專利名稱：薄膜晶體管陣列基板、其制造方法、及液晶顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及薄膜晶體管陣列基板、其制造方法、及液晶顯示裝置，特別具體涉及在邊緣場切換(Fringe Field Switching)模式(mode)的液晶顯示裝置中使用的薄膜晶體管陣列基板、其制造方法、及液晶顯示裝置。
背景技術：
邊緣場切換(Fringe Field Switching :FFS)模式的液晶顯示裝置，是對在相向的基板間夾持的液晶施加邊緣電場而進行顯示的顯示方式。在FFS模式的液晶顯示裝置中， 由于通過透明導電膜形成有像素電極和對置電扱，所以與共面切換αη-Plane Switching IPS)模式相比能夠得到更高的開ロ率和透過率。在現有的FFS模式的液晶顯示裝置中，為了制造薄膜晶體管(Thin Film Transistor :TFT)陣列基板，需要(1)對置電扱，(2)柵極(gate)電極，(3)半導體層，(4) 源極(source) /漏極(drain)電極，(5)接觸孔(contact hole)，(6)像素電極的至少6次的照相制版(光刻(photolithography))エ序。因此，與通常能夠以5次的光刻エ序制造 TFT陣列基板的TN (Twisted Nematic，扭曲向列)模式相比，存在制造成本(cost)變高的問題。針對這樣的問題，例如在專利文獻1中，提出了ー種使用半透過掩模(mask)來削減光刻エ序數的方案。專利文獻專利文獻1 日本專利申請特開2001-235763號公報本發明要解決的課題可是，在使用半透過掩模的光刻エ序中，與通常的光刻エ序相比エ序管理復雜，對于穩定地大量生產存在問題。此外，半透過掩模與通常的掩模相比價格高，在費用面上也存在問題。

發明內容
本發明正是為了解決上述那樣的問題點而完成的，其目的在于提供ー種在FFS模式的液晶顯示裝置中，不使用半透過掩模而能夠削減光刻エ序數的薄膜晶體管陣列基板、 其制造方法、及液晶顯示裝置。用于解決課題的方法本發明的薄膜晶體管陣列基板，具有薄膜晶體管，其中，具備柵極布線，在基板上形成，與所述薄膜晶體管的柵極電極連接；柵極絕緣膜，覆蓋所述柵極電極和所述柵極布線；源極布線，在所述柵極絕緣膜上形成，與所述薄膜晶體管的源極電極連接；半導體層， 在所述柵極絕緣膜上形成，在所述薄膜晶體管的漏極電極下的大致整個面、所述源極電極下的大致整個面、所述源極布線下的大致整個面、以及所述柵極電極的對面配置；像素電扱，在所述漏極電極上直接重疊形成，與所述漏極電極電連接；透明導電圖案(pattern)， 在所述源極電極和所述源極布線上，通過與所述像素電極相同的層而直接重疊形成；層間絕緣膜，覆蓋所述像素電極和所述透明導電圖案；以及對置電極，在所述層間絕緣膜上形成，在與所述像素電極之間使邊緣電場產生。此外，本發明的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，是具有薄膜晶體管的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其中，具備在基板上形成所述薄膜晶體管的柵極電極、和連接于所述柵極電極的柵極布線的エ序；形成覆蓋所述柵極電極和所述柵極布線的柵極絕緣膜的 エ序；在所述柵極絕緣膜上，依次成膜半導體層、歐姆接觸(ohmic contact)膜、金屬膜的 エ序；對所述金屬膜進行構圖，形成在成為所述薄膜晶體管的溝道(channel)區域的所述半導體層上連結的狀態的所述薄膜晶體管的源極電極和漏極電極、和連接于所述源極電極的源極布線的エ序；將被構圖的所述金屬膜作為掩摸，對所述半導體層和所述歐姆接觸膜進行蝕刻(etching)的エ序；對在所述金屬膜上直接重疊的透明導電膜進行成膜，對所述透明導電膜進行構圖，形成在所述漏極電極上直接重疊的像素電極、和在所述源極電極和所述源極布線上直接重疊配置的透明導電圖案的エ序；將所述像素電極和所述透明導電圖案作為掩摸，對所述金屬膜和所述歐姆接觸膜進行蝕刻，使成為所述薄膜晶體管的溝道區域的所述半導體層露出的エ序；形成覆蓋所述像素電極和所述透明導電圖案的層間絕緣膜的エ序；以及在所述層間絕緣膜上，形成在與所述像素電極之間使邊緣電場產生的對置電極的エ序。發明的效果根據本發明，能夠提供ー種在FFS模式的液晶顯示裝置中，不使用半透過掩模而能夠削減光刻エ序數的薄膜晶體管陣列基板、其制造方法、及液晶顯示裝置。


圖1是表示在實施方式1的液晶顯示裝置中使用的TFT陣列基板的結構的正視圖。圖2是表示實施方式1的TFT陣列基板的像素結構的俯視圖。圖3是表示實施方式1的TFT陣列基板的像素結構的剖視圖。圖4是表示實施方式1的TFT陣列基板的一個制造エ序的俯視圖。圖5是表示實施方式1的TFT陣列基板的一個制造エ序的俯視圖。圖6是表示實施方式1的TFT陣列基板的一個制造エ序的俯視圖。圖7是表示實施方式1的TFT陣列基板的一個制造エ序的俯視圖。圖8是表示實施方式1的TFT陣列基板的一個制造エ序的俯視圖。圖9是表示實施方式1的TFT陣列基板的一個制造エ序的剖視圖。圖10是表示實施方式1的TFT陣列基板的一個制造エ序的剖視圖。圖11是表示實施方式1的TFT陣列基板的一個制造ェ序的剖視圖。
圖12是表示實施方式1的TFT陣列基板的一個制造エ序的剖視圖。圖13是表示實施方式1的TFT陣列基板的一個制造エ序的剖視圖。圖14是表示實施方式2的TFT陣列基板的像素結構的俯視圖。圖15是表示實施方式2的TFT陣列基板的像素結構的剖視圖。圖16是表示實施方式3的TFT陣列基板的像素結構的俯視圖。圖17是表示實施方式3的TFT陣列基板的像素結構的剖視圖。圖18是表示實施方式4的TFT陣列基板的TFT部的結構的圖。圖19是表示實施方式4的TFT陣列基板的ー個制造エ序的圖。附圖標記說明1基板，2半導體層，3歐姆接觸膜，4源極電扱，5漏極電扱，6像素電極，6a透明導電圖案，8對置電極，8a、8b連結部，11柵極絕緣膜，12層間絕緣膜，13接觸孔，14第二金屬圖案，41顯示區域，42框緣區域，43柵極布線，43a共同布線，44源極布線，45掃描信號驅動電路，46顯示信號驅動電路，47 像素，48、49 外部布線，50TFT
