一種有機電致發光器件及其制備方法
【專利摘要】本發明實施例公開了一種有機電致發光器件，依次包括玻璃基底、散射層、陽極導電膜、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，散射層的材質為聚四氟乙烯的水溶液摻雜炭氣凝膠形成的混合材料，在散射層的材質中，炭氣凝膠的摻雜質量分數為5~20%。另，本發明實施例還公開了一種有機電致發光器件的制備方法。本發明提供的有機電致發光器件，通過在玻璃基底上涂布散射層，有效地縮小了玻璃基底與陽極導電膜之間的折射率差距，使光的全反射效應減弱，提高了光取出率，同時避免了側面的光損失，增強了發光效率。
【專利說明】一種有機電致發光器件及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及電子器件相關領域，尤其涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。【背景技術】
[0002]1987年，美國Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke報道了有機電致發光研究中的突破性進展。利用超薄薄膜技術制備出了高亮度，高效率的雙層有機電致發光器件(0LED)。在該雙層結構的器件中，IOV下亮度達到lOOOcd/m2，其發光效率為1.511m/W、壽命大于100小時。
[0003]OLED的發光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUM0)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發光材料，并激發電子從基態躍遷到激發態，激發態能量通過輻射失活，產生光子，釋放光能。
[0004]在傳統的發光器件中，一般都是以ITO玻璃基底為出光面，這種結構中，光的出射會先經過ITO導電材料的吸收反射，再進行一次玻璃的吸收和反射，最后才能出射到空氣中，而由于玻璃表面比較平整，且玻璃厚度較大，使光程加大，從而使更多的光往玻璃兩側折射出去，造成玻璃中出射到器件的光的幾率下降，最終影響發光效率。因此，光出射到空氣中的出射率很低的，大部分的光都損失了，這類發光器件的發光效率都偏低。

【發明內容】

[0005]本發明實施例所要解決的技術問題在于，提供一種有機電致發光器件及其制備方法，通過在玻璃基底上涂布散射層，有效地縮小了玻璃基底與陽極導電膜之間的折射率差距，使光的全反射效應減弱，提高了光取出率，同時避免了側面的光損失，增強了發光效率。
[0006]本發明實施例提供了 一種有機電致發光器件，依次包括玻璃基底、散射層、陽極導電膜、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述散射層的材質為聚四氟乙烯水溶液摻雜炭氣凝膠形成的混合材料，在所述散射層的材質中，所述炭氣凝膠的摻雜質量分數為5?20%。
[0007]優選地，炭氣凝膠為中孔結構，孔徑為2(T200nm。
[0008]優選地，聚四氟乙烯水溶液的質量分數為20?60%。
[0009]優選地，散射層的厚度為1(Γ200 μ m。
[0010]在散射層的材質中，聚四氟乙烯水溶液為主體，炭氣凝膠為客體。
[0011]優選地，在散射層的材質中，炭氣凝膠的摻雜質量分數為1(Γ15%。
[0012]以ITO為例，由于ITO的折射率為1.8-1.9，而玻璃的折射率為1.5，光從ITO經玻璃出射，會產生全反射，折射率相差越大，全反射效應約明顯，就有更多的光被局限在器件中不能出射，而在兩者之間插入一層中孔結構的炭氣凝膠，可以使這部分的光發生散射作用，改變入射角，使部分大于臨界角的光角度發生改變，從而順利的折射到玻璃中，最后出射到空氣中，有效的提高光取出率，炭氣凝膠的中孔結構可極大提高這種散射作用。[0013]優選地，陽極導電膜的材質為銦錫氧化物(ΙΤ0)、摻鋅的氧化錫(IZO)或摻鋁的氧化鋅(AZO);更優選地，陽極導電膜的材質為銦錫氧化物(ΙΤ0)。
[0014]優選地，空穴注入層的材質為三氧化鑰(Μο03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5);更優選地，空穴注入層的材質為三氧化鑰(Μο03)。
[0015]優選地，空穴注入層的厚度為2(T80nm ;更優選地，空穴注入層的厚度為40nm。
[0016]優選地，空穴傳輸層的空穴傳輸材料為1，1-二 [4_[N,N' -二(p_甲苯基)氨基]苯基]環己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N，- (1_萘基)州，N’ - 二苯基-4，4’-聯苯二胺(NPB);更優選地，空穴傳輸層的空穴傳輸材料為N，N’- (1-萘基)-N，N，- 二苯基-4,4，-聯苯二胺(NPB)。
[0017]優選地，空穴傳輸層的厚度為2(T60nm ;更優選地，空穴傳輸層的厚度為50nm。
[0018]優選地,發光層的材質為電子傳輸材料摻雜發光材料形成的混合材料。
[0019]優選地，電子傳輸材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4_三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)。
[0020]優選地，發光材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir(MDQ)2(acac))或三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)。
