技術領域

下面的描述涉及一種封裝基板和制造封裝基板的方法。

背景技術：

隨著電子工業的發展，在已經減小了裝置尺寸(需要更小并具有更高密度的半導體封裝件)的同時已經改善了電子組件的性能。

由于安裝的IC芯片的數量因具有更多的輸入/輸出連接端子而增加，因此，封裝件具有更高的密度。其結果是，具有更高的密度的同時還需要更精細的間距。

對于如今的高密度封裝件，當具有大量輸入/輸出連接端子時，由于安裝成本導致期望使用引線鍵合法和倒裝鍵合法安裝IC芯片。此外，還使用同時安裝倒裝芯片和引線鍵合芯片的混合倒裝鍵合法。

例如，在美國第8209860號專利中描述了具有金屬凸點的印刷電路板和制造該印刷電路板的方法。由于金屬凸點使用了層壓在載體之上的干膜，因此金屬凸點形成為具有均勻的高度和良好導電性的柱狀。由于通過對在干膜中圖案化的且具有均勻的直徑的孔進行鍍覆來形成金屬凸點，因此金屬凸點還具有均勻的直徑，從而形成具有精細間距的金屬凸點。當各個引用的文獻分別且具體地被包含或全部被包含時，本公開中引用的全部文獻(包括公開的文獻、專利申請、專利和美國第8209860號專利)可以以相同的方式在這里通過引用而全部包含于此。

技術實現要素：

提供本發明內容用于以簡化形式介紹將在下面在具體實施方式中進一步 描述的選擇的發明構思。本發明內容部意圖確定權利要求所保護主題的關鍵技術特征或必要技術特征，也不意圖用于幫助確定權利要求所保護主題的范圍。

在一個總的方面，提供一種封裝基板，其中，通過在將要安裝電子組件的表面上一起形成嵌入結構的電路圖案和突出結構的電路圖案而可同時安裝倒裝芯片和引線鍵合芯片，其中，可形成精細電路圖案，并可在不形成用于電鍍的額外的種子層的情況下，可在期望的部分處選擇性地形成表面處理層，從而可簡化制造工藝并節省其制造成本。

在另一總的方面，提供一種制造封裝基板的方法，其中，通過在將要安裝電子組件的表面上一起形成嵌入結構的電路圖案和突出結構的電路圖案而可同時安裝倒裝芯片和引線鍵合芯片，其中，可形成精細電路圖案，并可在不形成額外的用于電鍍的種子層的情況下，可在期望的部分處選擇性地形成表面處理層，從而可簡化制造工藝并節省其制造成本。

在另一總的方面，提供一種封裝基板，所述封裝基板包括：絕緣層，具有嵌入所述絕緣層的第一表面中的第一電路圖案；突出電路圖案，形成在嵌入的第一電路圖案中的至少一個上，其中，突出電路圖案的寬度大于嵌入的第一電路圖案中的每個的寬度。

所述封裝基板可包括形成在突出電路圖案上的表面處理層。

所述嵌入的第一電路圖案中的每個的表面可形成在與絕緣層的第一表面相同的平面上。

所述封裝基板可包括形成在絕緣層的第二表面上的第二電路圖案。

所述封裝基板可包括用于使第一電路圖案與第二電路圖案電連接的過孔。

所述封裝基板可包括覆蓋第一電路圖案的部分、絕緣層的第一表面的部分、第二電路圖案的部分以及絕緣層的第二表面的部分的阻焊層。

所述絕緣層的第二表面可設置為與絕緣層的第一表面背對。

所述突出電路圖案的表面可設置為與第一表面平行并在第一表面之上。

所述表面處理層可包括第一層和第二層，第一層電鍍在第二層上。

在另一總的方面，提供一種制造封裝基板的方法，所述方法包括：制備載體基板，所述載體基板具有層壓在載體基板上的第一種子層；在第一種子層上形成第一電路圖案；層壓絕緣層以使第一電路圖案嵌入；使載體基板與 第一種子層彼此分開；部分地去除第一種子層，以暴露嵌入絕緣層中的第一電路圖案并在嵌入的第一電路圖案的至少一個上形成突出電路圖案，其中，突出電路圖案比嵌入的第一電路圖案中的每個寬。