具體實施例方式以下，對本發明的優選實施方式進行說明。以下的說明對本發明的實施方式進行說明，本發明并不限定于以下的實施方式。為了說明的明確化，以下的記述和附圖被適宜地省略和簡略化。此外，為了說明的明確化，對應于需要而省略重復說明。再有，在各圖中被賦予相同的附圖標記的部分表示相同的要素，適宜地省略說明。實施方式1首先，使用圖1對本實施方式1的液晶顯示裝置進行說明。圖1是表示在實施方式1的液晶顯示裝置中使用的TFT陣列基板的結構的正視圖。本實施方式1的液晶顯示裝置，是在TFT陣列基板形成了像素電極和對置電極的FFS模式的液晶顯示裝置。關于該液晶顯示裝置的整體結構，在以下敘述的實施方式1 3中是共同的。本實施方式1的液晶顯示裝置具有基板1。基板1例如是TFT陣列基板等的陣列基板。在基板1設置有顯示區域41和以包圍顯示區域41的方式設置的框緣區域42。在該顯示區域41中，形成有多個柵極布線(掃描信號線)43和多個源極布線(顯示信號線)44。 多個柵極布線43平行地設置。同樣地，多個源極布線44平行地設置。柵極布線43與源極布線44以相互交叉的方式形成。以鄰接的柵極布線43與源極布線44包圍的區域成為像素47。因此，在顯示區域41中，像素47排列為矩陣(matrix)狀。在基板1的框緣區域42設置有掃描信號驅動電路45和顯示信號驅動電路46。柵極布線43從顯示區域41延伸設置到框緣區域42，在基板1的端部連接于掃描信號驅動電路45。源極布線44也同樣地，從顯示區域41延伸設置到框緣區域42，在基板1的端部與顯示信號驅動電路46連接。在掃描信號驅動電路45的附近連接有外部布線48。此外，在顯示信號驅動電路46的附近連接有外部布線49。外部布線48、49例如是FPC (撓性印刷電路，Flexible Printed Circuit)等的布線基板。來自外部的各種信號經由外部布線48、49供給到掃描信號驅動電路45、及顯示信號驅動電路46。掃描信號驅動電路45基于來自外部的控制信號，將柵極信號(掃描信號) 供給到柵極布線43。根據該柵極信號，依次選擇柵極布線43。顯示信號驅動電路46基于來自外部的控制信號、顯示數據(data)，將顯示信號供給到源極布線44。由此，能夠將與顯示數據對應的顯示電壓對各像素47供給。在像素47內至少形成有1個TFT50。TFT50配置在源極布線44與柵極布線43的交叉點附近。例如，該TFT50對像素電極供給顯示電壓。即，根據來自柵極布線43的柵極信號，作為開關(switching)元件的TFT50接通(on)。由此，顯示電壓從源極布線44施加到連接于TFT50的漏極電極的像素電極。進而，像素電極與具有狹縫(slit)的共同電極(對置電極)隔著絕緣膜相向配置。在像素電極與對置電極之間，產生對應于顯示電壓的邊緣電場。再有，在基板1的表面，形成有取向膜(未圖示)。關于像素47的詳細的結構，在后面敘述。進而，對置基板與基板1相向地配置。對置基板例如是濾色(color filter)基板， 配置在視認側。在對置基板形成有濾色片、黑矩陣(black matrix) (BM)、以及取向膜等。在基板1與對置基板之間夾持有液晶層。即，在基板1與對置基板之間導入有液晶。進而，在基板1和對置基板的外側的面，設置偏振片、以及相位差板等。此外，在液晶顯示面板(panel) 的視認相反側，配置背光燈単元(back light unit)等。通過像素電極和對置電極之間的邊緣電場，從而驅動液晶。即，基板間的液晶的取向方向變化。由此，通過液晶層的光的偏振狀態變化。即，通過偏振片而成為直線偏振光的光通過液晶層，偏振狀態變化。具體地，來自背光燈単元的光通過陣列基板側的偏振片而成為直線偏振光。該直線偏振光通過液晶層，由此偏振狀態變化。根據偏振狀態，通過對置基板側的偏振片的光量變化。即，在從背光燈単元起透過液晶顯示面板的透過光中，通過視認側的偏振片的光的光量變化。液晶的取向方向根據被施加的顯示電壓而變化。因此，通過控制顯示電壓，能夠使通過視認側的偏振片的光量變化。即，通過按像素的每ー個改變顯示電壓，能夠顯示所希望的圖像。接著，使用圖2及圖3對本實施方式1的液晶顯示裝置的像素結構進行說明。圖 2是表示實施方式1的TFT陣列基板的像素結構的俯視圖。圖3是表示實施方式1的TFT 陣列基板的像素結構的剖視圖。圖2表示TFT陣列基板的一個像素47。圖3(a)是圖2的 IIIA-IIIA剖視圖，圖3(b)是圖2的IIIB-IIIB剖視圖，圖3(c)是圖2的IIIC-IIIC剖視圖。在圖2及圖3中，在玻璃(glass)等的透明的絕緣性基板1上，形成有與TFT50的柵極電極連接的柵極布線43。在這里，柵極布線43以其一部分構成柵極電極的方式形成。 柵極布線43以在基板1上在ー個方向直線地延伸的方式而配置。此外，在基板1上，多個共同布線43a通過與柵極布線43相同的層而形成。共同布線43a配置在鄰接的柵極布線 43之間。多個共同布線43a平行地設置。共同布線43a和柵極布線43以相互大致平行的方式配置。柵極布線43和共同布線43a通過第一金屬膜而形成，該第一金屬膜包括例如 Cr、Al、Ta、Ti、Mo、W、Ni、Cu、Au、Ag或以它們作為主成分的合金膜、或它們的層疊膜。
