式為：CH3NH3AX3或(C6H5NH3)2AX4。本發明采用帶有端氨基的硅氧烷作為配體，能更好地控制鈣鈦礦量子點的尺寸，且發光峰位不會發生移動，獲得穩定的發光性能。同時，本發明通過帶有端氨基的硅氧烷，采用配體輔助再沉淀法，在鈣鈦礦納米顆粒表面形成一層二氧化硅，能提高鈣鈦礦納米材料的水氧穩定性，從而提高其在實際應用中的可行性。進一步地，本發明在合成鈣鈦礦量子點過程中，無需使用油酸等一些長鏈的試劑，而通過烘干即可獲得固體粉末狀鈣鈦礦量子點材料，產率高，利于鈣鈦礦量子點材料的實際應用。進一步地，本發明以雜化鈣鈦礦納米顆粒表面的這層二氧化硅為基礎，再對其進行表面的二氧化硅的修飾，即在外層生長一層致密的二氧化硅殼，能將鈣鈦礦進行更好地保護，有效防止水分子等外界因素進入而破壞鈣鈦礦結構，大大提高其穩定性。附圖說明圖1為實施例1所得量子點材料的TEM結果；圖2為實施例1所得量子點材料的元素分析圖；圖3為實施例1～2所得量子點溶液樣品的發射光譜；圖4為實施例1～2所得固體量子點材料日光燈下的圖像；圖5為實施例1～2所得固體量子點材料紫外燈(365nm)下的圖像；圖6為實施例3和比較例1所得量子點材料的發射光譜；圖7為實施例1和比較例1所得量子點材料的穩定性對比結果；圖8為實施例4所得溶液樣品在日光燈下的穩定性效果圖；圖9為實施例4所得溶液樣品在紫外燈下的穩定性效果圖。具體實施方式下面對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。本發明提供了一種有機無機雜化鈣鈦礦量子點，其以帶有端氨基的硅氧烷為配體，采用配體輔助再沉淀法制成；所述有機無機雜化鈣鈦礦量子點包括內核，所述內核的通式為CH3NH3AX3或(C6H5NH3)2AX4，其中，A選自過渡金屬元素，X選自鹵素；所述有機無機雜化鈣鈦礦量子點的表面有二氧化硅層。針對鈣鈦礦量子點穩定性差的問題，本發明提供了一種水氧穩定性較好的有機無機雜化鈣鈦礦量子點，利于有機無機雜化鈣鈦礦量子點的產業化應用。本發明采用配體輔助再沉淀法，制備得到有機無機雜化鈣鈦礦量子點。在本發明中，所述有機無機雜化鈣鈦礦量子點包括內核，所述內核為雜化鈣鈦礦結構，其通式可為CH3NH3AX3或(C6H5NH3)2AX4，優選為CH3NH3AX3。其中，A選自過渡金屬元素，優選為Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Cu或Mn，更優選為Pb(鉛)。X選自鹵素，優選為Cl、Br或I，更優選為Br。在本發明的實施例中，所述有機無機雜化鈣鈦礦量子點的內核可為CH3NH3PbX3,X＝Cl、Br或I。在本發明的一些優選實施例中，所述有機無機雜化鈣鈦礦量子點的內核為CH3NH3PbBr3。本發明以帶有端氨基的硅氧烷為配體合成雜化鈣鈦礦量子點，所述有機無機雜化鈣鈦礦量子點的表面有二氧化硅層。所述配體可為帶有端氨基的烷基硅氧烷，優選為3-氨基丙基三甲氧基硅烷(APTS)和3-氨基丙基三乙基硅烷(APTES)中的一種或多種，更優選為3-氨基丙基三甲氧基硅烷(APTS)。在本發明中，所述帶有端氨基的硅氧烷中，帶正電的氨基能有效地與鈣鈦礦顆粒表面帶負電的鹵素進行“配位”，填補表面的缺陷，提高納米顆粒的發光效率。同時，帶有硅氧烷基的一端可與空氣中的水進行水解，通過反應形成二氧化硅層，不但能有效限制納米顆粒的生長、控制其尺寸，而且能降低外界水等破壞因子的影響，提高穩定性。