技術(shù)總結(jié)
一種LDMOS晶體管及其形成方法，其中所述LDMOS晶體管包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)具有漂移區(qū)、與漂移區(qū)相鄰的阱區(qū)；位于所述阱區(qū)內(nèi)的源區(qū)；位于所述漂移區(qū)內(nèi)的漏區(qū)；位于所述漂移區(qū)內(nèi)的隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)位于所述漏區(qū)和所述源區(qū)之間，所述隔離結(jié)構(gòu)的下表面沿所述LDMOS的溝道方向的寬度大于上表面沿所述LDMOS的溝道方向的寬度；位于所述半導(dǎo)體襯底上的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋部分所述阱區(qū)和部分所述隔離結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的LDMOS晶體管擊穿電壓高。

技術(shù)研發(fā)人員：鄭大燮;魏琰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號碼：201210289301
技術(shù)研發(fā)日：2012.08.14
技術(shù)公布日：2016.12.28