本公開的實施例涉及集成電路結構及其形成方法。

背景技術：

1、電子工業對更小和更快的電子器件的需求日益增長，該電子器件能夠同時支持更多越來越復雜和精密的功能。為了滿足這些需求，集成電路(ic)工業有制造低成本、高性能和低功耗ic的持續趨勢。到目前為止，這些目標在很大程度上是通過減小ic尺寸(例如，最小ic部件尺寸)，從而提高生產效率并且降低相關成本來實現的。然而，這種按比例縮小也增加了ic制造工藝的復雜性。因此，實現ic器件及其性能的持續進步需要ic制造工藝和技術的類似進步。

2、特別地，雖然ic尺寸的縮小繼續提高了器件性能，但是增大器件密度也增大了功率密度，這進而導致ic熱管理成為半導體技術發展的關鍵挑戰。在一些示例中，先進的ic器件可以產生高熱通量，具有局部熱點，這將降低器件性能和可靠性。雖然已經探索了為高性能器件提供冷卻的各種解決方案，但是到目前為止，它們的熱交換效率有限。

3、因此，現有技術不是在所有方面都完全令人滿意。

技術實現思路

1、本公開的實施例提供了一種集成電路結構，包括：集成電路管芯；以及集成散熱器結構，設置在所述集成電路管芯上方；其中，所述集成散熱器結構包括與所述集成電路管芯相鄰的第一閉環微通道結構和設置在所述第一閉環微通道結構上方的第二閉環微通道結構，所述第二閉環微通道結構設置為比所述第一閉環微通道結構更遠離所述集成電路管芯；并且其中，多個微通道和微混合器室共同提供所述第一閉環微通道結構和所述第二閉環微通道結構。

2、本公開的另一實施例提供了一種集成電路(ic)結構，包括：管芯；以及集成散熱器，設置在所述管芯上方，所述集成散熱器包括多個閉環微通道結構和第一微混合器室；其中，所述多個閉環微通道結構通過第一相應入口流體耦接至所述第一微混合器室；其中，所述多個閉環微通道結構通過第一公共出口流體耦接至所述第一微混合器室；并且其中，所述第一相應入口的每個包括泵，所述泵配置為控制經由所述第一相應入口注入到所述第一微混合器室中的液體。

3、本公開的又另一實施例提供了一種形成集成電路結構的方法，包括：在管芯上方提供集成散熱器，其中，所述集成散熱器包括通過第一入口流體耦接至微混合器室的第一閉環微通道結構和通過第二入口流體耦接至所述微混合器室的第二閉環微通道結構，并且其中，第一泵耦接至所述第一入口，并且第二泵耦接至所述第二入口；經由所述第一入口以第一速度將液體注入到所述微混合器室中；以及經由所述第二入口以第二速度將所述液體注入到所述微混合器室中。

技術特征：

1.一種集成電路結構，包括：

2.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述第一閉環微通道結構通過第一入口和出口流體耦接至所述微混合器室，并且其中，所述第二閉環微通道結構通過第二入口和所述出口流體耦接至所述微混合器室。

3.根據權利要求2所述的集成電路結構，還包括耦接至所述第一入口的第一泵和耦接至所述第二入口的第二泵。

4.根據權利要求3所述的集成電路結構，其中，所述第一泵配置為控制經由所述第一入口注入到所述微混合器室中的液體，并且其中，所述第二泵配置為控制經由所述第二入口注入到所述微混合器室中的所述液體。

5.根據權利要求3所述的集成電路結構，其中，使用主動振蕩輸入相位(oip)控制器來控制所述第一泵和所述第二泵。

6.根據權利要求3所述的集成電路結構，其中，所述第一泵和所述第二泵中的至少一個包括電-流體動力(ehd)泵。

7.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述微混合器室的第一寬度與所述多個微通道中的微通道的第二寬度的比率在約5:1至約15:1之間的范圍內。

8.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述微混合器室的寬度和長度的比率在約1:1至約1:5之間的范圍內。

9.一種集成電路(ic)結構，包括：

10.一種形成集成電路結構的方法，包括：

技術總結
本公開的一個方面涉及集成電路(IC)結構。IC結構包括管芯和設置在管芯上方的集成散熱器結構。在一些實施例中，集成散熱器結構包括與管芯相鄰的第一閉環微通道結構和設置在第一閉環微通道結構上方的第二閉環微通道結構。在示例中，第二閉環微通道結構設置為比第一閉環微通道結構更遠離管芯。在一些實施方式中，多個微通道和微混合器室共同提供第一閉環微通道結構和第二閉環微通道結構。本公開的實施例還涉及形成集成電路結構的方法。

技術研發人員：許桀豪,張國欽,言瑋,何軍
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28