專利名稱：基板吸附裝置和基板搬送裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及基板吸附裝置和基板搬送裝置，更詳細地說，涉及即 使是存在彎曲、翹曲的半導體晶片等薄基板也能夠可靠地吸附、保持 的基板吸附裝置和基板搬送裝置。
背景技術：
現有的這種基板搬送裝置裝配在半導體晶片等基板的處理裝置 上。因此，作為處理裝置以半導體晶片的檢查裝置為例進行說明。這種檢查裝置具有進行半導體晶片的電氣特性檢查的探測針(probe)室， 和與探測針室鄰接的裝載(loader)室。探測針室具備載置半導體晶 片的可移動的載置臺；配置在載置臺的上方的探測針卡；和對探測針 卡的多個探測針和半導體晶片的多個電極墊進行對準的對準機構，在 半導體晶片的對準后，使半導體晶片與探測針卡的探測針電連接從而 進行規定的檢查。裝載室以如下方式構成，即，具有以盒單位收納多 個半導體晶片的收納部，和具有在盒與探測針室之間搬送半導體晶片 的鑷子(tweezers)的基板搬送裝置(以下稱為"晶片搬送裝置")，利 用鑷子將盒內的半導體晶片一枚一枚地取出，進行對準后，向探測針 室搬送，將檢査完畢的半導體晶片從探測針室向盒內的原來的地方搬 送。鑷子作為吸附保持半導體晶片的吸附體而構成。作為這種吸附體， 例如已知有真空吸附半導體晶片的真空吸盤、在專利文獻1中記載的 利用伯努利(Bernoulli)原理吸附保持半導體晶片的伯努利吸盤。真空 吸盤以從下面吸附半導體晶片的方式構成，伯努利吸盤以從上面吸附 半導體晶片的方式構成。但是，半導體晶片其傾向是變得越來越薄，容易發生彎曲、翹曲， 所以如果例如圖5所示那樣將盒1內的多枚半導體晶片在上下方向以 規定間隔收納，則存在在半導體晶片的翹曲上下相反的狀態下收納的情況。在這種情況下，如果使用現有的鑷子2，則由于在上下的半導體 晶片之間沒有縫隙而無法插入鑷子2，所以無法取出上下的半導體中的任意一個。此外，雖然沒有圖示，在敏置臺上能夠出沒地設置有例如3根銷，在多個銷從載置面突出的狀態下在載置臺與鑷子之間進行半導 體晶片的交接，因此如果在利用鑷子從載置臺接收半導體晶片時半導 體晶片向下方彎曲，則在鑷子為真空吸盤的情況下存在不能將鑷子插 入半導體晶片與載置面之間的情況。在這種情況下，必須使銷變長， 確保將鑷子插入半導體晶片與載置面之間的間隙。專利文獻1:日本特愿平8-203984 發明內容本發明是為了解決上述問題而提出的，其目的在于提供一種能夠 根據半導體晶片等基板的大的彎曲或翹曲的情況，選擇基板的上面和 下面中的任一面作為吸附面從而可靠地吸附保持并搬送基板的基板吸 附裝置和基板搬送裝置。本發明第一方面的基板吸附裝置，具有在搬送基板時吸附保持上述基板的吸附體，其特征在于，上述吸附體包括根據伯努利原理從 上面吸附保持上述基板的第一吸附單元，和從下面真空吸附上述基板 的第二吸附單元。此外，本發明的第二方面的基板吸附裝置，其特征在于，在第一 方面的發明中，上述第一吸附單元具有在上述吸附體的下面形成的 多個凹陷部，和在這些凹陷部的內周面開口并且向上述凹陷部內噴出 氣體而在上述凹陷部內形成旋轉氣流的噴出孔。此外，本發明的第三方面的基板吸附裝置，其特征在于，在第二 方面的發明中，在上述吸附體的下面具有與上述基板之間形成間隙的 接觸部件，在上述間隙中形成水平氣流。此外，本發明的第四方面的基板吸附裝置，其特征在于，在第一 第三方面的任何一項的發明中，上述吸附體構成為能夠根據基板的大 小進行切換。本發明的第五方面的基板搬送裝置，其具備具有吸附保持基板的 吸附體的基板吸附裝置，使上述吸附體移動來搬送基板，其特征在于，上述吸附體包括根據伯努利原理從上面吸附保持上述基板的第一吸 附單元，和從下面真空吸附上述基板的第二吸附單元。