所述嵌入的第一電路圖案中的每個的表面可形成在與絕緣層的表面相同的平面上。

所述方法可包括：使用阻鍍劑進行掩模，以暴露第一種子層的表面的將要進行表面處理的部分；在第一種子層的暴露的表面上進行電鍍以形成表面處理層；去除阻鍍劑，其中，部分地去除第一種子層包括去除第一種子層的未形成表面處理層的部分。

所述第一種子層可被用作用于電鍍的種子層。

所述方法可包括：去除絕緣層的部分以暴露第一電路圖案的部分；在絕緣層的第二表面上以及絕緣層的使第一電路圖案暴露的部分處形成第二種子層；使用第二種子層進行電鍍以形成第二電路層，所述第二電路層包括用于與第一電路圖案的部分電連接的過孔。

所述方法可包括去除第二種子層的部分以形成第二電路圖案。

所述方法可包括形成用于覆蓋第一電路圖案的部分、絕緣層的第一表面的部分、第二電路圖案的部分以及絕緣層的第二表面的部分的阻焊層。

根據另一總的方面，提供一種制造封裝基板的方法，所述包括：制備載體基板，所述載體基板具有層壓在載體基板的兩個背對表面上的種子層；在層壓在載體基板上的種子層中的第一種子層上形成第一電路圖案；使第一電路圖案嵌入絕緣層中并部分地去除絕緣層以暴露第一電路圖案的部分；在絕緣層的遠離第一電路圖案的表面上以及第一電路圖案的暴露部分上形成第二種子層；在第二種子層上形成第二電路層；使載體基板與第一種子層彼此分開。

形成第一電路圖案的步驟可包括：對第一種子層進行電鍍以形成第一電路圖案；在第一電路圖案的部分上形成抗蝕劑以部分地去除第一種子層；對第一種子層進行蝕刻以暴露嵌入絕緣層中的第一電路圖案并在嵌入的第一電路圖案中的至少一個上形成突出電路圖案。

形成第二電路層的步驟可包括：對第二種子層進行電鍍以形成第二電路層，所述第二電路層包括過孔；在第二電路層上形成抗蝕劑以部分地去除第二種子層；對第二種子層進行蝕刻。

所述載體基板可包括絕緣材料，所述絕緣材料具有層壓在絕緣材料的兩個背對表面上的銅箔，所述種子層與銅箔層可以可彼此分開。

所述封裝基板還包括形成在突出電路圖案上的表面處理層，嵌入的第一電路圖案的表面形成在與絕緣層的表面相同的平面上。

在所述封裝基板中，由于嵌入結構的電路圖案和突出結構的電路圖案同時形成在將要安裝電子組件的表面上，因此，可同時安裝倒裝芯片和引線鍵合芯片，并可形成精細電路圖案。

根據基于實施例的制造封裝基板的方法，在不形成用于電鍍的額外的種子層或額外的鍍覆引入線的情況下，利用嵌入的電路圖案的一側上的種子層在需要表面處理的突出電路圖案上形成表面處理層，因此，用于制造封裝基板的方法的工藝可比傳統無尾法(conventional tailless method)更簡單且更經濟。

