本發明涉及半導體測試，具體而言，涉及一種碳化硅功率模塊測試方法、裝置、電子設備及存儲介質。

背景技術：

1、隨著半導體技術的不斷發展，碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，因其高熱導率、高擊穿電場強度和高飽和電子漂移速度等優異特性，逐漸成為電力電子器件的重要材料之一。碳化硅材料的應用范圍涵蓋了高壓功率器件、射頻器件以及光電器件等領域。

2、在材料生長和晶圓制造過程中，由于碳化硅本身的材料特性，晶格結構較難控制，容易產生初始缺陷，導致碳化硅產品的柵氧可靠性以及絕緣耐壓特性存在缺陷，而常規測試無法暴露缺陷產品，導致部分產品使用一段時間后失效，影響產品服役的可靠性和壽命。

技術實現思路

1、有鑒于此，本發明實施例的目的在于，提供一種碳化硅功率模塊測試方法、裝置、電子設備及存儲介質以至少部分地改善上述問題。

2、為了實現上述目的，本發明實施例采用的技術方案如下：

3、第一方面，本發明實施例提供了一種碳化硅功率模塊測試方法，所述方法包括：

4、對待測試產品進行特性參數檢測，得到第一特性參數；

5、按預測策略對所述待測試產品進行模擬工況測試；

6、對經過模擬工況測試的待測試產品進行特性參數檢測，得到第二特性參數；

7、將所述第一特性參數以及第二特性參數進行對比，確定出所述待測試產品是否正常。

8、可選地，所述按預測策略對所述待測試產品進行模擬工況測試，包括：

9、對所述待測試產品進行高溫柵氧耐壓特性測試，以誘發所述待測試產品的柵氧缺陷；

10、對所述待測試產品進行變溫柵氧開關應力特性測試，以加速所述待測試產品的柵氧缺陷暴露；

11、對所述待測試產品進行高溫耐壓阻斷特性測試，以激發所述待測試產品的絕緣耐壓異常特性暴露。

12、可選地，所述對所述待測試產品進行高溫柵氧耐壓特性測試，包括：

13、將所述待測試產品的結溫維持在第一預設溫度；

14、在所述待測試產品的柵極和源極之間加載第一預設電壓持續第一預設時長；

15、在所述待測試產品的柵極和源極之間加載第二預設電壓持續第二預設時長。

16、可選地，所述對所述待測試產品進行變溫柵氧開關應力特性測試，包括：

17、將所述待測試產品的結溫維持在預設溫度范圍；

18、按照電壓切換頻率對所述待測試產品交替施加第三預設電壓、第四預設電壓；

19、按照預設頻率增速升高所述電壓切換頻率，直至所述電壓切換頻率達到第一頻率；

20、按照預設頻率減速降低所述電壓切換頻率，直至所述電壓切換頻率達到第二頻率；

21、重復執行升高所述電壓切換頻率以及降低所述電壓切換頻率，直至測試時間達到第三預設時長。

22、可選地，所述對所述待測試產品進行高溫耐壓阻斷特性測試，包括：

23、將所述待測試產品的結溫維持在第二預設溫度；

24、在所述待測試產品的柵極和源極之間加載第五預設電壓，同時在所述待測試產品的漏極和源極之間加載第六預設電壓持續第四預設時長。

25、可選地，所述第六預設電壓為所述待測試產品的漏源阻斷電壓的額定值。

26、可選地，所述第一特性參數以及所述第二特性參數均包括閾值電壓、漏源泄漏電流和柵源泄露電流，所述將所述第一特性參數以及第二特性參數進行對比，確定出所述待測試產品是否正常，包括：