本發明的第六方面的基板搬送裝置，其特征在于，包括對保持 在筐體內的多個基板以及各自的中央部的向上下方向的變位進行檢測 的檢測裝置；根據上述檢測裝置的檢測結果對上述基板的變位的方向 進行判別的判別單元；和具有吸附保持上述基板的吸附體的基板吸附 裝置，該基板搬送裝置根據上述判別單元的判別結果使上述吸附體移 動從而搬送上述筐體內的基板，其中，上述吸附體具有根據伯努利 原理從上面吸附保持上述基板的第一吸附單元，和從下面真空吸附上 述基板的第二吸附單元，當利用上述吸附體搬送上述基板時，根據上 述判別單元的判別結果自動選擇上述第一吸附單元或者上述第二吸附 單元。此外，本發明的第七方面的基板吸附裝置，其特征在于，在第五 或第六方面的發明中，上述第一吸附單元具有在上述吸附體的下面 形成的多個凹陷部，和在這些凹陷部的內周面開口并且向上述凹陷部 內噴出氣體，在上述凹陷部內形成旋轉氣流的噴出孔。此外，本發明的第八方面的基板吸附裝置，其特征在于，在第七 方面的發明中，在上述吸附體的下面具有與上述基板之間形成間隙的 接觸部件，在上述間隙中形成水平氣流。此外，本發明的第九方面的基板吸附裝置，其特征在于，在第五 第八方面的任何一項的發明中，上述吸附體構成為能夠根據基板的大 小進行切換。根據本發明，能夠提供一種能夠根據半導體晶片等基板的大的彎 曲或翹曲的情況，選擇基板的上面和下面中的任一面作為吸附面而可 靠地吸附保持并搬送基板的基板吸附裝置和基板搬送裝置。


圖1 (a)、 (b)是分別表示適用本發明的基板搬送裝置的一個實施 方式的檢查裝置的圖，(a)是其平面圖，(b)是表示(a)所示的檢查 裝置的基板搬送裝置與盒的關系的結構圖。圖2 (a)、 (b)是分別表示圖l所示基板搬送裝置的吸附體的圖，(a) 是表示其下面的平面圖，(b)是將(a)所示主要部分沿水平方 向切斷后的截面圖。
圖3 (a) (c)是表示圖2所示吸附體的圖，(a)是其長邊方向 的截面圖，(b)、 (c)是分別擴大表示主要部分的截面圖。
圖4 (a)、 (b)是分別表示吸附體的其它實施方式的下面側的平面圖。
圖5是部分地表示收納在盒內的半導體晶片的正面圖。
符號說明
10檢查裝置
10A控制裝置
10B判別部
17鑷子(吸附體、基板吸附裝置)
17C測量(mapping)傳感器(檢測裝置)
18晶片搬送裝置(基板搬送裝置)
171第一吸附單元
171A凹陷部
171B噴出孔
171D接觸體(接觸部件) W 半導體晶片(基板)
具體實施例方式
以下，根據圖1 圖4所示的實施方式對本發明進行說明。其中， 在各圖中，圖].的(a)、 (b)是分別表示適用本發明的基板搬送裝置 的一個實施方式的檢查裝置的圖，(a)是其平面圖，(b)是表示(a) 所示檢查裝置的基板搬送裝置與盒的關系的結構圖，圖2的(a)、 (b) 是分別表示圖1所示基板搬送裝置的吸附體的圖，(a)是表示其下面 的平面圖，(b)是將(a)所示主要部位沿水平方向切斷后的截面圖， 圖3的(a) (c)是表示圖2所示吸附體的圖，(a)是其長邊方向的 截面圖，(b)、 (c)是分別擴大表示主要部位的截面圖，圖4的(a)、
(b) 是分別表示吸附體的其它實施方式的下面側的平面圖。 本實施方式的檢査裝置10，例如如圖1的(a)所示，具備進行基板(例如，半導體晶片)W的電氣特性檢查的探測針室11，和與探測
針室11鄰接并搬送半導體晶片W的裝載室12，以在控制裝置10A的 控制下對探測針室11和裝載室12各自的各種機器進行控制的方式構 成。
如圖1的(a)、 (b)所示，探測針室11具備在X、 Y和Z方向 能夠自由移動的載置半導體晶片W的主吸盤13;配置在該主吸盤13
的上方的探測針卡14;和對該探測針卡14的多個探測針(未圖示)與