其他特征和方面將根據下面的具體實施方式、附圖和權利要求而變得清楚。

附圖說明

圖1是示出封裝基板的示例的示圖；

圖2是為了比較嵌入的電路圖案和突出電路圖案而從頂部(T)觀察圖1中示出的封裝基板的標記為“A”的部分的示例的示圖；

圖3是示出封裝基板的示例的示圖；

圖4是為了比較嵌入的電路圖案和突出電路圖案而從頂部(T)觀察圖3中示出的封裝基板的標記為“B”的部分的示例的示圖；

圖5A至圖5G是通過示出制造過程中的封裝基板的截面圖來示出制造封裝基板的方法的示圖；

圖6A至圖6I是通過示出制造過程中的封裝基板的截面圖來示出制造封裝基板的方法的示圖。

在整個附圖和具體實施方式中，相同的標號指示相同的元件。附圖可不按比例，為了清楚、說明和方便起見，可放大附圖中元件的相對尺寸、比例和描繪。

具體實施方式

提供了下面的具體實施方式，以幫助讀者獲得對在此處描述的方法、裝置和/或系統的全面理解。然而，此處所描述的方法、裝置、和/或系統的各種改變、變型及等同物對本領域的技術人員而言將是顯而易見的。這里所描述的操作順序僅僅是示例，并不限于這里所闡述的，而是除了必須按照特定順序發生的操作之外，可做出將對本領域技術人員而言顯而易見的改變。此外，為了增加清楚性和簡潔性，可省略對于本領域普通技術人員而言公知的功能和結構的描述。

這里所描述的特征可以以不同的形式實施，并不應該被理解為限于在此描述的示例。更確切地說，已經提供了在此描述的示例，使得本公開將是徹底的和完整的，并將本公開的全部范圍傳達給本領域的普通技術人員。

不管圖號，一致或相對應的元件都將被賦予相同的標號，并且將不重復一致的或相對應的元件的任何多余描述。在本公開的整個說明書中，在描述的一些相關傳統技術被確定為避開了本公開的要點時，將省略相關的詳細描述。諸如“第一”和“第二”的術語可用來描述各種元件，但上面的元件不應當被上面的術語限制。上面的術語僅用于將一個元件與另一元件區分開。在附圖中，一些元件可被放大、省略或簡要地說明，并且元件的直徑不一定反映這些元件的實際直徑。

圖1是示出根據第一實施例的封裝基板的示例的示圖。

參照圖1，封裝基板100包括具有嵌入其一個表面中的第一電路圖案104a、104b的絕緣層102以及從嵌入的第一電路圖案104a、104b中的特定電路圖案(例如，104a)突出的突出電路圖案106。

封裝基板100包括形成在絕緣層102的另一表面上的第二電路圖案110。封裝基板100還包括：過孔112，用于使第一電路圖案104a和104b與第二電路圖案110電連接；阻焊層114，覆蓋第一電路圖案104a和104b的部分以及絕緣層102的上表面的部分并覆蓋第二電路圖案110的部分以及絕緣層112的下表面的部分。標號113是用于形成過孔112和第二電路圖案110的種子層。

在圖1中示出了封裝基板100包括兩層電路圖案，即，嵌入上表面中的第一電路圖案104a、104b以及形成在絕緣層112下面的第二電路圖案110，但這僅僅是示例，根據示例的封裝基板可能包括各種數量的絕緣層和各種數量的嵌入的電路圖案。

絕緣層102可由一般的樹脂絕緣材料制成。在示例中，絕緣層102可由諸如環氧樹脂的熱固性樹脂或諸如聚酰亞胺的熱塑性樹脂制成。用于形成絕緣層102的樹脂還可包括諸如玻璃纖維的增強件或者可浸漬有無機填充劑。例如，絕緣層102可由半固化片或ABF(Ajinomoto Build-up Film)制成，但用于形成絕緣層102的材料不被這里所描述的材料限制。

此外，第一電路圖案104a和104b以及第二電路圖案110可由電路板領域中使用的任何形成電路的導電金屬制成。例如，第一電路圖案104a、104b和第二電路圖案110可由銅制成，但用于形成電路圖案的材料不被這里所描述的材料限制。