27、根據所述第一特性參數以及所述第二特性參數，分別計算出閾值電壓漂移量、漏源泄漏電流漂移量和柵源泄露電流漂移量；

28、若所述閾值電壓漂移量小于等于第一預設值、且所述漏源泄漏電流漂移量小于等于第二預設值、且所述柵源泄露電流漂移量小于等于第三預設值，確定所述待測試產品正常；

29、若所述閾值電壓漂移量大于第一預設值、和/或所述漏源泄漏電流漂移量大于第二預設值、和/或所述柵源泄露電流漂移量大于第三預設值，確定所述待測試產品存在缺陷。

30、第二方面，本發明實施例提供了一種碳化硅功率模塊測試裝置，包括：

31、特性參數初檢單元，用于對待測試產品進行特性參數檢測，得到第一特性參數；

32、模擬工況測試單元，用于按預測策略對所述待測試產品進行模擬工況測試；

33、特性參數終檢單元，用于對經過模擬工況測試的待測試產品進行特性參數檢測，得到第二特性參數；

34、產品缺陷判定單元，用于將所述第一特性參數以及第二特性參數進行對比，確定出所述待測試產品是否正常。

35、第三方面，本發明實施例提供了一種電子設備，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上并在處理器上運行的計算機程序，所述處理器執行所述程序時實現上述任一項所述的方法。

36、第四方面，本發明實施例提供了一種存儲介質，其上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執行時實現上述任一項所述的方法。

37、本發明實施例提供的一種碳化硅功率模塊測試方法、裝置、電子設備及存儲介質，通過對待測試產品進行模擬工況測試，對待測試產品測試前后的特性參數進行對比，從而實現碳化硅功率模塊產品的初始缺陷快速篩查。

38、進一步地，本發明實施例通過具有次序的特性測試，依次誘發柵氧缺陷、加速柵氧缺陷暴露、激發絕緣耐壓異常特性暴露，能盡可能的暴露出待測試產品的缺陷，從而有效提升通過測試的碳化硅功率模塊產品的服役穩定性和可靠性，降低產品服役過程因初始缺陷導致失效的風險。

39、為使本申請的上述目的、特征和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細說明如下。

技術特征：

1.一種碳化硅功率模塊測試方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述按預測策略對所述待測試產品進行模擬工況測試，包括：

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述對所述待測試產品進行高溫柵氧耐壓特性測試，包括：

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述對所述待測試產品進行變溫柵氧開關應力特性測試，包括：

5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述對所述待測試產品進行高溫耐壓阻斷特性測試，包括：

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述第六預設電壓為所述待測試產品的漏源阻斷電壓的額定值。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一特性參數以及所述第二特性參數均包括閾值電壓、漏源泄漏電流和柵源泄露電流，所述將所述第一特性參數以及第二特性參數進行對比，確定出所述待測試產品是否正常，包括：

8.一種碳化硅功率模塊測試裝置，其特征在于，包括：

9.一種電子設備，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上并在處理器上運行的計算機程序，其特征在于，所述處理器執行所述程序時實現權利要求1至7任一項所述的方法。

10.一種存儲介質，其上存儲有計算機程序，其特征在于：所述計算機程序被處理器執行時實現權利要求1至7任一項所述的方法。

技術總結
本發明的實施例提供了一種碳化硅功率模塊測試方法、裝置、電子設備及存儲介質，涉及半導體測試技術領域。該方法包括：對待測試產品進行特性參數檢測，得到第一特性參數，按預測策略對待測試產品進行模擬工況測試，對經過模擬工況測試的待測試產品進行特性參數檢測，得到第二特性參數，將第一特性參數以及第二特性參數進行對比，確定出待測試產品是否正常。通過對待測試產品進行模擬工況測試，對待測試產品測試前后的特性參數進行對比，從而實現碳化硅功率模塊產品的初始缺陷快速篩查，有效提升碳化硅功率模塊產品的服役穩定性和可靠性，降低產品服役過程因初始缺陷導致失效的風險。

技術研發人員：王曉,龍海洋,龐久
受保護的技術使用者：重慶平創半導體研究院有限責任公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28