主吸盤13上的半導體晶片W進行對準的對準機構15，如上上述，以 在控制裝置10A的控制下進行半導體晶片W的檢查的方式構成。對準 機構15具有:對主吸盤13上的半導體晶片W進行攝影的照相機15A; 安裝有照相機15A的對準橋(alignment bridge) 15B;和將對準橋15B 在初期位置與探測針中心(探測針卡的中心的正下方)之間移動引導 的一對導軌15C，該對準機構15與附設在主吸盤13上的照相機(未 圖示)協同動作，進行半導體晶片W和探測針的對準。
此外，如圖1的(a)所示，裝載室12具備用來容納收納有多 個半導體晶片的盒C的前后兩個第一、第二裝載舟16、 16，和具有配 置在第一、第二裝載舟16、 16之間的吸附體(鑷子)17的基板搬送裝 置(以下，稱為"晶片搬送裝置"。)18，以在控制裝置10A的控制下 對晶片搬送裝置18等各種機器進行驅動的方式構成。并且，第一、第 二裝載舟16、 16具有同樣的結構。
如圖l的(a)、 (b)所示，本實施方式的晶片搬送裝置18具備 具有用于搬送半導體晶片W的鑷子17的晶片吸附裝置；使鑷子17在 基臺18A上沿水平方向移動的同時使鑷子17與基臺18A —起沿上下 方向移動的驅動機構18B;和對收納在盒C內的多個半導體晶片W進 行測量的同時，光學地檢測半導體晶片W的翹曲、彎曲的測量傳感器 18C。鑷子17能夠處理大小不同的半導體晶片W，例如以能夠搬送6 英寸和8英寸的半導體晶片W的雙方的方式構成。測量傳感器18C例 如設置在晶片搬送裝置18的一部分上，例如同圖的(b)所示那樣設 置在基臺18A的前端部。此夕卜，在基臺18A上設置有子吸盤(sub-chuck) 19，通過子吸盤19進行半導體晶片W的預對準。
此外，如圖2的(a)、 (b)和圖3的(a) (c)所示，本實施方式的晶片吸附裝置的鑷子17包括形成在下側的基板(以下，稱為"第 一基板")上并根據伯努利原理從上面吸附保持半導體晶片W的第一 吸附單元171，和形成在上側的基板(以下，稱為"第二基板")上并 利用外部空氣的吸引從下面吸附保持上述基板的第二吸附單元172，其 中，第一、第二基板形成為同一形狀并相互接合，由此構成上述鑷子
17。第一吸附單元171主要在半導體晶片W向下方翹曲或者向下方彎 曲，利用第二吸附單元172不能吸附保持半導體晶片W時使用。
此外，如圖2的(a)和圖3的(a)所示，鑷子17由外徑形成為 比半導體晶片W小并且內徑形成為比子吸盤19的外徑大的環狀部
17v龍環)i士^R i7a的某矣R咖i m,、法t玄;A罟的4s形.的其齒(17b.宋n
在環狀部17A的前端側(左側)沿寬度方向隔著規定間隔連接設置的 2個地方的突出部17C所構成，以在環狀部17A能夠吸附保持半導體 晶片W的方式形成。在鑷子的基部17B的下面安裝有晶片傳感器17D， 利用該晶片傳感器17D對通過第一吸附單元171吸附在鑷子17的下面 的半導體晶片W進行檢測。該鑷子17以能夠根據半導體晶片W的大 小，例如在6英寸與8英寸之間切換使用的方式構成。
如圖2的(a)、 (b)和圖3的(a)、 (b)所示，第一吸附單元171 具有在第一基板的環狀部17A的下面沿周方向隔著相等間隔形成的 多個(在本實施方式中為6個)凹陷部171A;在這些凹陷部171A的 內周面在沿周方向隔著180°的2個地方開口并且向凹陷部171A內噴 出氣體(例如空氣)從而在凹陷部171A內形成如圖3的(a)、 (b)所 示那樣的旋轉氣流的噴出孔171B;與這些噴出孔171B連通并且沿環 狀部17A形成的第一氣體流路171C;和向第一氣體流路171C供給高 壓空氣的高壓空氣源(未圖示)。
在環狀部17A的下面的附近在4個地方設置有與半導體晶片W接 觸的接觸體171D。 2個接觸體171D在基部17B的寬度方向隔著規定 間隔安裝。此外，剩余的接觸體171D安裝在突出部17C上。這些接 觸體171D均由橡膠等彈性部件形成，與半導體晶片W彈性接觸，在 與環狀部17A的下面之間形成間隙。