保護位于最外層上的電路的阻焊層114使用諸如以阻焊油墨或阻焊膜為例的材料形成，以用于電絕緣。在另一示例中，阻焊層114可根據其用途由諸如熱固性樹脂或熱塑性樹脂的絕緣材料制成，但用于形成阻焊層114的材料不被這里所描述的材料限制。

如圖1所示，由于封裝基板100包括嵌入將要安裝電子組件(未示出)的表面中的第一電路圖案104a和104b以及在將要安裝電子組件(未示出)的表面上突出的突出電路圖案106二者，因此，可同時安裝倒裝芯片和引線鍵合芯片。

在圖1中示出的封裝基板100中，不具有形成在其上的突出電路圖案的嵌入的第一電路圖案104b被用作信號線并形成了集中有精細電路的區域。

嵌入的第一電路圖案104a和104b的表面形成在與絕緣層102的表面相同的平面上。突出電路圖案106在第一電路圖案104a上突出大約10μm或更小。因此，突出電路圖案106的頂表面位于與絕緣層102的頂表面的平面不同的平面。

參照圖2，突出電路圖案106的寬度W_a大于嵌入的第一電路圖案104a和104b中每個的寬度W_b。

突出電路圖案106被用作用于引線鍵合的引線鍵合焊盤或作為用于倒裝芯片鍵合的凸點焊盤。為了用作用于引線鍵合的引線鍵合焊盤或用于倒裝芯片鍵合的凸點焊盤，焊盤需要具有至少40μm的寬度。因此，突出電路圖案106的寬度W_a形成為比用作信號線的嵌入的第一電路圖案104b的寬度W_b寬。

根據封裝基板100，具有嵌入結構的電路圖案和具有突出結構的電路圖 案在將要安裝電子組件的表面上同時形成，因此，可同時安裝倒裝芯片和引線鍵合芯片并形成精細電路圖案。

圖3是示出封裝基板的示例的示圖。

參照圖3，除了封裝基板200還包括形成在突出電路圖案106上面的表面處理層108之外，封裝基板200與圖1中示出的封裝基板100類似。因此，在這里將不提供相對于圖1中示出的封裝基板100的元件的多余的元件的描述。圖1的上面的描述還可適于圖3，并通過引用包含于此。

封裝基板200具有形成在突出電路圖案106上的表面處理層108。

可使用諸如以通過電鍍Ni/Au、Ni/Pd/Au或錫或者通過表面處理有機保焊劑(OSP)為例的各種表面處理方法來形成防止突出電路圖案106的表面氧化并改善焊接性能的表面處理層108。

如圖3所示，由于封裝基板200包括嵌入將要安裝電子組件(未示出)的表面中的第一電路圖案104a和104b以及在將要安裝電子組件(未示出)的表面上突出的突出電路圖案106二者，因此，可同時安裝倒裝芯片和引線鍵合芯片。

此外，在圖3中示出的封裝基板200中，不具有形成在其上的突出電路圖案的嵌入的第一電路圖案104b被用作信號線并形成了使精細電路集中的區域。

嵌入的第一電路圖案104a和104b的表面形成在與絕緣層102的表面相同的平面上。突出電路圖案106在第一電路圖案104a上突出大約10μm或更小。因此，突出電路圖案106的頂表面處于與絕緣層102的頂表面的平面不同的平面。

如圖3中所示，封裝基板200具有表面處理層108。在示例中，利用Ni/Au電鍍的表面處理層108形成在突出電路圖案106上。盡管在圖3中表面處理層108被示出為單層。但在另一示例中，鎳和金實際上被電鍍為雙層。

參照圖4，突出電路圖案106和表面處理層108的寬度W_a大于嵌入的第一電路圖案104a、104b中每個的寬度W_b。

突出電路圖案106被用作用于引線鍵合的引線鍵合焊盤或作為用于倒裝芯片鍵合的凸點焊盤。為了用作用于引線鍵合的引線鍵合焊盤或用于倒裝芯片鍵合的凸點焊盤，焊盤需要具有至少40μm的寬度。因此，突出電路圖案106和表面處理層108的寬度W_a比用作信號線的嵌入的第一電路圖案104b 的寬度W_b寬。

