本技術涉及半導體器件，尤其是涉及一種封裝結構。

背景技術：

1、對于方形扁平無引腳封裝(quad?flat?no-leads?package，qfn)等封裝結構，芯片的漏極與引線框架之間通過導電片進行連接，在一些方案中，導電片的表面會從模封體中露出以增加芯片的散熱能力。相關技術中，為了保證導電片能夠接觸到下方的引線框架，通常會對導電片的端部進行彎折，然而，這種做法會減小導電片從模封體中露出的面積，進而影響散熱能力。

技術實現思路

1、本實用新型旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此，本實用新型提出一種封裝結構，能夠增加散熱能力。

2、根據本實用新型第一實施例的封裝結構，包括模封體，以及包覆在所述模封體內且依次層疊設置的導電體、芯片與引線框架：

3、所述引線框架包括間隔設置的第一框架與第二框架，且二者沿平行于所述芯片的方向并列分布；

4、所述導電體包括導電主體與凸出部，所述導電主體設置為平行于所述芯片的片狀結構，且所述導電主體包括朝向所述芯片的第一表面與背離所述芯片的第二表面，所述凸出部凸出設置于所述第一表面，并與所述第二框架導電連接；

5、所述芯片具有相對設置的第一側與第二側，所述第一側導電連接于所述第一框架，所述第二側導電連接于所述導電主體的所述第一表面；

6、其中，所述導電主體的所述第二表面全部從所述模封體內露出。

7、根據本實用新型第一實施例的封裝結構，至少具有如下有益效果：

8、本實施例中的導電主體設置為平行于芯片的片狀結構，其第二表面能夠全部從模封體內露出，從而增加了導電體外露的散熱面積，進而加強了封裝結構的散熱能力，能夠適應于散熱需求較高的封裝結構。

9、在本實用新型的其他實施例中，所述導電主體的所述第二表面具有限位槽，所述限位槽與所述凸出部對應設置，所述模封體包括位于限位部，所述限位部位于所述限位槽。

10、在本實用新型的其他實施例中，所述限位槽與對應的所述凸出部設置為沖壓成型結構。

11、在本實用新型的其他實施例中，所述第二框架朝向所述凸出部的表面設置有定位孔，至少一個所述凸出部插接于所述定位孔內。

12、在本實用新型的其他實施例中，所述凸出部設置為多個，多個所述凸出部中的至少一個為第一凸出部，其他為第二凸出部，其中，所述第一凸出部相對于所述第一表面的凸出高度大于所述第二凸出部相對于所述第一表面的凸出高度，所述第一凸出部插接于所述定位孔內，所述第二凸出部與所述第二框架朝向所述凸出部的表面導電連接。

13、在本實用新型的其他實施例中，所述第一框架與所述第二框架沿第一方向分布，且所述第一框架相對于所述第二框架臨近所述模封體的第一側面設置，所述第二框架相對于所述第一框架臨近所述模封體的第二側面設置；

14、多個所述凸出部沿第二方向分布，且沿所述第一方向，所述第一凸出部與所述第二側面之間的距離小于所述第二凸出部與所述第二側面之間的距離，所述第一方向與所述第二方向中的一者為所述封裝結構的長度方向，另一者為所述封裝結構的寬度方向。

15、在本實用新型的其他實施例中，所述導電主體上朝向所述第二側面的第三側面包括平直段與相對所述平直段凸出的凸出段，所述凸出段對應所述第一凸出部設置，所述平直段對應所述第二凸出部設置。

16、在本實用新型的其他實施例中，所述模封體包括包覆所述導電體的模封主體；

17、其中，所述第一框架背離所述芯片的表面設置有第一凹槽，所述第一凹槽延伸至所述第一框架的側面，且所述第一凹槽的深度小于所述第一框架的最大厚度，所述模封體還包括連接于所述模封主體的第一連接部，所述第一連接部位于所述第一凹槽內；

18、和/或，所述第二框架背離向所述芯片的表面設置有第二凹槽，所述第二凹槽延伸至所述第二框架的側面，且所述第二凹槽的深度小于所述第二框架的最大厚度，所述模封體還包括連接于所述模封主體的第二連接部，所述第二連接部位于所述第二凹槽內。