以覆蓋柵極布線43和共同布線43a的方式，設置有作為第一絕緣膜的柵極絕緣膜 11。柵極絕緣膜11例如通過氮化硅(Silicon)、氧化硅等絕緣膜形成。在柵極絕緣膜11上形成有半導體層2。在本實施方式1中，以與柵極布線43和共同布線43a交叉的方式，直線狀地形成有半導體層2。在這里，例如與柵極布線43和共同布線43a正交。該半導體層2以在基板1上在與柵極布線43交叉的方向上直線地延伸的方式而配置。半導體層2設置間隔而配置有多個。半導體層2在與柵極布線43的交叉部中分叉。分叉了的半導體層2沿著柵極布線43延伸，進ー步向像素47內延伸。在TFT50的形成區域中，半導體層2隔著柵極絕緣膜 11在柵極電極的對面設置。即，在從與柵極布線43的交叉部分叉的半導體層2中，與柵極電極重復的部分作為構成TFT50的活性區域而發揮功能。在這里，半導體層2的活性區域以與柵極布線43重疊的方式在柵極絕緣膜11上形成，與該半導體層2的活性區域重復的區域的柵極布線43成為柵極電極。半導體層2例如通過非晶硅、多晶硅等形成。再有，在與柵極布線43交叉的方向上延伸的直線狀的半導體層2，能夠作為后述的源極布線44的冗余布線而利用。即，該直線狀的半導體層2是配合源極布線44的形成區域而形成的，即使在源極布線44斷線的情況下也能夠防止電信號的中斷。在半導體層2上，形成有摻雜了(doping)導電性雜質的歐姆接觸膜3。歐姆接觸膜3在除了 TFT50的溝道區域之外的半導體層2上的大致整個面配置。在與柵極電極重復的半導體層2中，對應于歐姆接觸膜3的半導體層2的區域成為源極/漏極區域。具體地說，圖3 (a)中的與柵極電極重復的左側的歐姆接觸膜3所對應的半導體層2的區域成為源極區域。而且，圖3(a)中的與柵極電極重復的右側的歐姆接觸膜3所對應的半導體層2的區域成為漏極區域。這樣，在構成TFT50的半導體層2的活性區域的兩端形成有源扱/漏極區域。而且，半導體層2的源扱/漏極區域所夾持的區域成為溝道區域。在半導體層2的溝道區域上，沒有形成歐姆接觸膜3。歐姆接觸膜3例如由被高濃度地摻雜了磷(phosphorus) (P)等的雜質的、η型非晶硅或η型多晶硅等形成。在歐姆接觸膜3上，形成有源極電極4、漏極電極5、以及源極布線44。具體地，在半導體層2的源極區域側的歐姆接觸膜3上，形成有源極電極4。而且，在漏極區域側的歐姆接觸膜3上，形成有漏極電極5。像這樣，構成溝道蝕刻(charmel-etch)型的TFT50。而且，源極電極4和漏極電極5以向半導體層2的溝道區域的外側延伸的方式形成。S卩，源極電極4及漏極電極5與歐姆接觸膜3同樣地，不在半導體層2的溝道區域上形成。源極電極4向半導體層2的溝道區域的外側延伸，與源極布線44連接。S卩，源極布線44與源極電極4連接。源極布線44在半導體層2上隔著歐姆接觸膜3形成，在基板 1上以在與柵極布線43交叉的方向上直線延伸的方式配置。因此，源極布線44在與柵極布線43的交叉部中分叉，然后沿著柵極布線43延伸，成為源極電極4。源極電極4、漏極電極5、以及源極布線44通過第二金屬膜形成，該第二金屬膜包括例如Cr、Al、Ta、Ti、Mo、W、 Ni、Cu、Au、Ag或以它們作為主成分的合金膜、或它們的層疊膜。像這樣，在本實施方式1中，半導體層2成為如下結構，即在源極布線44下的大致整個面、源極電極4下的大致整個面、漏極電極5下的大致整個面、柵極電極的對面配置。而且，在這里，成為如下結構，即在源極布線44、源極電極4、以及漏極電極5，與半導體層2之間，分別進ー步形成有歐姆接觸膜3。
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漏極電極5向半導體層2的溝道區域的外側延伸，與像素電極6電連接。在本實施方式1中，像素電極6在漏極電極5上直接重疊而形成。即，像素電極6的下表面(下側的表面)以與漏極電極5的上表面(上側的表面)直接接觸的方式而形成。此外，像素電極6在漏極電極5上的大致整個面形成。而且，像素電極6從漏極電極5上向像素47內延伸，如圖2和圖3所示，在構成像素47的由源極布線44和柵極布線43包圍的區域的大致整個面形成。即，像素電極6以其一部分重復于漏極電極5的方式配置。這時，像素電極6 的溝道區域側的圖案端部，以配置在與漏極電極5的溝道區域側的圖案端部大致相同位置的方式，重復配置。因此，漏極電極5的溝道區域側的圖案端部沒有被像素電極6覆蓋。而且，像素電極6例如以覆蓋漏極電極5的溝道區域側以外的圖案端部的方式形成。像素電極6通過ITO等的第一透明導電膜形成。像這樣，像素電極6不隔著絕緣膜，而在源極電極4、漏極電極5、以及源極布線44 的上層直接重疊而形成。通過這樣的結構，不再需要用于將像素電極6與漏極電極5電連接的接觸孔。這是因為，通過以將像素電極6的一部分直接重疊于漏極電極5上的方式進行配置，能夠獲得它們之間的電連接。因此，對漏極電極5和像素電極6的連接，能夠不設置對接觸孔進行配置的區域(area)來構成像素47，因此能夠提高開口率。此外，在本實施方式1中，通過與像素電極6相同的第一透明導電膜，形成有透明導電圖案6a。透明導電圖案6a在源極電極4和源極布線44上的大致整個面直接重疊形成。透明導電圖案6a例如以覆蓋源極電極4和源極布線44的方式形成。但是，源極電極4 的溝道區域側的圖案端部沒有被透明導電圖案6a覆蓋。因此，透明導電圖案6a的溝道區域側的圖案端部與溝道區域側的源極電極4的圖案端部成為大致相同的位置。透明導電圖案6a和像素電極6以相互離開的方式配置。此外，透明導電圖案6a和像素電極6不在半導體層2的溝道區域上設置。像這樣，在本實施方式1中，成為如下結構，即，在由第二金屬膜構成的源極電極 4、漏極電極5、以及源極布線44上，層疊形成由第一透明導電膜構成的像素電極6或透明導電圖案6a。在這里，通過第一透明導電膜形成的圖案，以完全覆蓋第二金屬膜形成的圖案中的、除了 TFT50的溝道區域之外全部的區域的方式形成。