如圖2的(b)和圖3的(a)、 (b)所示，第一氣體流路17—C在 第一基板的基部17B上面形成為槽狀，該槽與包圍凹陷部171A的深的環狀槽相連而形成為一體，通過與第二基板接合將槽和環狀槽密封
而形成。凹陷部171A的各噴出孔171B分別如圖2的(a)所示，以從 環狀槽在與凹陷部171A的內周面形成的圓環狀的壁隔著180°的位置 上相互平行的方式貫通，從各自的噴出孔171B向凹陷部171A的內周 面噴射高壓空氣從而在凹陷部171A內形成旋轉氣流。
因此，在鑷子17在下面隔著接觸體171D與半導體晶片W接觸的 狀態下，如果從高壓空氣源向第一氣體流路171C供給高壓空氣，則空 氣就從6個地方的凹陷部171A的各噴出孔171B向凹陷部171A的內 周面高速噴出，通過該內周面的作用，形成如圖3的(a)、 (b)中箭 頭A所示那樣的旋轉氣流，同時從與半導體晶片W的間隙向外部噴出。 此時，如圖3的(a)、 (b)所示，在凹陷部171A內根據伯努利原理在 空氣的旋轉氣流的內側形成減壓空間，同時在凹陷部171A的外側通過 從凹陷部171A向與半導體晶片W的間隙噴出的水平氣流，使間隙比 半導體晶片W的下面低壓，所以能夠在圖3的(a)所示的鑷子17的 下面吸附保持半導體晶片W。
此外，如圖3的(a)、 (c)所示，第二吸附單元172具有在第 二基板的環狀部17A的上面相互隔著180。的位置安裝的2個吸附墊 172A;以與這些吸附墊172A的孔連通的方式形成在第二基板內的第 二氣體流路172B;和連接在第二氣體流路172B上的真空泵(未圖示)， 由此構成現在公知的抽真空的吸附部。2個吸附墊172具有以下位置關 系，即連接它們的接線與通過鑷子17的基部17B的寬度方向的中心的 直線正交。
在圖2和圖3中，對鑷子17是一個整體的情況進行了說明，但也 可以如圖4的(a)、 (b)所示那樣，構成為被分割成2部分的鑷子17'。 該鑷子17'如該圖的(a)、 (b)所示，作為形成為左右對稱的一對分割 鑷子17'A而形成，各分割鑷子17'A，基端部通過棒狀的引導部件17'B 可伸縮地連接。并且，左右的分割鑷子17，A按照引導部件17，B維持 左右對稱，同時以與半導體晶片W的尺寸一致能夠伸縮的方式構成。 當一對分割鑷子17'A保持小直徑的半導體晶片Wl時，如該圖(a) 所示，左右的分割鑷子17'A關閉，當一對分割鑷子17'A保持大直徑 的半導體晶片W2時，如該圖(b)所示，左右的分割鑷子17'A打開。在關閉的一對分割鑷子17'A晶片吸附部的中央形成有比子吸盤19大
的直徑的孔。通過該孔，在對半導體晶片W1、 W2進行預對準時，鑷 子17，以子吸盤19的載置面為基準上下升降，在與子吸盤19之間能夠 進行半導體晶片W的交接。
此外，鑷子17，與上述鑷子17同樣，在下側具有第一吸附單元171，， 在上側具有第二吸附單元(未圖示)。第一、第二吸附單元171，實質上 均具有與上述鑷子17同樣的結構。
此外，子吸盤19與現有技術一樣，構成為將半導體晶片W真空 吸附在載置面的真空吸盤。該子吸盤19與上述鑷子17同樣，也能夠
-承ffl壬l I田/to鄉又壬l I (S T田口B IW 3 /女且t \\, 1% ^if ih
接著，對動作加以說明。首先，如圖1的(a)、 (b)所示，在晶 片搬送裝置18的鑷子17通過驅動機構18B進行升降期間，通過測量 傳感器18C對盒C內的半導體晶片W進行測量，同時對各半導體W 的翹曲、彎曲進行檢測，并將檢測結果存儲在控制裝置10A的存儲部。 在控制裝置10A中，判別部10B根據測量傳感器18C的檢測結果對半 導體晶片W的翹曲方向是向上還是向下進行判別。此外，根據該判別 結果，利用鑷子17的第一、第二吸附單元171、 172中的任一個吸附 半導體晶片W。