[0021]優選地，發光層的材質為N-芳基苯并咪唑(TPBI)摻雜三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)形成的混合材料。
[0022]優選地，在發光層的材質中，發光材料的摻雜質量分數為1%_20% ;更優選地，在發光層的材質中，發光材料的摻雜質量分數為10%。
[0023]優選地，發光層的厚度為2?30nm ;更優選地，發光層的厚度為20nm。
[0024]優選地，電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4_三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI);更優選地，電子傳輸層的材料為1，2，4-三唑衍生物(TAZ)。
[0025]優選地，電子傳輸層的厚度為4(T80nm ;更優選地，電子傳輸層的厚度為50nm。
[0026]優選地，電子注入層的材料為碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或氟化鋰(LiF);更優選地，電子注入層的材料為疊氮銫(CsN3)。
[0027]優選地，電子注入層的厚度為0.5?10nm ;更優選地，電子注入層的厚度為5nm。
[0028]優選地，陰極為銀(Ag)、招(Al)、鉬(Pt)或金(Au);更優選地，陰極為銀(Ag)。
[0029]優選地，陰極的厚度為8(T300nm ;更優選地，陰極的厚度為IOOnm。
[0030]相應地，本發明實施例還提供了一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0031]提供清潔的玻璃基底，在經處理過的玻璃基底上進行散射層的涂布，所述散射層的材質為聚四氟乙烯水溶液摻雜炭氣凝膠形成的混合材料，在所述散射層的材質中，所述炭氣凝膠的摻雜質量分數為5?20% ；
[0032]在散射層上采用電子束蒸鍍或磁控濺射的方法制備陽極導電膜；
[0033]在陽極導電膜上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和金屬陰極，得到有機電致發光器件。
[0034]優選地，玻璃基底為市售普通玻璃。[0035]具體地，玻璃基底的清潔操作為:將玻璃基底進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物。
[0036]優選地，炭氣凝膠為中孔結構，孔徑為2(T200nm。
[0037]優選地，聚四氟乙烯水溶液的質量分數為20飛0%。
[0038]在散射層的材質中，聚四氟乙烯水溶液為主體，炭氣凝膠為客體。
[0039]優選地，在散射層的材質中，炭氣凝膠的摻雜質量分數為1(Γ15%。
[0040]優選地，散射層采用旋涂或刮涂的方式設置在玻璃基底上。
[0041]優選地，旋涂過程中轉速為50(Γ6000轉/分鐘，時間為15?30s。
[0042]優選地，散射層制備完畢后，采用烘箱進行烘干。
[0043]優選地，散射層的厚度為1(Γ200 μ m。
[0044]優選地，陽極導電膜的材質為銦錫氧化物(ΙΤ0)、摻鋅的氧化錫(ΙΖ0)或摻鋁的氧化鋅(AZO);更優選地，陽極導電膜的材質為銦錫氧化物(ΙΤ0)。
[0045]陽極導電膜采用電子束蒸鍍或磁控濺射的方法設置在散射層上。
[0046]優選地，磁控濺射過程中，真空度為4X 10_HX 10_4Pa，濺射功率為5(T300W。
[0047]在陽極導電膜上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和金屬陰極。
[0048]優選地，空穴注入層的材質為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5);更優選地，空穴注入層的材質為三氧化鑰(Mo03)。
[0049]優選地，空穴注入層的厚度為2(T80nm ;更優選地，空穴注入層的厚度為40nm。
[0050]優選地，空穴傳輸層的空穴傳輸材料為1，1_二 [4-[N,N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N，- (1_萘基)州，N’ - 二苯基-4，4’-聯苯二胺(NPB);更優選地，空穴傳輸層的空穴傳輸材料為N，N’- (1-萘基)-N，N，- 二苯基-4,4，-聯苯二胺(NPB)。
[0051]優選地，空穴傳輸層的厚度為2(T60nm ;更優選地，空穴傳輸層的厚度為50nm。
[0052]優選地,發光層的材質為電子傳輸材料摻雜發光材料形成的混合材料。
[0053]優選地，電子傳輸材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4_三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)。
[0054]優選地，發光材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir(MDQ)2(acac))或三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)。
[0055]優選地，發光層的材質為N-芳基苯并咪唑(TPBI)摻雜三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)形成的混合材料。