由此，能夠將用于對各像素47供給顯示信號的源極布線44作為第二金屬膜和第一透明導電膜的2層的層疊結構。因此，具有抑制源極布線44的短線的發生的效果。即，在源極布線44上層疊的透明導電圖案6a與源極布線44下的半導體層2同樣地，能夠作為源極布線44的冗余布線進行利用。因此，即使在源極布線44短線的情況下也能夠防止顯示信號中斷。以覆蓋像素電極6和透明導電圖案6a的方式，設置有作為第二絕緣膜的層間絕緣膜12。層間絕緣膜12覆蓋TFT50。層間絕緣膜12通過氮化硅、氧化硅等的絕緣膜形成。而且，在本實施方式1中，在層間絕緣膜12上形成有對置電極8。對置電極8隔著層間絕緣膜12配置在像素電極6的對面，在與像素電極6之間設置有用于使邊緣電場產生的狹縫。該狹縫如圖2所示，與源極布線44大致并行地設置有多個。狹縫例如在與柵極布線43交叉的方向上直線狀地設置。對置電極8經由貫通層間絕緣膜12和柵極絕緣膜11的接觸孔13與共同布線43a 電連接。此外，對置電極8以與夾著柵極布線43而鄰接的像素電極47的對置電極8連接的方式形成。即，對置電極8以與夾著柵極布線43而鄰接的像素電極47的對置電極8連接的方式而整體地形成。具體地，夾著柵極布線43而鄰接的像素電極47的對置電極8在連結部8a連接。該連結部8a以越過柵極布線43的方式形成，對夾著柵極布線43而鄰接的像素47的對置電極8的彼此進行連結。在這里，對置電極8的連結部8a以越過不與源極布線44或TFT50重復的區域的柵極布線43的方式形成。即，對置電極8以與柵極布線 43的至少一部分重合的方式形成。對置電極8通過ITO等的第二透明導電膜形成。接著，使用圖4 圖13對本實施方式1的液晶顯示裝置的制造方法進行說明。圖 4 圖8是表示實施方式1的TFT陣列基板的一個制造工序的俯視圖。此外，圖9 圖13 是表示實施方式1的TFT陣列基板的一個制造工序的剖視圖。在圖9 圖13的各圖中， (a)表示對應于圖2的IIIA-IIIA剖面處的剖視圖，(b)表示對應于圖2的IIIB-IIIB剖面處的剖視圖，(c)表示對應于圖2的IIIC-IIIC剖面處的剖視圖。即，這些圖是分別對應于圖3的各圖處的各個制造工序的剖視圖。首先在最初，在玻璃等的透明絕緣性的基板1上的整個面，對第一金屬膜進行成膜，該第一金屬膜包括例如Cr、Al、Ta、Ti、Mo、W、Ni、Cu、Au、Ag或以它們作為主成分的合金膜、或它們的層疊膜。例如，使用濺射(sputter)法或蒸鍍法等在基板1整個面進行成膜。 之后，涂覆抗蝕劑(resist)，對涂覆了的抗蝕劑從光掩模(photomask)上進行曝光，使抗蝕劑感光。接著，對感光后的抗蝕劑進行顯影，對抗蝕劑進行構圖。以后，將該一連串的工序稱為光刻工序。之后，將該抗蝕劑圖案作為掩模進行蝕刻，除去光抗蝕劑圖案。以后，將這樣的工序稱為微細加工技術。由此，如圖4和圖9所示，柵極電極、柵極布線43、以及共同布線43a被構圖。像這樣，通過第一光刻工序和微細加工技術，形成柵極電極、柵極布線43、以及共同布線43a。接著，以覆蓋柵極電極、柵極布線43、和共同布線43a的方式，對成為柵極絕緣膜 11的第一絕緣膜、半導體層2、以及歐姆接觸膜3以該順序進行成膜。例如，使用等離子體 (plasma)CVD、常壓CVD、減壓CVD等，在基板1的整個面上對其進行成膜。作為柵極絕緣膜 11，能夠使用氮化硅、氧化硅等。再有，柵極絕緣膜11為了防止針孔(pinhole)等的膜缺損的產生導致的短路，優選分為多次進行成膜。對于半導體層2，能夠使用非晶硅、多晶硅 (poly silicon)等。此外，對于歐姆接觸膜3，能夠使用高濃度地添加了磷(P)等的雜質的 η型非晶硅或η型多晶硅等。接著，在本實施方式1中，在成膜后的歐姆接觸膜3上，進一步對第二金屬膜進行成膜，該第二金屬膜包括例如Cr、Al、Ta、Ti、Mo、W、Ni、Cu、Au、Ag或以它們作為主成分的合金膜、或它們的層疊膜。例如，使用濺射法或蒸鍍法等進行成膜。之后，通過第二光刻工序以及微細加工技術，對第二金屬膜進行構圖。由此，通過第二金屬膜形成源極布線44、和從源極布線44分叉并向TFT50的形成區域上延伸的部分。該從源極布線44分叉的部分， 以從源極布線44的與柵極布線43的交叉部起分叉并向像素47內延伸的方式形成，成為包含在后面的工序中分離的源極電極4和漏極電極5的形狀。即，在該時刻，在溝道區域上殘存第二金屬膜，成為源極電極4和漏極電極5連接的圖案。即，當對第二金屬膜進行構圖時，形成在成為TFT50的溝道區域的半導體層2上連結的狀態的源極電極4和漏極電極5， 和連接于該源極電極4的源極布線44。接著，將被構圖后的第二金屬膜的圖案、或在對第二金屬膜進行構圖時使用的抗蝕劑圖案(或將在對第二金屬膜進行構圖時使用的抗蝕劑圖案殘留的狀態下)作為掩模，對歐姆接觸膜3和半導體層2進行蝕刻。由此，如圖5和圖10所示，除去沒有被第二金屬膜覆蓋的部分的歐姆接觸膜3和半導體層2。以這樣的方式，對歐姆接觸膜3和半導體層 2進行構圖，由此能夠將歐姆接觸膜3和半導體層2的構圖、和源極布線44的構圖統合起來。即，能夠以一次的光刻工序，進行歐姆接觸膜3和半導體層2的構圖、和源極布線44的構圖。接著，在其上通過濺射法等在基板1的整個面上對ITO等第一透明導電膜進行成膜。之后，通過第三光刻工序以及微細加工技術，對該第一透明導電膜進行構圖。在本實施方式1中，以在像素電極6的形成區域上、和除了 TFT50的溝道區域之外的第二金屬膜圖案上，殘留第一透明導電膜的方式進行構圖。由此，在源極布線44上、和從源極布線44分叉的部分的成為源極電極4的區域上，形成透明導電圖案6a。此外，在從源極布線44分叉的部分中的成為漏極電極5的區域上，以一部分重疊的方式形成像素電極6。