本發明通過一系列的帶有端氨基的硅氧烷，能得到發射光譜呈現單一性，發射峰較窄，且產率較高的鈣鈦礦納米顆粒。在本發明的一些實施例中，所述有機無機雜化鈣鈦礦量子點中，A、X、Si與O的原子百分比的比例為(15～17)：(40～50)：(10～11)：(20～30)。在本發明的一些具體實施例中，Pb、Br、Si與O的原子百分比的比例為16.25：44.77：10.46：28.52。本發明優選在鈣鈦礦量子點表面所形成的一層二氧化硅的基礎上，繼續生長二氧化硅，形成致密的二氧化硅殼層，實現二氧化硅包覆鈣鈦礦量子點，有效地隔離外界水等破壞因子，顯著提高穩定性。在本發明的實施例中，所述有機無機雜化鈣鈦礦量子點可為固體粉末。本發明實施例粉末狀態的鈣鈦礦量子點材料的發光半峰寬小于30nm，固體粉末熒光量子效率大于50％。相應地，本發明還提供了一種有機無機雜化鈣鈦礦量子點的制備方法，包括以下步驟：以帶有端氨基的硅氧烷為配體，使其在第一溶劑中與過渡金屬鹵化物和有機胺類化合物混合，形成前驅液；所述第一溶劑為DMF、二甲基亞砜、四氫呋喃、乙腈或丙酮；所述有機胺類化合物為甲基鹵化銨或苯乙胺鹵鹽；將所述前驅液與第二溶劑混合，在非密閉狀態下產生沉淀，得到表面有二氧化硅層的有機無機雜化鈣鈦礦量子點；所述第二溶劑為甲苯、氯仿、正己烷、環己烷、乙酸乙酯或乙醚。通過本發明實施例優化的生產工藝等內容，能制備得到發射光譜呈現單一性，發射峰較窄，發光性能穩定、優良，且水氧穩定性高的雜化鈣鈦礦量子點材料。并且，本發明方法簡單，產率高。本發明實施例采用帶有端氨基的硅氧烷作為配體，將其與有機胺類化合物和過渡金屬鹵化物溶于第一溶劑中，得到混合溶液即前驅液。由于鏈長的不同對納米顆粒生長過程的影響也不同，不同鏈長帶有氨基的烷基鏈合成的納米顆粒發光受到很大影響，如由于納米顆粒尺寸不均導致的發射光譜出現多峰，不同時間段納米顆粒出現粒徑增長，發射光譜發生移動等一系列不穩定的因素。本發明以帶有端氨基的硅氧烷為配體合成雜化鈣鈦礦量子點，能得到發光穩定且優良的納米顆粒。所述帶有端氨基的硅氧烷可為帶有端氨基的烷基硅氧烷，優選為3-氨基丙基三甲氧基硅烷(APTS)和3-氨基丙基三乙基硅烷(APTES)中的一種或多種，更優選為3-氨基丙基三甲氧基硅烷(APTS)。在本發明中，所述有機胺類化合物為甲基鹵化銨或苯乙胺鹵鹽，優選為甲基鹵化銨。其中，甲基鹵化銨可表示為CH3NH3X，X＝Cl，Br，I，優選為甲基溴化銨(CH3NH3Br)。所述過渡金屬鹵化物可表示為AX2，過渡金屬A優選為Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Cu或Mn，更優選為Pb(鉛)。X選自鹵素，優選為Cl、Br或I，更優選為Br。在本發明的實施例中，所述過渡金屬鹵化物可為溴化鉛(PbBr2)或碘化鉛。本發明采用配體輔助再沉淀法合成雜化鈣鈦礦量子點，其中，所述第一溶劑為N,N-二甲基酰胺(DMF)、二甲基亞砜、四氫呋喃、乙腈或丙酮，優選為DMF。本發明實施例按一定摩爾比例，充分混合形成前驅液。其中，所述有機胺類化合物、過渡金屬鹵化物與帶有端氨基的硅氧烷的摩爾比優選為(1.0～1.2)：0.8：(0.2～4.0)，更優選為1：0.8：(1.0～2.0)。得到混合溶液后，本發明實施例可將其注入第二溶劑中，在非密閉狀態下產生沉淀，即形成有機無機雜化鈣鈦礦量子點。在本發明中，所述第二溶劑為非極性溶劑，如甲苯、氯仿、正己烷、環己烷、乙酸乙酯或乙醚等，優選為甲苯。