例如，當在盒C內半導體晶片W向下方彎曲，利用第二吸附單元 172不能從下面真空吸附半導體晶片W時，或者下側的半導體晶片W 向上方翹曲而在其上側的半導體晶片W彎曲從而導致沒有插入鑷子17 的間隙時，根據測量傳感器18C的檢測結果在控制裝置10A的判別部 10B對其目的進行判別，將晶片搬送裝置18的鑷子17從作為目標的 上側的半導體晶片W的上方的間隙進入盒C內，利用第一吸附單元171 吸附半導體晶片W。在這種情況下，鑷子17在進入的間隙中下降并通 過接觸體171D與半導體晶片W的上面接觸，同時從高壓空氣源供給 高壓空氣。
高壓空氣經由第一空氣流路171C從各凹陷部171A的噴出孔171B 向凹陷部171A的內周面噴射，在凹陷部171A內形成旋轉氣流，通過 接觸體171D經由與半導體晶片W間形成的間隙作為水平氣流向外部 噴出。此時，鑷子17，根據伯努利原理在凹陷部171A內在旋轉氣流
ii的內側形成減壓空間，此外，在凹陷部171A的外側利用與半導體晶片
w的間隙的水平氣流使半導體晶片w的上面側比下面側氣壓低，從而
從上面吸附保持半導體晶片W。如果利用鑷子17吸附保持半導體晶片 W，則晶片傳感器17D就檢測出該半導體晶片W，并且鑷子17從盒C 內取出半導體晶片W。接著，在晶片搬送裝置18的基臺18A上的子 吸盤19上進行半導體晶片W的識別，同時進行半導體晶片W的預對 準。
之后，鑷子17在其前端朝向探測針室11后，到達探測針室ll內 的主吸盤13的正上方，在將半導體晶片W從鑷子17載置在主吸盤13 的載置面的同時，主吸盤13真空吸附半導體晶片W。之后，停止從高 壓空氣源向鑷子17的第一吸附單元171供給高壓空氣，從鑷子17放 開半導體晶片W之后，鑷子17返回到裝載室12內，在探測針室11 內進行半導體晶片W的檢查。
如果在探測針室11內完成對半導體晶片W的檢查，則鑷子17就 從裝載室12進入探測針室11內，對于半導體晶片W，從主吸盤13的 載置面在原有的狀態下利用第一吸附單元171從上面吸附保持半導體 晶片W，將其送回到裝載室12內的盒C內的原來的地方。對于彎曲或 翹曲較大的半導體晶片W，在檢查后從主吸盤13取出時即使利用3根 銷將半導體晶片W舉起，也由于半導體晶片W向下方彎曲，從而導 致鑷子17不能從半導體晶片W的下側進入。因此，不使用如上上述 的銷，利用鑷子17的第一吸附單元171從主吸盤13的載置面直接吸 附保持半導體晶片W，并送回到裝載室12內的盒C內。
此外，當半導體晶片W的彎曲較小，能夠利用第二吸附單元172 從下面真空吸附半導體晶片W時，鑷子17進入目標的半導體晶片W 的下側的間隙，通過第二吸附單元172的吸附墊172A從下面吸附保持 半導體晶片W并從盒C內取出，載置到探測針室ll內的主吸盤13。 在這種情況下，主吸盤13的3根銷從載置面突出，通過3根銷將半導 體晶片W載置到載置面。當將檢査后的半導體晶片W送回盒C內時 也利用第二吸附單元172從下面吸附保持半導體晶片W。
如上上述，鑷子17根據測量傳感器18C的檢測結果，在控制裝置 10A的判別部10B對半導體晶片W的翹曲或彎曲的方向自動地進行判別，根據該判別結果自動切換第一吸附單元171和第二吸附單元172，
從上面吸附或從下面吸附半導體晶片w，能夠不損壞盒c內的半導體
晶片W就可靠地進行檢査。
根據如上所述的本實施方式，因為晶片搬送裝置]8包括具有鑷子 17的晶片吸附裝置，鑷子17具有根據伯努利原理從上面吸附保持半導 體晶片W的第一吸附單元171，和從下面真空吸附半導體晶片W的第 二吸附單元172，所以能夠根據盒C內的半導體晶片W的翹曲、彎曲 的情況自動選擇第一、第二吸附單元171、 172中的合適的一方，從而 能夠將半導體晶片W可靠地吸附保持并搬送。
此外，根據本實施方式，晶片搬送裝置18進一步具有對收納在 盒C內的多個半導體晶片W以及各自的中央部的向上下方向的變位 (翹曲以及/或者彎曲)進行檢測的測量傳感器18C;和根據測量傳感 器18C的檢測結果對半導體晶片W的翹曲或者彎曲的方向進行判別的 判別部IOB，在利用鑷子17搬送半導體晶片W時，能夠根據判別部 10B的判別結果，自動選擇第一吸附單元171或者第二吸附單元172， 從而可靠地搬送半導體晶片W。
