1.一種適用于磁光光譜測(cè)試中法拉第旋光效應(yīng)的校正方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)預(yù)設(shè)偏振構(gòu)型，確定設(shè)置于所述磁光光譜測(cè)試系統(tǒng)的收集光路的第二線偏振片對(duì)應(yīng)的參考角度，包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述磁光光譜測(cè)試系統(tǒng)處于不同磁場(chǎng)強(qiáng)度的情況下，根據(jù)所述參考角度，對(duì)設(shè)置于所述激發(fā)光路的第一半波片進(jìn)行校準(zhǔn)，確定所述第一半波片的角度與不同磁場(chǎng)強(qiáng)度之間的第一映射關(guān)系，包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述第一初始角度、以及不同磁場(chǎng)強(qiáng)度下所述第一半波片對(duì)應(yīng)的第一初始調(diào)整角度，確定所述第一映射關(guān)系，包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述磁光光譜測(cè)試系統(tǒng)處于不同磁場(chǎng)強(qiáng)度的情況下，根據(jù)所述參考角度，對(duì)設(shè)置于所述收集光路的第二半波片進(jìn)行校準(zhǔn)，確定所述第二半波片的角度與不同磁場(chǎng)強(qiáng)度之間的第二映射關(guān)系，包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述第二初始角度、以及不同磁場(chǎng)強(qiáng)度下所述第二半波片對(duì)應(yīng)的第二初始調(diào)整角度，確定所述第二映射關(guān)系，包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求2至6中任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述收集光的光強(qiáng)通過(guò)設(shè)置于所述第二線偏振片后的功率計(jì)確定。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)偏振構(gòu)型包括：所述目標(biāo)激發(fā)光對(duì)應(yīng)的偏振方向與所述收集光對(duì)應(yīng)的偏振方向平行，或所述目標(biāo)激發(fā)光對(duì)應(yīng)的偏振方向與所述收集光對(duì)應(yīng)的偏振方向垂直。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至6所述的方法，其特征在于，在所述第二線偏振片、所述第一半波片和所述第二半波片的校準(zhǔn)過(guò)程中，所述收集光是所述磁光光譜測(cè)試系統(tǒng)內(nèi)放置測(cè)試對(duì)象的襯底的反射信號(hào)光。
10.一種適用于磁光光譜測(cè)試中法拉第旋光效應(yīng)的校正裝置，其特征在于，包括：