本發明實施例的整個合成過程可在通風櫥中操作；在非密閉狀態下，空氣中的水會參與硅氧烷的水解，在雜化鈣鈦礦納米顆粒表面形成一層二氧化硅，能提高鈣鈦礦納米材料的水氧穩定性。本發明采用帶有端氨基的硅氧烷作為配體，在鈣鈦礦納米顆粒表面所形成的二氧化硅層能有效地避免粒徑尺寸的增長，從而更好地控制鈣鈦礦量子點的尺寸。本發明優選攪拌產生沉淀，通過低速離心如3000～5000rpm/min將沉淀離心，最后烘干，得到固體量子點材料。其中，所述低速離心的時間可為15min～30min?，F有的合成鈣鈦礦量子點過程采用高速離心取上清液，由于鈣鈦礦在非極性溶劑中是一個自組裝的過程，且顆粒尺寸生長速率較快，所以傳統的配體很難有效的控制量子點的尺寸，最后采用高速離心的方法，將大批量大尺寸的鈣鈦礦離心掉，最終會導致性能優良的量子點產量較低。并且，鈣鈦礦量子點粒徑尺寸在10nm以內，通過離心很難將其從甲苯中分離出來，這大大限制合成材料的應用；而通過旋蒸等方法將甲苯等非極性溶劑蒸干，工藝復雜且無法實現大批量生產。此外，現有技術采用帶有氨基的長鏈烷基作為配體，離心得到分散于非極性溶劑中的納米顆粒易出現分解現象，所合成的量子點穩定性差；油酸作為抑制量子點團聚，同樣大大抑制量子點材料的提取。本發明技術針對其穩定性、產率以及生產工藝等方面進行優化：本發明引入二氧化硅層，使鈣鈦礦納米材料的穩定性提高。本發明實施例通過采用帶有端氨基的硅氧烷，將沉淀通過低速離心，進行烘干，無需使用油酸等一些長鏈的試劑，可獲得固體粉末即為鈣鈦礦量子點材料，產率可超過70％；固體粉末熒光量子效率大于50％，粉末狀態發光半峰寬小于30nm，性能較好，方法簡單，利于進行商業化生產應用。在本發明的優選實施例中，得到表面有二氧化硅層的有機無機雜化鈣鈦礦量子點后，還包括：將所述表面有二氧化硅層的有機無機雜化鈣鈦礦量子點與硅氧烷混合，在非密閉狀態下進行反應，得到包覆有二氧化硅的有機無機雜化鈣鈦礦量子點。本發明先采用帶有端氨基的硅氧烷作為配體，在獲得發光性能穩定的鈣鈦礦納米顆粒的同時，引入二氧化硅層，在此基礎上引入硅氧烷，使二氧化硅殼層生長，殼層包覆鈣鈦礦量子點，能顯著提高鈣鈦礦納米顆粒的穩定性，大大提高鈣鈦礦納米材料在實際應用中的可行性。本發明實施例優選引入硅氧烷進行進一步的修飾，可在分散上述鈣鈦礦量子點的溶液如四氫呋喃(THF)中，加入硅氧烷在非密閉狀態下進行反應，形成致密的、較厚的二氧化硅殼層，實現二氧化硅包覆鈣鈦礦量子點，有效隔離外界水等破壞因子，提高穩定性。其中，所述硅氧烷可為TMOS(四甲氧基硅烷)或者TEOS(四乙氧基硅烷)等物質。所述反應優選在醇存在的條件下進行，所述醇如乙醇、甲醇等，可促進硅氧烷水解。然后，本發明實施例通過低速離心，得到包覆有二氧化硅的有機無機雜化鈣鈦礦量子點。所述低速離心的速度如3000～5000rpm/min；所述低速離心的時間可為15min～30min。此外，本發明也可直接采用醇，如在包有APTS的量子點溶液中加入乙醇，目的是為了能加速硅氧烷的水解。得到有機無機雜化鈣鈦礦量子點材料后，本發明對其性能進行檢測。所得材料的固體粉末熒光量子產率通過F-7000光譜儀，采用積分球，450nm光作為激發光源檢測，結果顯示，其絕對熒光量子產率超過50％。本發明檢測溶液中材料樣品和粉末狀態的發射光譜，結果顯示，其發射光譜呈現單一性，發射峰較窄。粉末狀態發光半峰寬小于30nm，性能較好。