本技術涉及通信設備，尤其涉及一種射頻功率組件和電子設備。

背景技術：

1、功率放大器(power?amplifier，pa)是移動通信系統(tǒng)的重要組成部分，其作為發(fā)射通道最后的放大單元，用于將小功率的射頻信號進行放大后送往天線發(fā)射。

2、隨著第五代移動通信技術(5th?generation?mobile?communicationtechnology，5g)的到來，近幾年終端設備對功率放大器的性能要求越來越高，然而，由于射頻信號的相位和幅度具有空間分布特性，功率放大器中的射頻電流和電壓相幅容易出現(xiàn)差異，從而導致功率放大器的射頻性能、健壯性以及穩(wěn)定性等發(fā)生惡化。

3、如何在不增加功率放大器的制備難度的情況下，提高功率放大器中的射頻電流和電壓相幅的均一性，成為目前亟待解決的問題之一。

技術實現(xiàn)思路

1、本技術實施例提供一種射頻功率組件和電子設備，目的在于采用平面結構設計，實現(xiàn)射頻功率組件中芯片的互連，并有效地降低射頻功率組件的制備難度。

2、為達到上述目的，本技術的實施例采用如下技術方案：

3、第一方面，提供了一種射頻功率組件，該射頻功率組件包括基板、第一芯片、第二芯片、絕緣層、至少三個導電塊、第一連接部和第二連接部。

4、其中，第一芯片和第二芯片設于基板的同一側；第一芯片和第二芯片沿第一方向排列設置，第一方向平行于基板。絕緣層的至少部分設于第一芯片和第二芯片的遠離基板的一側。至少三個導電塊設于絕緣層的遠離基板的一側；至少三個導電塊沿第二方向間隔且排列設置，第二方向平行于基板，且與第一方向相交叉。第一連接部的一端貫穿絕緣層，并與第一芯片電連接，另一端與導電塊的一端電連接；第二連接部的一端貫穿絕緣層，并與第二芯片電連接，另一端與導電塊的另一端電連接。其中，至少三個導電塊中，至少兩個導電塊的遠離基板的表面的面積不同。

5、本技術實施例提供的射頻功率組件中，通過在第一芯片和第二芯片上設置絕緣層，在絕緣層上設置導電塊，并通過導電塊實現(xiàn)第一芯片和第二芯片之間的電連接，在實現(xiàn)第一芯片和第二芯片的電連接的情況下，提供了一種平面設計的射頻功率組件，該多個導電塊可以一次成型，無須額外的加工工序(例如信號線弧高的精細化設計工序等)，降低了射頻功率組件的制備難度，同時還能夠通過導電塊的面積設計實現(xiàn)對于射頻功率組件的等效電感的調節(jié)。

6、通過設置至少三個導電塊中，至少兩個導電塊的面積不同，從而控制不同導電塊對應的等效電感(尤其是自感)不同，從而對不均勻分布的電流進行調節(jié)，例如，在射頻電流大的位置處減小導電塊的面積，在射頻電流小的位置處增大導電塊的面積，從而使得至少三個導電塊輸出的射頻電流大小趨向一致，實現(xiàn)均勻分布，使得不同位置處的信號相幅同步，減小射頻功率組件內部的信號對流，提高射頻功率組件的電學性能。

7、在第一方面可能的實現(xiàn)方式中，導電塊由第一連接部延伸至第二連接部，導電塊的寬度為，導電塊的垂直于延伸路徑且平行于基板的方向上的尺寸。其中，至少三個導電塊中，至少兩個導電塊的寬度不同。

8、每個導電塊的設計寬度由該導電塊所在位置處的信號電壓、電流的空間分布來決定，電流大的地方則減小導電塊的寬度，從而增大該導電塊產(chǎn)生的等效電感(尤其是自感)，從而減小該導電塊所傳輸?shù)碾娏鞯拇笮。恚娏餍〉牡胤絼t增加導電塊的寬度，從而可以使各個導電塊4輸出的電流相同。

9、在第一方面可能的實現(xiàn)方式中，導電塊由第一連接部延伸至第二連接部，導電塊的長度為，導電塊的延伸路徑上的最大尺寸。其中，至少三個導電塊中，至少兩個導電塊的長度不同。

10、通過在電流大的地方則增加導電塊的長度，從而增大該導電塊產(chǎn)生的等效電感(尤其是自感)，從而減小該導電塊所傳輸?shù)碾娏鞯拇笮。恚娏餍〉牡胤絼t減小導電塊的長度，使各個導電塊輸出的電流相同。

11、在第一方面可能的實現(xiàn)方式中，導電塊呈沿第一方向延伸的矩形。或，至少三個導電塊中，至少一個導電塊呈折線狀。即，導電塊可以包括多種變形方式。

12、在第一方面可能的實現(xiàn)方式中，至少三個導電塊中，至少一個導電塊呈弧線狀；其中，至少兩個導電塊的曲率不同。

13、通過設置至少兩個導電塊的曲率不同，同樣可以使得至少兩個導電塊的總長度不同。例如，在導電塊的兩個端部之間的距離相同的情況下，曲率越大，導電塊的總長度的長度越長，則該導電塊對應的等效電感(尤其是自感)越小。