通過第一透明導電膜形成的透明導電圖案6a和像素電極6，在后述的溝道蝕刻工序中作為蝕刻阻擋(barrier) 圖案而發揮功能。接著，將像素電極6和透明導電圖案6a作為掩模，對第二金屬膜和溝道區域上的歐姆接觸膜3進行蝕刻。具體地，通過蝕刻對不被像素電極6或透明導電圖案6a覆蓋而露出的部分的第二金屬膜進行除去。由此，溝道區域上的第二金屬膜被除去，源極電極4和漏極電極5分離。進而，對通過除去第二金屬膜而在表面露出的、溝道區域上的歐姆接觸膜3 通過蝕刻進行除去。由此，如圖6和圖11所示，成為TFT50的溝道區域的半導體層2露出。 像這樣，在本實施方式1中，將通過第一透明導電膜形成的透明導電圖案6a和像素電極6 作為蝕刻阻擋圖案進行使用，能夠除去溝道區域上的第二金屬膜和歐姆接觸膜3。再有，在上述說明中，將像素電極6和透明導電圖案6a作為掩模進行蝕刻，但將對像素電極6和透明導電圖案6a進行構圖時使用的抗蝕劑圖案直接作為掩模，進行第二金屬膜和歐姆接觸膜3的蝕刻也可。接著，從其上，對成為層間絕緣膜12的第二絕緣膜進行成膜。例如，作為層間絕緣膜12使用CVD法等在基板1的整個面成膜氮化硅、氧化硅等的無機絕緣膜。由此，像素電極6和透明導電圖案6a被層間絕緣膜12覆蓋。此外，半導體層2的溝道區域被層間絕緣膜12覆蓋。之后，通過第四光刻工序以及微細加工技術，在層間絕緣膜12和柵極絕緣膜11 形成接觸孔。由此，如圖7和圖12所示，形成到達共同布線43a的接觸孔，共同布線43a — 部分露出。再有，在框緣區域42中，用于與掃描信號驅動電路45或顯示信號驅動電路46 連接的端子(未圖示)通過與柵極布線43或源極布線44相同的層而形成。因此，在第四光刻工序和微細加工技術中，與到達共同布線43a的接觸孔13 —起，在層間絕緣膜12和柵極絕緣膜11形成到達這些端子的接觸孔。接著，在層間絕緣膜12上通過濺射法等在基板1的整個面上對ITO等第二透明導電膜進行成膜。之后，通過第五光刻工序以及微細加工技術，對該第二透明導電膜進行構圖。由此，如圖8和圖13所示，隔著層間絕緣膜12在像素電極6的對面，以經由接觸孔13 與共同布線43a連接的方式形成具有狹縫的對置電極8。再有，在框緣區域42中，經由接觸孔與柵極端子連接的柵極端子焊盤(pad)通過與對置電極8相同的第二透明導電膜而形成。同樣地，經由接觸孔與源極端子連接的源極端子焊盤(pad)通過與對置電極8相同的第二透明導電膜而形成。
通過以上的工序，完成本實施方式1的TFT陣列基板。像這樣，在本實施方式1中， 不使用作為通常的工序削減方法的半透過掩模，能夠至少以(1)柵極電極(第一金屬膜)、 ⑵源極/漏極電極(第二金屬膜)、⑶像素電極和透明導電圖案、⑷接觸孔、(5)對置電極這5次光刻工序形成TFT陣列基板。由此，能夠使光刻工序數與通常的液晶顯示裝置的TN模式的TFT陣列基板制造所需要的光刻工序數同等。特別是，能夠在現有的FFS模式的液晶顯示裝置中，將為了制造TFT陣列基板至少需要的(1)對置電極、(2)柵極電極(第一金屬膜)、(3)半導體層、(4)源極/漏極電極 (第二金屬膜)、( 接觸孔、(6)像素電極這6次光刻工序中的、C3)半導體層、(4)源極/ 漏極電極(第二金屬膜)、(6)像素電極這3次光刻工序，在本實施方式1中集約到(2)第二金屬膜、C3)像素電極和透明導電圖案這2次通常的光刻工序中。因此，不使用半透過掩模，能夠削減制造FFS模式的液晶顯示裝置的TFT陣列基板所需要的光刻工序數，能夠降低制造成本。在以該方式制作的TFT陣列基板上，在以后的單元(cell)工序中形成取向膜。此外，在另外制作的對置基板上也同樣地形成取向膜。然后，對該取向膜，使用摩擦(riAbing) 等的方法，在與液晶的接觸面實施在一個方向上賦予微細(micro)的傷痕的取向處理。接著，在基板周緣部涂覆密封(sealing)材料，將TFT陣列基板和對置基板以相互的取向膜相向的方式以規定的間隔粘合。在將TFT陣列基板和對置基板粘合之后，使用真空注入法等， 從液晶注入口注入液晶。然后，密封液晶注入口。在這樣形成的液晶單元的兩面上粘貼偏振片，連接驅動電路之后，安裝背光燈單元。這樣，完成了本實施方式1的液晶顯示裝置。再有，在本實施方式1中，說明了夾著柵極布線43而鄰接的像素47間的對置電極 8以連結的方式形成，但對置電極8的形狀不限定于此。對應于各像素47的對置電極8經由接觸孔13與共同布線43a電連接。因此，如果對該共同布線43a施加相同信號的話，夾著柵極布線43而鄰接的像素47間的對置電極8也可以以相互離開的方式形成。如上所述，在本實施方式1中，在第二光刻工序中，對第二金屬膜進行構圖，形成在溝道區域連接的形狀的源極/漏極電極、和源極布線44。然后，將構圖后的第二金屬膜的圖案作為掩模，對歐姆接觸膜3和半導體層2進行蝕刻。之后，在其上以直接重疊的方式對第一透明導電膜進行成膜，在第三光刻工序中，將構圖后的第一透明導電膜作為掩模，進一步對溝道區域上的第二金屬膜和歐姆接觸膜3進行蝕刻除去。由此，不使用半透過掩模，能夠削減TFT陣列基板的制造所需要的光刻工序數。因此，工程管理不會變得復雜，能夠進一步使大量生產穩定化，并且能夠抑制掩模費用。在以這樣方式形成的TFT陣列基板中，在構成源極布線44、源極電極4、以及漏極電極5等的第二金屬膜之下的大致整個區域(整個面)，隔著歐姆接觸膜3存在半導體層2。 此外，在構成源極布線44、源極電極4、以及漏極電極5等的第二金屬膜上的大致整個區域 (整個面)直接重疊地存在有構成像素電極6、透明導電圖案6a等的第一透明導電膜。由此，成為透明導電圖案6a在源極布線44上層疊的結構，成為源極布線44的冗余布線。因此，即使源極布線44斷線，也能夠防止顯示信號的中斷。實施方式2使用圖14及圖15對本實施方式2的液晶顯示裝置的像素結構進行說明。