[0056]優選地，在發光層的材質中，發光材料的摻雜質量分數為1%_20% ;更優選地，在發光層的材質中，發光材料的摻雜質量分數為10%。
[0057]優選地，發光層的厚度為2?30nm ;更優選地，發光層的厚度為20nm。
[0058]優選地，電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4_三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI);更優選地，電子傳輸層的材料為1，2，4-三唑衍生物(TAZ)。[0059]優選地，電子傳輸層的厚度為4(T80nm ;更優選地，電子傳輸層的厚度為50nm。
[0060]優選地，電子注入層的材料為碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或氟化鋰(LiF);更優選地，電子注入層的材料為疊氮銫(CsN3)。
[0061]優選地，電子注入層的厚度為0.5^10nm ;更優選地，電子注入層的厚度為5nm。
[0062]優選地，空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為10(T500°C，真空度為I X 10_3?I X 10_5Pa。
[0063]優選地，陰極為銀(Ag)、招(Al)、鉬(Pt)或金(Au);更優選地，陰極為銀(Ag)。
[0064]優選地，陰極的厚度為8(T300nm ;更優選地，陰極的厚度為IOOnm。
[0065]優選地，陰極的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為50(Tl00(rC，真空度為1X10—3?I X KT5Pa。
[0066]實施本發明實施例，具有如下有益效果:
[0067](I)本發明提供的具有散射層的有機電致發光器件，散射層利用類似金屬氧化物納米結構的材料炭氣凝膠與低折射率的材料聚四氟乙烯進行摻雜制備，有效地縮小了玻璃基底與陽極導電膜之間的折射率差距，使光從陽極導電膜到達低折射率散射層再到達玻璃之間的全反射效應減弱，提高了光取出率；
[0068](2)本發明提供的具有散射層的有機電致發光器件，散射層中納米結構的材料炭氣凝膠的加入，可使往兩側發射的光通過散射集中到中間，避免了側面的光損失，增強了發光器件的發光效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0069]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0070]圖1是本發明實施例1提供的有機電致發光器件的結構圖；
[0071]圖2是本發明實施例1提供的有機電致發光器件與現有有機電致發光器件的電流密度與流明效率的關系圖。
【具體實施方式】
[0072]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0073]實施例1
[0074]一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟: [0075](I)將玻璃基底 依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；在玻璃基底上刮涂制備散射層，然后放在烘箱烘干水分。
[0076]具體地，在本實施例中，散射層的材質為質量分數為40%的聚四氟乙烯(PTFE)水溶液摻雜炭氣凝膠形成的混合材料，其中，炭氣凝膠的摻雜質量分數為8%，炭氣凝膠的孔徑為120nm ;散射層的厚度為50 μ m。
[0077](2)采用磁控濺射的方法在散射層上制備陽極導電薄膜；
[0078]具體地，在磁控濺射過程中，真空度為4X 10_3Pa，濺射功率為150W，陽極導電膜的材質為ΙΤ0。
[0079](3)在陽極導電薄膜上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和金屬陰極，得到有機電致發光器件。
[0080]空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為400°C，真空度為lX10_5Pa。陰極的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為800°C，真空度為 IXlO-4Pa0
[0081]其中，空穴注入層的材質為三氧化鑰(MoO3),厚度為40nm;空穴傳輸層的材質為NPB,厚度為50nm ;發光層的材質為TPBi摻雜(Ir (ppy) 3)形成的混合材料(TPB1: (Ir(ppy)3) )，(Ir (ppy) 3)的摻雜質量分數為10%，發光層厚度為20nm ;電子傳輸層的材料為TAZ，厚度為50nm ;電子注入層的材料為疊氮銫(CsN3),厚度為5nm ;陰極為銀(Ag)，厚度為lOOnm。
[0082]圖1是本實施例的有機電致發光器件的結構示意圖。如圖1所示，該有機電致發光器件的結構包括，玻璃基底10，散射層20，陽極導電膜30，空穴注入層40，空穴傳輸層50,發光層60,電子傳輸層70,電子注入層80和陰極90。其中，散射層的材質為質量分數為40%的聚四氟乙烯(PTFE)水溶液摻雜炭氣凝膠形成的混合材料，散射層的厚度為
