1.一種集成電路裝置，所述集成電路裝置包括：
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；
連接端子，設(shè)置在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一表面上；
導(dǎo)電焊盤，設(shè)置在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的與第一表面相對的第二表面上；
基底穿透通孔結(jié)構(gòu)，貫穿半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，基底穿透通孔結(jié)構(gòu)的端部延伸到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二表面之外，
其中，導(dǎo)電焊盤圍繞基底穿透通孔結(jié)構(gòu)的端部，
其中，連接端子通過基底穿透通孔結(jié)構(gòu)電連接到導(dǎo)電焊盤。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，所述集成電路裝置還包括：
絕緣層，設(shè)置在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二表面上，
其中，絕緣層包括：
第一部分，圍繞導(dǎo)電焊盤的側(cè)壁；
第二部分，與導(dǎo)電焊盤豎直地疊置并圍繞基底穿透通孔結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的一部分，其中，側(cè)壁的所述一部分設(shè)置在導(dǎo)電焊盤與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二表面之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路裝置，
其中，絕緣層的第一部分和第二部分彼此接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路裝置，
其中，絕緣層的第一部分的上表面與導(dǎo)電焊盤的上表面位于同一水平處。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路裝置，
其中，絕緣層包括暴露基底穿透通孔結(jié)構(gòu)的端部的凹進(jìn)空間，導(dǎo)電焊盤填充凹進(jìn)空間。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路裝置，所述集成電路裝置還包括：
導(dǎo)電層，設(shè)置在絕緣層與導(dǎo)電焊盤之間，
其中，導(dǎo)電層接觸導(dǎo)電焊盤的側(cè)壁。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成電路裝置，
其中，導(dǎo)電層設(shè)置在基底穿透通孔結(jié)構(gòu)與導(dǎo)電焊盤之間，并共形地覆蓋基底穿透通孔結(jié)構(gòu)的端部。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，
其中，基底穿透通孔結(jié)構(gòu)的端部具有倒圓形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路裝置，
其中，絕緣層包括感光有機(jī)絕緣材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，
其中，導(dǎo)電焊盤的側(cè)壁傾斜預(yù)定的角度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，
其中，導(dǎo)電焊盤具有朝向基底穿透通孔結(jié)構(gòu)的端部減小的寬度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，
其中，導(dǎo)電焊盤包括在側(cè)壁上的臺階部。
13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路裝置，所述集成電路裝置還包括：
粘合層，設(shè)置在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與絕緣層之間以及基底穿透通孔結(jié)構(gòu)與絕緣層之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的集成電路裝置，
其中，粘合層圍繞基底穿透通孔結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，
其中，基底穿透通孔結(jié)構(gòu)的側(cè)壁設(shè)置在導(dǎo)電焊盤與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，
其中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基底和覆蓋基底的絕緣中間層，基底穿透通孔結(jié)構(gòu)貫穿基底和絕緣中間層。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，
其中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基底和覆蓋基底的絕緣中間層，基底穿透通孔結(jié)構(gòu)貫穿基底而不貫穿絕緣中間層。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，
其中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基底、覆蓋基底的絕緣中間層和覆蓋絕緣中間層的金屬間絕緣層，基底穿透通孔結(jié)構(gòu)貫穿基底、絕緣中間層和金屬間絕緣層。
18.一種集成電路裝置，所述集成電路裝置包括：
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；
基底穿透通孔結(jié)構(gòu)，貫穿半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；
絕緣層，設(shè)置在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上并包括暴露基底穿透通孔結(jié)構(gòu)的端部的凹進(jìn)空間；以及
導(dǎo)電焊盤，導(dǎo)電焊盤填充凹進(jìn)空間，并連接到基底穿透通孔結(jié)構(gòu)的端部。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的集成電路裝置，
其中，絕緣層包括不與導(dǎo)電焊盤豎直疊置的第一部分和與導(dǎo)電焊盤豎直疊置的第二部分，絕緣層的第二部分圍繞基底穿透通孔結(jié)構(gòu)的在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與導(dǎo)電焊盤之間的側(cè)壁。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的集成電路裝置，
其中，導(dǎo)電焊盤的上表面與絕緣層的第一部分的上表面位于同一水平處。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的集成電路裝置，
其中，絕緣層的第一部分和第二部分彼此一體地形成。
22.一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：
第一集成電路裝置，具有第一電連接結(jié)構(gòu)和電連接到第一電連接結(jié)構(gòu)的連接端子；
第二集成電路裝置，在第一集成電路裝置上豎直堆疊；
其中，連接端子將第一電連接結(jié)構(gòu)電連接到第二集成電路裝置，
其中，第一集成電路裝置還包括：
第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，具有第一表面和與第一表面相對的第二表面；以及
導(dǎo)電焊盤，設(shè)置在第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的與第一表面相對的第二表面上，
其中，連接端子設(shè)置在第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一表面上，
其中，第一電連接結(jié)構(gòu)貫穿第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，第一電連接結(jié)構(gòu)的端部延伸到第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二表面之外，
其中，導(dǎo)電焊盤圍繞第一電連接結(jié)構(gòu)的端部，
其中，連接端子通過第一電連接結(jié)構(gòu)電連接到導(dǎo)電焊盤。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一集成電路裝置還包括由感光有機(jī)絕緣材料形成的絕緣層，其中，絕緣層包括暴露第一電連接結(jié)構(gòu)的端部的凹進(jìn)空間。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第二集成電路裝置包括第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和貫穿第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二電連接結(jié)構(gòu)，其中，第二電連接結(jié)構(gòu)電連接到第一電連接結(jié)構(gòu)。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體裝置，
其中，第一電連接結(jié)構(gòu)包括：
導(dǎo)電阻擋層，設(shè)置在貫穿第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的通孔的側(cè)壁上；以及
導(dǎo)電塞，填充導(dǎo)電阻擋層上的通孔，
其中，第一集成電路裝置還包括包含在凹進(jìn)空間中設(shè)置在導(dǎo)電塞與導(dǎo)電焊盤之間的第一部分的導(dǎo)電層。