圖14 是表示實施方式2的TFT陣列基板的像素結構的俯視圖。圖15是表示實施方式2的TFT陣列基板的像素結構的剖視圖。圖14表示TFT陣列基板的一個像素47。圖15(a)是圖14 的XVA-XVA剖視圖，圖15 (b)是圖14的XVB-XVB剖視圖，圖15 (c)是圖14的XVC-XVC剖視圖。在本實施方式2中，僅是對置電極8的形狀與實施方式1不同，除此之外的結構與實施方式1相同，因此省略說明。在本實施方式2中，對置電極8以覆蓋位于源極布線44上的透明導電圖案6a的方式形成。具體地，如圖14和圖15(b)所示，隔著層間絕緣膜12在源極布線44的對面，配置有比源極布線44和透明導電圖案6a寬度寬的對置電極8。對置電極8覆蓋像素47的源極布線44、和位于其上的透明導電圖案6a的大部分。即，源極布線44和位于其上的透明導電圖案6a中的、除了與柵極布線43交叉的部分之外的區域的大部分，與對置電極8重合。 因此，對置電極8以與源極布線44和位于其上的透明導電圖案6a在固定的區域中重合的方式形成，與夾著源極布線44而鄰接的像素47的對置電極8連接。該重合區域的對置電極8與源極布線44和位于其上的透明導電圖案6a的寬度相比以寬度寬的方式形成。再有，在本實施方式2中，與實施方式1同樣地，如圖14和圖15所示，在構成源極布線44、源極電極4、以及漏極電極5等的第二金屬膜下的大致整個區域(整個面)，隔著歐姆接觸膜3存在半導體層2。此外，在構成源極布線44、源極電極4、以及漏極電極5等的第二金屬膜上的大致整個區域(整個面)，直接重疊地存在有構成像素電極6、透明導電圖案 6a等的第一透明導電膜。這樣構成的TFT陣列基板在第五光刻工序和微細加工技術中，形成與實施方式1 不同形狀的對置電極8即可。關于除此之外的制造工序與實施方式1相同，因此省略說明。如上所述，在本實施方式2中，以覆蓋源極布線44和位于其上的透明導電圖案6a 的層疊膜中的、除去與柵極布線43交叉的部分之外的區域的大部分的方式，形成對置電極 8。由此，能夠通過對置電極8有效地對從源極布線44、和源極布線44上的透明導電圖案 6a產生的漏電場進行遮蔽。因此，能夠降低由來自源極布線44和其上形成的透明導電圖案 6a的漏電場引起的串擾(cross talk)。此外，能夠發揮與實施方式1同樣的效果。實施方式3使用圖16及圖17對本實施方式3的液晶顯示裝置的像素結構進行說明。圖16 是表示實施方式3的TFT陣列基板的像素結構的俯視圖。圖17是表示實施方式3的TFT 陣列基板的像素結構的剖視圖。圖16表示TFT陣列基板的一個像素47。圖17(a)是圖16 的XVIIA-XVIIA剖視圖，圖17(b)是圖16的XVIIB-XVIIB剖視圖。在實施方式1中，是如下結構，即從經由各像素47的接觸孔13電連接的共同布線 43a對各像素47的對置電極8供給信號的結構，但在本實施方式3中，是如下結構，即經由以在鄰接的全部像素47中連接的方式形成的對置電極8，從顯示區域41的周邊部向對置電極8供給信號。具體地，如圖16所示，夾著柵極布線43而鄰接的像素電極47的對置電極8在連結部8a連接。該連結部8a以越過柵極布線43的方式形成，對夾著柵極布線43而鄰接的像素47的對置電極8的彼此進行連結。在這里，對置電極8的連結部8a以跨過不與源極布線44或TFT50重復的區域的柵極布線43的方式形成。此外，夾著源極布線44而鄰接的像素電極47的對置電極8在連結部8b連接。該連結部8b以越過源極布線44的方式形成，對夾著源極布線44而鄰接的像素47的對置電極8的彼此進行連結。在這里，與實施方式2同樣地，對置電極8的連結部8b以跨過源極布線44和位于其上的透明導電圖案6a的層疊膜中的、除去與柵極布線43交叉的部分之外的區域的大部分的方式形成。像這樣，對置電極8以與鄰接的全部像素47的對置電極8平面式連接的方式形成，進行電連接。即，成為顯示區域41內的全部像素47的對置電極8電連接的狀態。因此， 盡管通過電阻率比較高的透明導電膜形成，但能夠降低對置電極8的電阻。因此，在本實施方式3中，如圖16所示，不需要形成為了向各像素47的對置電極8供給信號而配置的電阻率比較低的非透過的共同布線43a。此外，也不需要形成用于取得與共同布線43a的連接的接觸孔13。再有，在本實施方式3中，與實施方式1同樣地，如圖16和圖17所示，在構成源極布線44、源極電極4、以及漏極電極5等的第二金屬膜下的大致整個區域(整個面)，隔著歐姆接觸膜3存在半導體層2。此外，在構成源極布線44、源極電極4、以及漏極電極5等的第二金屬膜上的大致整個區域(整個面)，直接重疊地存在有構成像素電極6、透明導電圖案 6a等的第一透明導電膜。在這樣結構的TFT陣列基板中，也可以不在第一光刻工序和微細加工技術中形成共同布線43a。此外，也可以不在第四光刻工序和微細加工技術中形成各像素47的接觸孔 13。但是，在顯示區域41的周邊部需要設置接觸孔，向對置電極8供給信號。而且，在第五光刻工序和微細加工技術中，形成與實施方式1不同形狀的對置電極8即可。除此之外的制造工序與實施方式1相同，因此省略說明。如上所述，在本實施方式3中，將對置電極8以在鄰接的像素間連接的方式形成。 即，對置電極8跨過源極布線44和柵極布線43與鄰接的像素的對置電極8連接而形成。由此，顯示區域41內的全像素47的對置電極8整體形成，進行電連接。由此，能夠降低對置電極8的電阻，不需要形成非透過的共同布線43a，能夠提高開口率。此外，能夠發揮與實施方式1同樣的效果。實施方式4使用圖8對本實施方式4的液晶顯示裝置進行說明。圖18是表示實施方式4的 TFT陣列基板的TFT部的結構的圖。圖18(a)是表示實施方式4的TFT陣列基板的TFT部的結構的俯視圖，圖18(b)是圖18(a)的XVIIIB-XVIIIB剖視圖。