根據隨后描述的，表面處理層108形成在種子層之上。使用鍍金的表面處理層108作為抗蝕劑來去除其上未形成有表面處理層108的種子層，位于表面處理層下面的突出電路圖案106的側表面會被蝕刻，減小了突出電路圖案106的寬度。因此，考慮到該可能性，突出電路圖案106的寬度W_a比嵌入的第一電路圖案104b的寬度W_b寬。

根據封裝基板200，具有嵌入結構的電路圖案和具有突出結構的電路圖案在其上將要安裝電子組件的表面上同時形成，因此，可同時安裝倒裝芯片和引線鍵合芯片并形成精細電路圖案。

圖5A至圖5G是通過示出制造過程中的封裝基板的截面圖來示出制造封裝基板的方法的示例的示圖。盡管在不脫離所描述的示意性示例的精神和范圍的情況下，可改變一些操作的順序或可省略一些操作，但也可按照所示出的順序和方式執行圖5A至圖5G中的操作。可并行或同時執行圖5A至圖5G中示出的許多操作。圖1至圖4的上面的描述還適于圖5A至圖5G，并通過引用包含于此。因此，在這里可不重復上面的描述。

如圖5A所示，制備其上層壓有第一種子層504a和504b的載體基板505，并通過形成電路的工藝在第一種子層504a上形成第一電路層506。

第一種子層504a和504b可由在電路板領域使用的任何形成電路的導電金屬制成。例如，第一種子層504a和504b通常由銅制成。

載體基板505是具有層壓在絕緣材料500的任一表面上的銅箔層502a和502b的基板。第一種子層504a和銅箔層502a可彼此分開。類似地，第一種子層504b和銅箔層502b可彼此分開。

在圖5A中示出的示例中，在載體基板505的一個表面上形成第一電路層506。在另一示例中，可在載體基板505的兩個表面上形成第一電路層506。

如圖5B所示，層壓絕緣層508以使第一電路層506嵌入。去除絕緣層508的一部分，以暴露第一電路層506的一部分。

如圖5C所示，在絕緣層508的上表面上和絕緣層508的使第一電路層506暴露的部分上形成第二種子層510。使用第二種子層510作為用于電鍍的種子層通過電鍍工藝形成包括與第一電路層506的所述一部分電連接的過孔514的第二電路層512和514。

形成為用于電鍍的第二種子層510可由諸如以銅為例的任何導電金屬制 成。

如圖5D所示，通過使第一種子層504a與銅箔層502a彼此分開來制備嵌入圖案的基板515。通過使第一種子層504a與銅箔層502a彼此分開并使獲得的基板倒置來形成圖5D中示出的嵌入圖案的基板515。

如圖5E所示，形成了抗蝕劑516，以部分地去除第一種子層504a和第二種子層510。

如圖5F所示，實施蝕刻然后去除抗蝕劑516，以形成第一電路圖案506a、506b、形成在第一電路圖案506a、506b中的一些上面的突出電路圖案518、第二電路圖案522、523以及連接第一電路圖案506a、506b和第二電路圖案522、523的過孔520。

參照圖5F，突出電路圖案518的寬度W_a大于嵌入的第一電路圖案506a和506b中的每個的寬度W_b。

突出電路圖案518被用作用于引線鍵合的引線鍵合焊盤或作為用于倒裝芯片鍵合的凸點焊盤。為了用作用于引線鍵合的引線鍵合焊盤或用于倒裝芯片鍵合的凸點焊盤，焊盤需要具有至少40μm的寬度。因此，突出電路圖案518形成為比嵌入的第一電路圖案506a、506b中的每個寬。