此外，根據本實施方式，因為第一吸附單元171具有在鑷子17的 下面形成的6個凹陷部171A，和在這些凹陷部171A的內周面開口并 且向凹陷部171A內噴出空氣而在凹陷部171A內形成旋轉氣流的噴出 孔171B，所以能夠在凹陷部171A內可靠地形成減壓空間。此外，在 鑷子17的下面具有與半導體晶片W之間形成間隙的接觸體171D，因 為在該間隙中形成水平氣流，所以能夠使半導體晶片W的上面側比下 面側低壓，從而能夠將半導體晶片W從上面可靠地吸附保持并搬送。
此外，本發明不受上述實施方式的任何限制，根據需要能夠適當 地變更各構成要素。雖然在上述實施方式中作為基板以半導體晶片W 為例進行了說明，但是本發明也能夠適用于吸附保持半導體晶片W以 外的薄基板的情況。
產業上的利用可能性
本發明能夠適當地利用于搬送半導體晶片等基板的基板搬送裝置中。
權利要求
1.一種基板吸附裝置，其具有在搬送基板時吸附保持所述基板的吸附體，其特征在于所述吸附體包括根據伯努利原理從上面吸附保持所述基板的第一吸附單元，和從下面真空吸附所述基板的第二吸附單元。
2. 如權利要求1所述的基板吸附裝置，其特征在于 所述第一吸附單元具有在所述吸附體的下面形成的多個凹陷部，和在這些凹陷部的內周面開口并且向所述凹陷部內噴出氣體而在所述 凹陷部內形成旋轉氣流的噴出孔。
3. 如權利要求2所述的基板吸附裝置，其特征在于 在所述吸附體的下面具有與所述基板之間形成間隙的接觸部件，在所述間隙中形成水平氣流。
4. 如權利要求1 3的任何一項所述的基板吸附裝置，其特征在于所述吸附體構成為能夠根據基板的大小進行切換。
5. —種基板搬送裝置，其具備具有吸附保持基板的吸附體的基板吸附裝置，使所述吸附體移動來搬送基板，其特征在于所述吸附體包括根據伯努利原理從上面吸附保持所述基板的第一 吸附單元，和從下面真空吸附所述基板的第二吸附單元。
6. —種基板搬送裝置，其特征在于，包括對保持在筐體內的多個基板以及各自的中央部的向上下方向的變 位進行檢測的檢測裝置；根據所述檢測裝置的檢測結果對所述基板的變位的方向進行判別的判別單元；和具有吸附保持所述基板的吸附體的基板吸附裝置， 該基板搬送裝置根據所述判別單元的判別結果使所述吸附體移動來搬送所述筐體內的基板，其中所述吸附體具有根據伯努利原理從上面吸附保持所述基板的第一 吸附單元，和從下面真空吸附所述基板的第二吸附單元，當利用所述吸附體搬送所述基板時，根據所述判別單元的判別結 果自動選擇所述第一吸附單元或者所述第二吸附單元。
7. 如權利要求5或6所述的基板搬送裝置，其特征在于 所述第一吸附單元具備在所述吸附體的下面形成的多個凹陷部；和在這些凹陷部的內周面開口并且向所述凹陷部內噴出氣體而在所述 凹陷部內形成旋轉氣流的噴出孔。
8. 如權利要求7所述的基板搬送裝置，其特征在于 在所述吸附體的下面具有與所述基板之間形成間隙的接觸部件，在所述間隙中形成水平氣流。
9. 如權利要求5 8的任何一項所述的基板搬送裝置，其特征在于所述吸附體構成為能夠根據基板的大小進行切換。
全文摘要
本發明提供一種基板吸附裝置和基板搬送裝置，其能夠根據導體晶片等基板的大的彎曲、翹曲情況選擇基板的上面和下面的任一面作為吸附面從而可靠地吸附保持并搬送基板。本發明的晶片吸附裝置的鑷子(17)包括根據伯努利原理從上面吸附保持半導體晶片(W)的第一吸附單元(171)，和利用外部空氣的吸引從下面吸附保持半導體晶片(W)的第二吸附單元(172)。
文檔編號H01L21/683GK101295661SQ20081008055
公開日2008年10月29日 申請日期2008年2月22日 優先權日2007年4月24日
發明者小笠原郁男, 長坂旨俊 申請人:東京毅力科創株式會社