50μ m。該有機電致發光器件的結構為:普通玻璃/PTFE:炭氣凝膠(8wt%)/ΙΤ0/Μο03/ΝΡΒ/TPB1: (Ir (ppy) 3) (10wt%) /TAZ/CsN3/Ag。
[0083]圖2是本實施例的有機電致發光器件與現有發光器件的電流密度與流明效率的關系圖。其中，曲線I為本實施例有機電致發光器件的電流密度與流明效率的關系圖；曲線2為現有有機電致發光器件的電流密度與流明效率的關系圖。其中，現有發光器件的結構為:普通玻璃 //IT0/Mo03/NPB/TPB1: (Ir (ppy) 3) (10wt%) /TAZ/CsN3/Ag。
[0084]從圖2中可以看到，在不同電流密度下，本實施例有機電致發光器件的流明效率都比現有有機電致發光器件的要大，最大的流明效率為171m/W，而現有有機電致發光器件的僅為141m/W，這說明，利用中孔炭氣凝膠的中孔結構涂布在玻璃基底上制備散射層，可以使本來由于折射率相差太大而產生的全反射的光發生散射作用，改變入射角，使部分大于臨界角的光角度發生改變，從而順利的折射到玻璃中，有效的提高光取出率。
[0085]實施例2
[0086]一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0087](I)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；在玻璃基底上旋涂制備散射層，然后放在烘箱烘干水分。
[0088]具體地，在本實施例中，散射層的材質為質量分數為60%的聚四氟乙烯(PTFE)水溶液摻雜炭氣凝膠形成的混合材料，其中，炭氣凝膠的摻雜質量分數為5%，炭氣凝膠的孔徑為20nm ;散射層的厚度為200 μ m。旋涂過程中轉速為500轉/分鐘，時間為15s。
[0089](2)采用磁控濺射的方法在散射層上制備陽極導電薄膜；
[0090]具體地，在磁控濺射過程中，真空度為4X 10_3Pa，濺射功率為300W，陽極導電膜的材質為IZ0。[0091](3)在陽極導電薄膜上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和金屬陰極，得到有機電致發光器件。
[0092]空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為400°C，真空度為lX10_5Pa。陰極的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為800°C，真空度為 IXlO-4Pa0
[0093]其中，空穴注入層的材質為V2O5,厚度為20nm ;空穴傳輸層的材質為TCTA,厚度為60nm ;發光層的材質為TPBi摻雜Ir (MDQ) 2 (acac)形成的混合材料(TPB1:1r (MDQ) 2(acac)), Ir (MDQ) 2 (acac)的摻雜質量分數為2%，發光層厚度為20nm ;電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為80nm ;電子注入層的材料為Cs2CO3,厚度為IOnm ;陰極為銀(Al),厚度為 80nm。
[0094]本實施例提供的有機電致發光器件的結構為:普通玻璃/PTFE:炭氣凝膠(5wt%)/IZ0/V205/TCTA/TPB1:1r (MDQ) 2 (acac) (2wt%) /Bphen/Cs2C03/Al，其最大的流明效率為16.81m/W。
[0095]實施例3
[0096]一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0097](I)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；在玻璃基底上旋涂制備散射層，然后放在烘箱烘干水分。
[0098]具體地，在本實施例中，散射層的材質為質量分數為20%的聚四氟乙烯(PTFE)水溶液摻雜炭氣凝膠形成的混合材料，其中，炭氣凝膠的摻雜質量分數為20%，炭氣凝膠的孔徑為200nm ;散射層的厚度為200 μ m。旋涂過程中轉速為3000轉/分鐘，時間為20s。
[0099](2)采用磁控濺射的方法在散射層上制備陽極導電薄膜；
[0100]具體地，在磁控濺射過程中，真空度為2X 10_4Pa，濺射功率為50W，陽極導電膜的材質為AZO。
[0101](3)在陽極導電薄膜上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和金屬陰極，得到有機電致發光器件。
[0102]空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為400°C，真空度為lX10_5Pa。陰極的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為800°C，真空度為 IXlO-4Pa0
[0103]其中，空穴注入層的材質為WO3,厚度為80nm ;空穴傳輸層的材質為TAPC，厚度為20nm ;發光層的材質為TAZ摻雜Firpic形成的混合材料(TAZ:Firpic),Firpic的摻雜質量分數為20%，發光層厚度為30nm ;電子傳輸層的材料為TPBi，厚度為35nm ;電子注入層的材料為CsF，厚度為0.5nm ;陰極為銀(Pt)，厚度為80nm。
[0104]本實施例提供的有機電致發光器件的結構為:普通玻璃/PTFE:炭氣凝膠(5wt%)/AZO/WO/TAPC/TAZ:Firpic (20wt%) /TPBi/CsF/Pt，其最大的流明效率 151m/W。