因此，當為了部分地去除第一種子層504a和第二種子層510而在圖5E中形成抗蝕劑516時，抗蝕劑516形成為使得突出電路圖案518的寬度W_a大于嵌入的第一電路圖案506a、506b中每個的寬度W_b。

如圖5G所示，通過利用焊料掩模工藝形成覆蓋第一電路圖案506a和506b的部分、絕緣層508的上表面的部分的阻焊層524來形成封裝基板530。所述阻焊層524還覆蓋第二電路圖案522和523的部分以及絕緣層508的下表面的部分。

根據上述制造封裝基板的方法，可在將要安裝電子組件的表面上同時形成嵌入結構的電路圖案和突出結構的電路圖案。因此，可制造可同時安裝倒裝芯片和引線鍵合芯片并可形成精細電路圖案的封裝基板。

圖6A至圖6I是通過示出在制造過程中的封裝基板的截面圖來示出制造封裝基板的方法的示圖。盡管在不脫離所描述的示意性示例的精神和范圍的情況下，可改變一些操作的順序或者可省略一些操作，但也可按照示出的順序和方式執行圖6A至圖6I中的操作。可并行或同時執行圖6A至圖6I中示出的許多操作。圖1至圖5G的上面的描述還適于圖6A至圖6I，并通過引用 包含于此。因此，這里可不重復上面的描述。

在這里描述并示出的過程基于2層(2L)嵌入層結構(embedded tracestructure)。在傳統的2L嵌入層結構的封裝基板中，使載體基板分開，然后分別使載體基板之上和之下的種子層被立即蝕刻來形成電路圖案。然而，在根據第二實施例的制造封裝基板的方法中，嵌入電路圖案的側部上的銅種子層被用于無尾電鍍(tailless electroplating)。

如圖6A所示，制備其上層壓有第一種子層604a和604b的載體基板605。通過形成電路的工藝在第一種子層604a上形成第一電路層606。

載體基板605是具有層壓在絕緣材料600的任一表面上的銅箔層602a和602b的基板。第一種子層604a和銅箔層602a可彼此分開。第一種子層604b和銅箔層602b可彼此分開。

如圖6B所示，絕緣層608被層壓為使第一電路層606嵌入，去除絕緣層608的部分，以暴露第一電路層606的部分。

如圖6C所示，在絕緣層608的上表面上和絕緣層608的使第一電路層606暴露的部分上形成第二種子層610。使用第二種子層610作為用于電鍍的種子層通過電鍍工藝形成包括與第一電路層606的所述部分電連接的過孔614的第二電路層612和614。

如圖6D所示，通過使第一種子層604a與銅箔層602a彼此分開來制備嵌入圖案的基板615。通過使第一種子層604a與銅箔層602a彼此分開并使獲得的基板倒置來形成圖6D中示出的嵌入圖案的基板615。

如圖6E所示，使用諸如干膜的阻鍍劑616來實施掩模工藝，以暴露第一種子層604a的表面的需要進行表面處理的部分。對嵌入圖案的基板615的底表面進行掩模以用于OSP球焊盤。

如圖6F所示，通過使用第一種子層604a作為用于電鍍的種子層執行電鍍工藝在第一種子層604a的暴露的表面上形成表面處理層618。可使用例如電鍍Ni/Au、Ni/Pd/Au或錫的各種表面處理方法來形成表面處理層618。

分別通過第一種子層604a和第二種子層610連接第一電路層606和第二電路層612和614。第一種子層604a和第二種子層610由銅制成，可通過第一種子層604a和第二種子層610來電鍍嵌入圖案的基板615的期望部分。因此，可在嵌入圖案的基板615的期望部分處形成表面處理層618。鍍覆部分是在鍍覆之前(即，如圖6E所示)未被阻鍍劑616覆蓋的部分。

