本公開的示例性實施方式涉及基板處理方法和基板處理裝置。

背景技術：

1、在專利文獻1中，公開了在半導體基板上使用euv光形成可圖案化的薄膜的技術。

2、現有技術文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：日本特表2021-523403號公報

技術實現思路

1、本公開提供了一種調節(jié)顯影圖案形狀的技術。

2、在本公開的一個示例性實施方式中，提供了一種基板處理方法，包括：(a)提供具有底膜和所述底膜上的抗蝕劑膜的基板的工序，所述抗蝕劑膜具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；(b)除去所述第二區(qū)域的至少一部分，使所述第一區(qū)域的側面的至少一部分露出的工序；(c)在所述第一區(qū)域的至少上面形成沉積膜的工序；和(d)除去所述沉積膜的至少一部分和所述第二區(qū)域的至少一部分的工序。

3、發(fā)明效果

4、根據本公開的一個示例性實施方式，能夠提供一種用于調節(jié)顯影圖案形狀的技術。

技術特征：

1.一種基板處理方法，包括：

2.根據權利要求1所述的基板處理方法，其中，

3.根據權利要求2所述的基板處理方法，其中，

4.根據權利要求3所述的基板處理方法，其中，

5.根據權利要求4所述的基板處理方法，其中，

6.根據權利要求1所述的基板處理方法，其中，

7.根據權利要求1所述的基板處理方法，其中，

8.根據權利要求7所述的基板處理方法，其中，

9.根據權利要求7所述的基板處理方法，其中，

10.根據權利要求1所述的基板處理方法，其中，

11.根據權利要求10所述的基板處理方法，其中，

12.根據權利要求1所述的基板處理方法，其中，

13.根據權利要求12所述的基板處理方法，其中，

14.根據權利要求13所述的基板處理方法，其中，

15.根據權利要求13所述的基板處理方法，其中，

16.根據權利要求1所述的基板處理方法，其中，

17.根據權利要求16所述的基板處理方法，其中，

18.根據權利要求16所述的基板處理方法，其中，

19.根據權利要求16所述的基板處理方法，其中，

20.根據權利要求1所述的基板處理方法，其中，

21.根據權利要求1至20中任一項所述的基板處理方法，其中，

22.根據權利要求21所述的基板處理方法，其中，

23.根據權利要求21所述的基板處理方法，其中，

24.一種基板處理裝置，具備腔室、配置在所述腔室內的基板支撐部和控制部，

25.根據權利要求24所述的基板處理裝置，其中，

26.根據權利要求24所述的基板處理裝置，其中，

27.根據權利要求24所述的基板處理裝置，其中，

技術總結
提供了一種調節(jié)顯影圖案形狀的技術。本公開中的基板處理方法包括：(a)提供具有底膜和所述底膜上的抗蝕劑膜的基板的工序，所述抗蝕劑膜具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；(b)除去所述第二區(qū)域的至少一部分，使所述第一區(qū)域的側面的至少一部分露出的工序；(c)在所述第一區(qū)域的至少上面形成沉積膜的工序；和(d)除去所述沉積膜的至少一部分和所述第二區(qū)域的至少一個的工序。

技術研發(fā)人員：熊倉翔,小野健太,中根由太,西塚哲也,本田昌伸
受保護的技術使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會社
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/3/10