本發明實施例通過將攪拌一段時間的鈣鈦礦溶液離心后與乙醇溶液進行混溶，一方面可將離心后沉淀中的甲苯等非極性溶劑洗掉，一方面可體現量子點材料的穩定性。與現有技術發生快速分解相比，本發明所得量子點材料未發生鈣鈦礦的分解，說明在鈣鈦礦量子點表面的硅氧烷基發生水解作用，形成二氧化硅層，相對地提高了鈣鈦礦納米材料的穩定性。為了進一步理解本申請，下面結合實施例對本申請提供的有機無機雜化鈣鈦礦量子點及其制備方法進行具體地描述。以下實施例所用的原料均為市售產品，整個合成過程在通風櫥中操作。實施例1將1mmolPbBr2、0.8mmolCH3NH3Br和1.38mmolAPTS混溶于DMF中，將所得混合溶液注入快速攪拌的甲苯中，產生沉淀，得到有機無機雜化鈣鈦礦量子點的溶液樣品。將所述溶液樣品攪拌2h，然后離心(3000rpm，15min)，加入乙醇攪拌離心(3000rpm，15min)后，于50℃烘干，將干燥的固體進行研磨，得到黃色粉末460mg，即為有機無機雜化鈣鈦礦量子點材料，其內核為CH3NH3PbBr3。通過計算產率公式①進行計算，得到最后產率為65％；產率＝產出總質量/投入總質量×100％公式①。將實施例1中得到的鈣鈦礦量子點溶液樣品進行透射電鏡(TEM)分析，結果參見圖1，圖1為實施例1所得量子點材料的TEM結果。從圖1可見，本發明所得量子點材料尺寸均一，粒徑為3～4nm。將所得粉末狀材料進行元素分析(EDS)，結果參見圖2和表1，圖2為實施例1所得量子點材料的元素分析圖，表1為實施例1所得量子點材料的元素分析結果。表1實施例1所得量子點材料的元素分析結果元素重量百分比原子百分比OK5.9328.52SiK3.8210.46BrL46.5044.77PbM43.7516.25總量100.00100.00本發明實施例1進行5次重復試驗，并檢測所述溶液樣品的發射光譜，如圖3右側曲線所示，圖3為實施例1～2所得量子點溶液樣品的發射光譜。從圖3中右側曲線可得，其發射波長～524nm，發射峰較窄，重復實驗樣品的發射峰相差在2nm以內。所得固體狀材料的情況參見圖4和圖5，圖4為實施例1～2所得固體量子點材料日光燈下的圖像，圖5為實施例1～2所得固體量子點材料紫外燈(365nm)下的圖像。圖4中，2-6號為實施例1烘干后樣品，1號為實施例2烘干后樣品。圖5中，2號為實施例1烘干后樣品，1號為實施例2烘干后樣品。所得材料的固體粉末熒光量子產率通過F-7000光譜儀，采用積分球，450nm光作為激發光源檢測，結果顯示，其絕對熒光量子產率為56.1％，超過50％；粉末狀態發光半峰寬為28.5nm，小于30nm。實施例2將1mmolPbBr2、0.8mmolCH3NH3Br和2.0mmolAPTS混溶于DMF中，將所得混合溶液注入快速攪拌的甲苯中，產生沉淀，得到有機無機雜化鈣鈦礦量子點的溶液樣品。按照實施例1中相同方法，依次離心，烘干，烘干后得到黃綠色固體，如圖4中左側第一個樣品，研磨，得到412.6mg固體粉末狀的有機無機雜化鈣鈦礦量子點材料。所述溶液樣品的發射光譜如圖3所示，從圖3中左側曲線可得，其發射波長為510nm，發射峰較窄。所得固體狀材料在紫外燈下的情況參見圖5中左側樣品；所得材料的固體粉末熒光量子產率通過F-7000光譜儀，采用積分球，450nm光作為激發光源檢測，結果顯示，其絕對熒光量子產率為50％；粉末狀態發光半峰寬為30nm。