圖18表示設置在TFT陣列基板的各像素47的TFT50的一個。在本實施方式4中，與實施方式1 3不同結構的 TFT50設置于TFT陣列基板，除此之外的結構與實施方式1 3相同，因此省略說明。在本實施方式4中，如圖18所示，在柵極布線43上，像素電極6和透明電極圖案 6a以與半導體層2的圖案端部相比配置于內側的方式形成。即，在實施方式1 3中，像素電極6和透明電極圖案6a以覆蓋源極電極4和漏極電極5的溝道區域側以外的圖案端部的方式形成，是與隔著在其下設置的歐姆接觸膜3而存在的半導體層2的端部相接的結構。另一方面，在本實施方式4中，像素電極6和透明電極圖案6a對源極電極4和漏極電極5的溝道區域側以外的圖案端部與溝道區域側的圖案端部同樣地沒有進行覆蓋。而且，在與柵極電極相向的區域中，像素電極6的圖案端部與漏極電極5的圖案端部成為大致相同的位置。同樣地，在與柵極電極相向的區域中，透明導電圖案6a的圖案端部與源極電極4的圖案端部成為大致相同的位置。像這樣，本實施方式4的TFT50是通過
15第一透明導電膜形成的像素電極6和透明導電圖案6a在柵極電極上不與半導體層2的端部相接的結構。在這里，在半導體層2的圖案端部存在導電性的殘渣的可能性高，當像素電極6 或透明導電圖案6a與該半導體層2的圖案端部在柵極電極上相接時，有時TFT50的斷開 (off)電流增加。相對于此，在本實施方式4中，由于是像素電極6和透明導電圖案6a在柵極電極上不與半導體層2的端部相接的結構，所以能夠抑制TFT50的斷開電流的增加。接著，使用圖19對本實施方式4的液晶顯示裝置的制造方法進行說明。圖19是表示實施方式4的TFT陣列基板的一個制造工序的圖。圖19(a)是表示像素電極和透明導電圖案形成后的TFT部的俯視圖，圖19(b)是圖19(a)的XIXB-XIXB剖視圖。在本實施方式4中，僅是像素電極6和透明導電圖案6a的形成工序與實施方式1 3不同，除此之外的工序與實施方式1 3相同，因此省略說明。S卩，如圖19所示，將在基板1整個面成膜的第一透明導電膜，以使柵極電極上的第二金屬膜圖案14的端部露出的方式進行構圖，形成像素電極6和透明導電圖案6a。然后， 使用以該方式柵極電極上的第二金屬膜圖案14的端部露出的像素電極6和透明導電圖案 6a，對露出部分的第二金屬膜和歐姆接觸膜3進行蝕刻即可。如上所述，在本實施方式4中，像素電極6和透明電極圖案6a在與柵極電極相向的位置中，以在俯視中配置于半導體層2的圖案內側的方式形成。由此，能夠作為像素電極6和透明導電圖案6a在柵極電極上不與半導體層2的端部相接的結構。因此，能夠抑制 TFT50的斷開電流的增加。此外，能夠發揮與實施方式1 3同樣的效果。再有，在實施方式1 3中，針對對置電極8的狹縫的方向與源極布線44是平行的情況例示地進行了說明，但并不局限于此。對置電極8的狹縫的方向不僅是與源極布線44 平行的方向，也可以是任意的方向、或任意的不同方向的組合。此外，對置電極8的形狀并不限定于狹縫狀，例如是梳齒狀等，能夠在與像素電極6之間使邊緣電場產生的形狀即可。此外，實施方式1 3的像素結構中的TFT50也可以與實施方式4中說明的結構的TFT50置換。進而，本發明不限定于具有在實施方式1 4說明的結構的TFT50的TFT 陣列基板，對于具有像素電極6直接重疊于漏極電極5上而形成的其他結構的TFT50的TFT 陣列基板也能夠應用。以上的說明是說明本發明的實施方式的一個例子，本發明并不限定于上述實施方式1 4。此外，只要是本領域技術人員，能夠在本發明的范圍中容易地對以上的實施方式 1 4的各要素進行變更、追加、變換。
權利要求
1.ー種薄膜晶體管陣列基板，具有薄膜晶體管，其中，具有 柵極布線，在基板上形成，與所述薄膜晶體管的柵極電極連接； 柵極絕緣膜，覆蓋所述柵極電極和所述柵極布線；源極布線，在所述柵極絕緣膜上形成，與所述薄膜晶體管的源極電極連接； 半導體層，在所述柵極絕緣膜上形成，在所述薄膜晶體管的漏極電極下的整個面、所述源極電極下的整個面、所述源極布線下的整個面、以及所述柵極電極的對面配置； 像素電極，在所述漏極電極上直接重疊形成，與所述漏極電極電連接； 透明導電圖案，在所述源極電極和所述源極布線上，通過與所述像素電極相同的層而直接重疊形成；層間絕緣膜，覆蓋所述像素電極和所述透明導電圖案；以及對置電扱，在所述層間絕緣膜上形成，在與所述像素電極之間使邊緣電場產生， 所述像素電極和所述透明導電圖案在與所述柵極電極對置的位置中，以在俯視中配置于所述半導體層的圖案內側的方式形成。
2.ー種薄膜晶體管陣列基板，具有薄膜晶體管，其中，具有 柵極布線，在基板上形成，與所述薄膜晶體管的柵極電極連接； 柵極絕緣膜，覆蓋所述柵極電極和所述柵極布線；源極布線，在所述柵極絕緣膜上形成，與所述薄膜晶體管的源極電極連接； 半導體層，在所述柵極絕緣膜上形成，在所述薄膜晶體管的漏極電極下的整個面、所述源極電極下的整個面、所述源極布線下的整個面、以及所述柵極電極的對面配置； 像素電極，在所述漏極電極上直接重疊形成，與所述漏極電極電連接； 透明導電圖案，在所述源極電極和所述源極布線上，通過與所述像素電極相同的層而直接重疊形成；層間絕緣膜，覆蓋所述像素電極和所述透明導電圖案；對置電扱，在所述層間絕緣膜上形成，在與所述像素電極之間使邊緣電場產生；以及共同布線，在與所述柵極布線相同的層形成，所述對置電極經由貫通所述柵極絕緣膜和所述層間絕緣膜的接觸孔而與所述共同布線電連接。
3.根據權利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述對置電極以與所述源極布線和所述源極布線上的所述透明導電圖案在固定的區域中重合的方式形成，與夾著所述源極布線而鄰接的像素的所述對置電極連接。