[0105]實施例4
[0106]一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0107](I)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；在玻璃基底上旋涂制備散射層，然后放在烘箱烘干水分。
[0108]具體地，在本實施例中，散射層的材質為質量分數為45%的聚四氟乙烯(PTFE)水溶液摻雜炭氣凝膠形成的混合材料，其中，炭氣凝膠的摻雜質量分數為10 %，炭氣凝膠的孔徑為150nm ;散射層的厚度為30 μ m。旋涂過程中轉速為6000轉/分鐘，時間為30s。
[0109](2)采用磁控濺射的方法在散射層上制備陽極導電薄膜；
[0110]具體地，在磁控濺射過程中，真空度為5 X 10_4Pa，濺射功率為200W，陽極導電膜的材質為ΙΤ0。
[0111](3)在陽極導電薄膜上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和金屬陰極，得到有機電致發光器件。
[0112]空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為400°C，真空度為lX10_5Pa。陰極的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為800°C，真空度為 IXlO-4Pa0
[0113]其中，空穴注入層的材質為三氧化鑰(MoO3),厚度為45nm;空穴傳輸層的材質為TAPC,厚度為45nm ;發光層的材質為Bphen摻雜(Ir (ppy) 3)形成的混合材料(Bphen:1r (ppy)3), (Ir (ppy) 3)的摻雜質量分數為6%,發光層厚度為12nm ;電子傳輸層的材料為TPBi，厚度為75nm ;電子注入層的材料為LiF，厚度為0.7nm ;陰極為銀(Au)，厚度為120nmo
[0114]本實施例提供的有機電致發光器件的結構為:普通玻璃/PTFE:炭氣凝膠(10wt%)/IT0/Mo03/TAPC/Bphen:1r (ppy) 3 (6wt%) /TPBi/LiF/Au，其最大的流明效率為 15.61m/W。
[0115]以上所述是本發明的優選實施方式，應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本發明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本發明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種有機電致發光器件，其特征在于，依次包括玻璃基底、散射層、陽極導電膜、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述散射層的材質為聚四氟乙烯水溶液摻雜炭氣凝膠形成的混合材料，在所述散射層的材質中，所述炭氣凝膠的摻雜質量分數為5?20%。
2.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述炭氣凝膠為中孔結構，孔徑為20?200nm。
3.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述聚四氟乙烯水溶液的質量分數為20?60%。
4.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述散射層的厚度為10?200 μ m。
5.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，在所述散射層的材質中，所述炭氣凝膠的摻雜質量分數為1(Γ15%。
6.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供清潔的玻璃基底，在經處理過的玻璃基底上進行散射層的涂布，所述散射層的材質為聚四氟乙烯水溶液摻雜炭氣凝膠形成的混合材料，在所述散射層的材質中，所述炭氣凝膠的摻雜質量分數為5?20% ； 在所述散射層上采用電子束蒸鍍或磁控濺射的方法制備陽極導電膜； 在所述陽極導電膜上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和金屬陰極，得到有機電 致發光器件。
7.如權利要求6所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述炭氣凝膠為中孔結構，孔徑為20?200nm。
8.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述聚四氟乙烯水溶液的質量分數為20?60%。
9.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述散射層的厚度為10?200 μ m。
10.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，在所述散射層的材質中，所述炭氣凝膠的摻雜質量分數為1(Γ15%。
【文檔編號】H01L51/52GK103427032SQ201210147403
【公開日】2013年12月4日 申請日期:2012年5月14日 優先權日:2012年5月14日
【發明者】周明杰, 王平, 黃輝, 陳吉星 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司