實施例3將0.1mmolPbBr2、0.08mmolCH3NH3Br和0.1mmolAPTS混溶于2mLDMF中，隨后加入0.5mL的油酸，攪拌形成前驅液；取1mL前驅液逐滴滴入10mL甲苯溶液中，未進行離心處理，得到有機無機雜化鈣鈦礦量子點的溶液樣品。所述溶液樣品的發射光譜如圖6所示，圖6為實施例3和比較例1所得量子點材料的發射光譜。比較例1將0.1mmolPbBr2、0.08mmolCH3NH3Br和0.1mmol正辛胺、0.5mL油酸混溶于DMF中，將所得混合溶液逐滴滴入劇烈攪拌的甲苯中，離心(7000rpm/min，15min)，得到有機無機雜化鈣鈦礦量子點的溶液樣品。所述溶液樣品的發射光譜如圖6所示，根據圖6比較，本申請以APTS為配體得到發射峰單一(475nm)的樣品溶液，而正辛胺發射光譜則出現雜峰。表明本發明以APTS為配體能更好的控制鈣鈦礦的粒徑尺寸，獲得了發光穩定且優良的鈣鈦礦納米顆粒。將本申請所得產品與以正辛胺為配體所得產品進行穩定性對比：通過將攪拌2小時后的實施例1所得鈣鈦礦甲苯混合溶液樣品和比較例1的溶液樣品，分別取2mL溶液分散于8mLTHF中，靜置27天，溶解情況參見圖7，圖7為實施例1和比較例1所得量子點材料的穩定性對比結果。圖7中，右側為實施例1的THF混合溶液樣品，左側為比較例1中量子點高速離心后樣品。從圖7可以看出，左側的比較例1樣品中，底部出現沉淀，且基本無色，表明鈣鈦礦發生分解，而右側的實施例1APTS為配體的材料樣品，底部沉淀為黃綠色，與原始混合溶液一致，結果表明，采用端氨基硅氧烷作為配體合成的鈣鈦礦穩定性得到了提高。實施例4首先將0.1mmolPbBr2、0.08mmolCH3NH3Br和0.138mmolAPTS混溶于0.5mL的DMF，形成前驅液。然后將前驅液逐滴滴入快速攪拌的10mL甲苯、1mL乙醇與100μLTMOS的混合溶液中，持續攪拌。為驗證其穩定性，取持續攪拌不同時間的混合溶液200μL加入3mL乙醇中，靜置3天后，效果如圖8和圖9所示，圖8為實施例4所得溶液樣品在日光燈下的穩定性效果圖，圖9為實施例4所得溶液樣品在紫外燈下的穩定性效果圖。圖8和圖9中，1號為混合溶液持續攪拌前加入乙醇；2號為混合溶液持續攪拌1小時后加入乙醇；3號為混合溶液持續攪拌2小時后加入乙醇。根據圖8和圖9中三個樣品的對比，攪拌1小時和攪拌2小時的溶液基本沒有變化，這可以說明本發明引入硅氧烷進行進一步的修飾，能形成致密的、較厚的二氧化硅殼層，實現二氧化硅包覆鈣鈦礦量子點，有效隔離外界水等破壞因子，提高了穩定性。由以上實施例可知，本發明提供的有機無機雜化鈣鈦礦量子點以帶有端氨基的硅氧烷為配體，采用配體輔助再沉淀法制成；所述有機無機雜化鈣鈦礦量子點的表面有二氧化硅層。本發明采用帶有端氨基的硅氧烷作為配體，能更好地控制鈣鈦礦量子點的尺寸，且發光峰位不會發生移動，獲得穩定的發光性能。同時，本發明通過帶有端氨基的硅氧烷，采用配體輔助再沉淀法，在鈣鈦礦納米顆粒表面形成一層二氧化硅，能提高鈣鈦礦納米材料的水氧穩定性，從而提高其在實際應用中的可行性。進一步地，本發明在合成鈣鈦礦量子點過程中，無需使用油酸等一些長鏈的試劑，而通過烘干即可獲得固體粉末狀鈣鈦礦量子點材料，產率高，利于鈣鈦礦量子點材料的實際應用。以上所述僅是本發明的優選實施方式，應當指出，對于使本
技術領域：
的專業技術人員，在不脫離本發明技術原理的前提下，是能夠實現對這些實施例的多種修改的，而這些修改也應視為本發明應該保護的范圍。當前第1頁1 2 3