14、可以理解的是，對導電塊的曲率的大小調節(jié)帶來的技術效果，與對導電塊的長度的大小調節(jié)帶來的技術效果相同，此處不再贅述。

15、在第一方面可能的實現(xiàn)方式中，導電塊包括沿第一方向依次連接的第一子部和第二子部，至少三個導電塊對應的多個第一子部的寬度和/或長度相同，至少三個導電塊中，至少兩個導電塊對應的第二子部的寬度和/或長度不同。即，可以僅對單個導電塊的部分位置處進行變形，從而為導電塊提供更多的變形方式。

16、在第一方面可能的實現(xiàn)方式中，至少三個導電塊中，至少兩個導電塊的厚度不同；導電塊的厚度為，導電塊在第三方向上的尺寸；第三方向垂直于絕緣層的遠離基板的表面。

17、導電塊的厚度越大，電流通過導電塊的截面積就越大，從而可以使得導電塊的等效電感(尤其是自感)減小，使得通過的電流增大。

18、可以理解的是，對導電塊的厚度的大小調節(jié)帶來的技術效果，與對導電塊的寬度的大小調節(jié)帶來的技術效果相同，此處不再贅述。

19、在第一方面可能的實現(xiàn)方式中，至少三個導電塊中，至少一對相鄰設置的導電塊之間的間距，與另一對相鄰設置的導電塊之間的間距不同。

20、每對相鄰設置的導電塊之間的間距由該導電塊所在位置處的信號電壓、電流的空間分布來決定，電流大的地方則減小相鄰兩個導電塊之間的間距，從而增大該相鄰的兩個導電塊之間產(chǎn)生的等效電感(尤其是互感)，從而減小該相鄰的兩個導電塊所傳輸?shù)碾娏鞯拇笮。恚娏餍〉牡胤絼t增加相鄰兩個導電塊之間的間距，從而使各個導電塊輸出的電流大致相同。

21、在第一方面可能的實現(xiàn)方式中，至少三個導電塊以參考線為對稱軸對稱設置；參考線平行于基板，且平行于第一方向。

22、通過將至少三個導電塊以參考線為對稱軸對稱設置，可以進一步使得至少三個導電塊中不同位置處產(chǎn)生的等效電感大致相同，從而進一步提高各個導電塊對應的射頻電流和電壓相幅的均一性。

23、在第一方面可能的實現(xiàn)方式中，第一芯片與第一連接部一體設置，第二芯片與第二連接部一體設置；或，導電塊、第一連接部和第二連接部一體設置。

24、在第一方面可能的實現(xiàn)方式中，射頻功率組件還包括至少一個電子元件，設于絕緣層的遠離基板的一側。其中，導電塊與第一連接部之間通過電子元件電連接，和/或，導電塊與第二連接部之間通過電子元件電連接。

25、即，可以將電子元件與導電塊一起作為射頻電流傳輸?shù)拿浇椋瑥亩€可以通過對電子元件的調節(jié)實現(xiàn)對于射頻電流的調節(jié)。

26、在第一方面可能的實現(xiàn)方式中，射頻功率組件包括多個第二芯片，多個第二芯片分設于第一芯片的不同側。

27、即，本技術實施例提供的射頻功率組件中并不局限于一個或兩個芯片，射頻功率組件中可以包括多個芯片，任意兩個需要進行電連接的芯片之間均可以通過前述實施例所提供的導電塊實現(xiàn)互連，以及實現(xiàn)對于等效電感的控制和調節(jié)。

28、在第一方面可能的實現(xiàn)方式中，射頻功率組件包括多個單元模組，每個單元模組均包括第一芯片、第二芯片、絕緣層、導電塊、第一連接部和第二連接部。其中，多個單元模組沿第一方向和/或第二方向排列設置。

29、即，本技術實施例提供的射頻功率組件中的器件可以沿第一方向x或第二方向y進行累加，從而使得該射頻功率組件可以靈活地應用于多種不同的應用場景。

30、第二方面，提供一種射頻功率組件，該射頻功率組件包括基板、第一芯片、第二芯片、絕緣層、至少三個導電塊、第一連接部和第二連接部。

31、其中，第一芯片和第二芯片設于基板的同一側；第一芯片和第二芯片沿第一方向排列設置，第一方向平行于基板。絕緣層的至少部分設于第一芯片和第二芯片的遠離基板的一側。至少三個導電塊設于絕緣層的遠離基板的一側；至少三個導電塊沿第二方向間隔且排列設置，第二方向平行于基板，且與第一方向相交叉。第一連接部的一端貫穿絕緣層，并與第一芯片電連接，另一端與導電塊的一端電連接；第二連接部的一端貫穿絕緣層，并與第二芯片電連接，另一端與導電塊的另一端電連接。其中，至少三個導電塊中，至少一對相鄰設置的導電塊之間的間距，與另一對相鄰設置的導電塊之間的間距不同。

32、與第一方面中提供的射頻功率組件類似，第二方面中提供的射頻功率組件的制備難度同樣較低，且通過設置至少一對相鄰設置的導電塊之間的間距，與另一對相鄰設置的導電塊之間的間距不同，實現(xiàn)對于不同導電塊對應的等效電感(尤其是互感)的控制和調節(jié)，從而使得至少三個導電塊輸出的射頻信號相幅大小趨向一致，實現(xiàn)均勻分布，減小射頻功率組件內部的信號對流，提高射頻功率組件的電學性能。

33、第三方面，提供一種電子設備，該電子設備包括天線和第一方面中任一項實施例所提供的射頻功率組件。其中，天線與射頻功率組件耦合。

34、第三方面中的電子設備的制備方法所帶來的技術效果，可參見第一方面以及第二方面中的射頻功率組件的設計方式所帶來的技術效果，此處不再贅述。