19、在本實用新型的其他實施例中，所述第一框架朝向所述芯片的表面設置有第三凹槽，所述第三凹槽延伸至所述第一框架的側面，且所述第三凹槽的深度小于所述第一框架的最大厚度，所述模封體還包括連接于所述模封主體的第三連接部，所述第三連接部位于所述第三凹槽內，沿所述第一框架的厚度方向，所述第一凹槽的投影與所述第三凹槽的投影不重合；

20、和/或，所述第二框架朝向所述芯片的表面設置有第四凹槽，所述第四凹槽延伸至所述第二框架的側面，且所述第四凹槽的深度小于所述第二框架的最大厚度，所述模封體還包括連接于所述模封主體的第四連接部，所述第四連接部位于所述第四凹槽內，沿所述第二框架的厚度方向，所述第二凹槽的投影與所述第四凹槽的投影不重合。

21、在本實用新型的其他實施例中，所述第二表面的面積占所述模封體對應側表面的面積的80％至85％。

22、本實用新型的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實用新型的實踐了解到。

技術特征：

1.封裝結構，其特征在于，包括模封體，以及包覆在所述模封體內且依次層疊設置的導電體、芯片與引線框架：

2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述導電主體的所述第二表面具有限位槽，所述限位槽與所述凸出部對應設置，所述模封體包括位于限位部，所述限位部位于所述限位槽。

3.根據權利要求2所述的封裝結構，其特征在于，所述限位槽與對應的所述凸出部設置為沖壓成型結構。

4.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述第二框架朝向所述凸出部的表面設置有定位孔，至少一個所述凸出部插接于所述定位孔內。

5.根據權利要求4所述的封裝結構，其特征在于，所述凸出部設置為多個，多個所述凸出部中的至少一個為第一凸出部，其他為第二凸出部，其中，所述第一凸出部相對于所述第一表面的凸出高度大于所述第二凸出部相對于所述第一表面的凸出高度，所述第一凸出部插接于所述定位孔內，所述第二凸出部與所述第二框架朝向所述凸出部的表面導電連接。

6.根據權利要求5所述的封裝結構，其特征在于，所述第一框架與所述第二框架沿第一方向分布，且所述第一框架相對于所述第二框架臨近所述模封體的第一側面設置，所述第二框架相對于所述第一框架臨近所述模封體的第二側面設置；

7.根據權利要求6所述的封裝結構，其特征在于，所述導電主體上朝向所述第二側面的第三側面包括平直段與相對所述平直段凸出的凸出段，所述凸出段對應所述第一凸出部設置，所述平直段對應所述第二凸出部設置。

8.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述模封體包括包覆所述導電體的模封主體；

9.根據權利要求8所述的封裝結構，其特征在于，所述第一框架朝向所述芯片的表面設置有第三凹槽，所述第三凹槽延伸至所述第一框架的側面，且所述第三凹槽的深度小于所述第一框架的最大厚度，所述模封體還包括連接于所述模封主體的第三連接部，所述第三連接部位于所述第三凹槽內，沿所述第一框架的厚度方向，所述第一凹槽的投影與所述第三凹槽的投影不重合；

10.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于，所述第二表面的面積占所述模封體對應側表面的面積的80％至85％。

技術總結
本技術公開了封裝結構，包括模封體，以及包覆在所述模封體內且依次層疊設置的導電體、芯片與引線框架：引線框架包括間隔設置的第一框架與第二框架，且二者沿平行于芯片的方向并列分布；導電體包括導電主體與凸出部，導電主體設置為平行于芯片的片狀結構，且導電主體包括朝向芯片的第一表面與背離芯片的第二表面，凸出部凸出設置于第一表面，并與第二框架導電連接；芯片具有相對設置的第一側與第二側，第一側導電連接于第一框架，第二側導電連接于導電主體的第一表面；導電主體的第二表面全部從模封體內露出，增加了導電體外露的散熱面積，進而加強了封裝結構的散熱能力，能夠適應于散熱需求較高的封裝結構。

技術研發人員：毛志坤,皮耶朗基羅·馬尼,鐘敏妮,蔡浩,歐陽燏,周鵬書,馬可·安東尼奧·雷納
受保護的技術使用者：深圳賽意法微電子有限公司
技術研發日：20240705
技術公布日：2025/4/28