4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，與所述源極布線和所述源極布線上的所述透明導電圖案重合的區域的所述對置電極，以與所述源極布線和所述源極布線上的所述透明導電圖案的寬度相比寬度寬的方式形成。
5.根據權利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述對置電極在不與所述柵極布線和所述源極布線的交叉部以及所述薄膜晶體管重復的區域中形成。
6.根據權利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述對置電極以與夾著所述柵極布線而鄰接的像素的所述對置電極連接的方式形成。
7.根據權利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，還具有歐姆接觸膜，在所述源極電極和所述半導體層之間、所述漏極電極和所述半導體層之間、以及所述源極布線和所述半導體層之間形成，所述半導體層隔著所述歐姆接觸膜與所述源極電極和所述漏極電極電連接。
8.ー種液晶顯示裝置，其中，具有權利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列基板。
9.ー種具有薄膜晶體管的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其中，具備在基板上形成所述薄膜晶體管的柵極電極、和連接于所述柵極電極的柵極布線的エ序；形成覆蓋所述柵極電極和所述柵極布線的柵極絕緣膜的エ序； 在所述柵極絕緣膜上，依次成膜半導體層、歐姆接觸膜、金屬膜的エ序； 對所述金屬膜進行構圖，形成在成為所述薄膜晶體管的溝道區域的所述半導體層上連結的狀態的所述薄膜晶體管的源極電極和漏極電極、和連接于所述源極電極的源極布線的エ序；將被構圖的所述金屬膜作為掩摸，對所述半導體層和所述歐姆接觸膜進行蝕刻的エ序；對在所述金屬膜上直接重疊的透明導電膜進行成膜，對所述透明導電膜進行構圖，形成在所述漏極電極上直接重疊的像素電極、和在所述源極電極和所述源極布線上直接重疊配置的透明導電圖案的エ序；將所述像素電極和所述透明導電圖案作為掩摸，對所述金屬膜和所述歐姆接觸膜進行蝕刻，使成為所述薄膜晶體管的溝道區域的所述半導體層露出的エ序；形成覆蓋所述像素電極和所述透明導電圖案的層間絕緣膜的エ序；以及在所述層間絕緣膜上，形成在與所述像素電極之間使邊緣電場產生的對置電極的エ序，在形成所述像素電極和所述透明導電圖案的エ序中，在與所述柵極電極對置的位置中，以在俯視中配置于所述半導體層的圖案內側的方式形成所述像素電極和所述透明導電圖案，在所述對置電極的形成エ序中，以與所述源極布線和所述源極布線上的所述透明導電圖案在固定的區域中重合，與夾著所述源極布線而鄰接的像素的所述對置電極連接的方式形成所述對置電極，所述對置電極在不與所述柵極布線和所述源極布線的交叉部以及所述薄膜晶體管重復的區域中形成。
10.ー種具有薄膜晶體管的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其中，具備在基板上形成所述薄膜晶體管的柵極電極、和連接于所述柵極電極的柵極布線的エ序；形成覆蓋所述柵極電極和所述柵極布線的柵極絕緣膜的エ序； 在所述柵極絕緣膜上，依次成膜半導體層、歐姆接觸膜、金屬膜的エ序； 對所述金屬膜進行構圖，形成在成為所述薄膜晶體管的溝道區域的所述半導體層上連結的狀態的所述薄膜晶體管的源極電極和漏極電極、和連接于所述源極電極的源極布線的ェ序；將被構圖的所述金屬膜作為掩摸，對所述半導體層和所述歐姆接觸膜進行蝕刻的ェ序；對在所述金屬膜上直接重疊的透明導電膜進行成膜，對所述透明導電膜進行構圖，形成在所述漏極電極上直接重疊的像素電極，和在所述源極電極和所述源極布線上直接重疊配置的透明導電圖案的エ序；將所述像素電極和所述透明導電圖案作為掩摸，對所述金屬膜和所述歐姆接觸膜進行蝕刻，使成為所述薄膜晶體管的溝道區域的所述半導體層露出的エ序；形成覆蓋所述像素電極和所述透明導電圖案的層間絕緣膜的エ序；以及在所述層間絕緣膜上，形成在與所述像素電極之間使邊緣電場產生的對置電極的エ序，在形成所述柵極電極和所述柵極布線的エ序中，進ー步在鄰接的所述柵極布線之間形成共同布線，在所述對置電極的形成エ序中，以經由貫通所述柵極絕緣膜和所述層間絕緣膜的接觸孔與所述共同布線電連接的方式形成所述對置電極，在所述對置電極的形成エ序中，以與所述源極布線和所述源極布線上的所述透明導電圖案在固定的區域中重合，與夾著所述源極布線而鄰接的像素的所述對置電極連接的方式形成所述對置電極，所述對置電極在不與所述柵極布線和所述源極布線的交叉部以及所述薄膜晶體管重復的區域中形成。
全文摘要
本發明提供一種在FFS模式的液晶顯示裝置中，不使用半透過掩模而能夠削減光刻工序數的薄膜晶體管陣列基板、其制造方法、及液晶顯示裝置。本發明的薄膜晶體管陣列基板具備源極布線(44)，在覆蓋柵極布線(43)的柵極絕緣膜(11)上形成；半導體層(2)，在柵極絕緣膜(11)上形成，配置在漏極電極(5)下的大致整個面、源極電極(4)下的大致整個面、源極布線(44)下的大致整個面、柵極電極的對面；像素電極(6)，在漏極電極(5)上直接重疊形成；透明導電圖案(6a)，在源極電極(4)和源極布線(44)上，通過與像素電極(6)相同的層直接重疊形成；對置電極(8)，在覆蓋像素電極(6)和透明導電圖案(6a)的層間絕緣膜(12)上形成，在與像素電極(6)之間使邊緣電場產生。
文檔編號H01L21/77GK102540605SQ20121000709
公開日2012年7月4日 申請日期2010年1月22日 優先權日2009年1月23日
發明者升谷雄一, 永野慎吾 申請人:三菱電機株式會社