本發明的實施例總體涉及半導體領域，更具體地，涉及存儲器件及其制造方法

背景技術：

1、存儲器件是電子系統的組成部分，以允許快速訪問和修改的方式存儲數據。傳統上，存儲器件被設計為在大量存儲單元中以“0”和“1”的形式存儲二進制信息。由于制造差異和設計限制，這些單元通常表現出不平衡的物理結構，導致其電氣特性存在差異。存內計算(cim)技術將處理能力直接集成在存儲陣列中，通過減少數據必須在存儲和處理單元之間傳輸的距離，實現了更快的數據計算。

技術實現思路

1、本公開的一實施例提供了一種存儲器件，包括：存儲陣列，包括用于存儲神經網絡的權重的多個存儲單元；第一計算單元，被配置為從所述多個存儲單元接收存儲的所述權重，并且根據存儲的所述權重來生成第一部分和；以及第二計算單元，被配置為從所述多個存儲單元接收存儲的所述權重和所述第一部分和，并且根據存儲的所述權重來生成第二部分和，其中，所述第二計算單位順序地連接至所述第一計算單元。

2、本公開的又一實施例提供了一種存儲器件，包括：襯底；存儲單元陣列，具有形成在所述襯底上的多個存儲單元子陣列，并且被配置為存儲神經網絡的權重；第一局部累加器，形成在第一金屬層上，并且被配置為從所述存儲單元子陣列接收存儲的所述權重，以及根據存儲的所述權重生成第一部分和；第二局部累加器，形成在所述第一金屬層上，并且被配置為從所述存儲單元子陣列接收存儲的所述權重和所述第一部分和，以及根據存儲的所述權重來生成第二部分和，其中，所述第二局部累加器順序地連接至所述第一金屬層上的第一局部累加器。

3、本公開的另一實施例提供了一種用于制造存儲器件的方法，包括：提供襯底；在所述襯底的正面上形成具有多個存儲單元子陣列的存儲單元陣列；在所述襯底的所述正面的第一金屬層上形成第一局部累加器；以及在所述第一金屬層上形成第二局部累加器，其中，所述第一局部累加器順序地連接至所述第一金屬層上的所述第二局部積累器。

技術特征：

1.一種存儲器件，包括：

2.根據權利要求1所述的存儲器件，其中，所述第一計算單元和所述第二計算單元位于同一金屬化層中。

3.根據權利要求1所述的存儲器件，其中，所述第一計算單元直接互連到所述第二計算單元。

4.根據權利要求1所述的存儲器件，包括：

5.根據權利要求4所述的存儲器件，其中，所述第三計算單元和所述第一計算單元位于同一金屬化層中。

6.根據權利要求1所述的存儲器件，包括：

7.一種存儲器件，包括：

8.根據權利要求7所述的存儲器件，包括：

9.一種用于制造存儲器件的方法，包括：

10.根據權利要求9所述的方法，包括：

技術總結
本公開的實施例公開了一種存儲器件，可以包括存儲陣列、第一計算單元和第二計算單元。存儲陣列可以包括多個存儲單元，用于存儲神經網絡的權重。第一計算單元可以被配置為從多個存儲單元接收存儲的權重，并且根據存儲的權重生成第一部分和。第二計算單元可以被配置為從多個存儲單元接收所存儲的權重和第一部分和，并且根據所存儲的權重和第一部分和來生成第二部分和。第二計算單元可以順序地連接至第一計算單元。本公開的實施例還公開了一種制造存儲器件的方法。

技術研發人員：洪哲民,布萊恩·克雷夫頓,森陽紀,藤原英弘
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28