如圖6G中示出，將阻鍍劑616全部去除。

如圖6H中示出的，去除第一種子層604a的未形成表面處理層618的部分，以形成嵌入絕緣層608中的第一電路圖案606a和606b。在第一電路圖案606a中的一些的上面形成突出電路圖案620。通過去除第二種子層610的部分來形成第二電路圖案613、622和624。嵌入的第一電路圖案606a和606b的表面形成在與絕緣層608的上表面相同的平面上。

突出電路圖案620被用作用于引線鍵合的引線鍵合焊盤或作為用于倒裝芯片鍵合的凸點焊盤。為了用作用于引線鍵合的引線鍵合焊盤或用于倒裝芯片鍵合的凸點焊盤，焊盤需要具有至少40μm的寬度。因此，突出電路圖案620和表面處理層618形成為比嵌入的第一電路圖案606a和606b中的每個寬。

參照圖6H，在示例中，利用Ni/Au鍍層形成表面處理層618。由于金(Au)不會被蝕刻劑去除因此能夠用作抗蝕劑，使用由金制成的表面處理層618作為抗蝕劑來去除第一種子層604a的未形成表面處理層618的部分。

當表面處理層618被用作抗蝕劑時，會蝕刻在表面處理層618下面的突出電路圖案620的側表面，減小突出電路圖案620的寬度。因此，突出電路圖案620形成為比嵌入的第一電路圖案606a和606b寬。

當不利用金鍍層形成表面處理層618時，在形成額外的抗蝕劑之后去除第一種子層604a的未形成表面處理層618的部分。

如圖6I所示，通過利用焊料掩模工藝形成覆蓋第一電路圖案606a、606b的部分、絕緣層608的上表面的部分并覆蓋第二電路圖案613、622、624的部分和絕緣層608的下表面的部分的阻焊層626來形成封裝基板630。

根據制造封裝基板的方法，在將要安裝電子組件的表面上可同時形成嵌入結構的電路圖案和突出結構的電路圖案。因此，可制造可同時安裝倒裝芯片和引線鍵合芯片并可形成精細電路圖案的封裝基板。

此外，根據制造封裝基板的方法，利用用于形成嵌入的第一電路圖案606a和606b的第一種子層604a來形成在需要表面處理的突出電路圖案620上面的表面處理層618。這樣做無需形成用于電鍍的額外的種子層或額外的鍍覆引入線，因此，用于制造封裝基板的方法的工藝可比傳統無尾法更簡單且更經濟。

根據封裝基板和制造封裝基板的方法，嵌入電路圖案的結構可用于實現 具有20/20μm或更小的L/S(電路圖案的線/間隔，即，電路圖案的寬度/間隔)的精細電路，并在不使用無尾法的情況下，在期望的部分無額外的鍍覆引入線地實施表面處理。

此外，根據封裝基板和制造封裝基板的方法，可在將要安裝電子組件的表面上一起形成嵌入結構的電路圖案和突出結構的電路圖案，因此，可容易地將封裝基板和制造封裝基板的方法用于需要引線鍵合產品或同時安裝了倒裝芯片和引線鍵合芯片的混合倒裝芯片產品的大量無尾設計。

雖然本公開包括特定示例，但是將對本領域普通技術人員清楚的是：在不脫離權利要求及其等同物的精神和范圍的情況下，可對這些示例做出形式和細節上的各種改變。在此描述的示例將被理解為僅是描述性的，而非出于限制的目的。在每個示例中的特征和方面的描述將被理解為可適用于其它示例中的相似的特征或方面。如果按照不同順序執行所描述的技術，和/或如果按照不同方式組合、和/或由其它組件或其等同物來替代或補充所描述的系統、架構、裝置或電路中的組件，則可獲得相應的結果。因此，本公開的范圍不是由具體實施方式限定，而是由權利要求及其等同物來限定，并且在權利要求及其等同物的范圍內的全部變化將被理解為被包括在本公開中。