本技術(shù)涉及顯示，尤其涉及一種光電器件、所述光電器件的制備方法、及包括所述光電器件的顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、目前廣泛使用的光電器件為有機(jī)發(fā)光二極管(oled)和量子點(diǎn)發(fā)光二極管(qled)。oled由于具有自發(fā)光、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、超輕薄、響應(yīng)速度快、寬視角、低功耗、可柔性顯示等十分優(yōu)異的顯示性能，已成為顯示技術(shù)領(lǐng)域中的主流技術(shù)。qled具有出射光顏色飽和以及波長(zhǎng)可調(diào)的優(yōu)點(diǎn)，而且光致、電致發(fā)光量子產(chǎn)率高，近年來成了oled的有力競(jìng)爭(zhēng)者。

2、在實(shí)現(xiàn)商業(yè)化的道路上，光電器件的效率一致性一直是個(gè)很大的問題，光電器件在相同的工藝條件下制備，但是，即使是同一批次的光電器件，其效率會(huì)出現(xiàn)很大的波動(dòng)，一致性仍然較差。

3、目前，光電器件的批次穩(wěn)定性較差，有待進(jìn)一步改善。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本技術(shù)提供一種光電器件，旨在改善光電器件的穩(wěn)定性。

2、本技術(shù)實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種光電器件，包括

3、包括層疊設(shè)置的第一電極、第一載流子功能層和第二電極，所述第一載流子功能層的材料包括第一載流子功能材料和第一鈍化劑，所述第一鈍化劑為[(ch3)a1nhb1]x1xy1，其中，1≤x1/y1≤3，1≤a1≤4，0≤b1≤3，所述x包括路易斯堿。

4、可選地，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述x包括cl-、br-、i-、so42-、po43-中的一種或幾種；和/或

5、所述a1和b1的數(shù)值滿足：a1+b1＝4；和/或

6、所述第一鈍化劑包括甲基硫酸銨、甲基氯化銨、甲基溴化銨、二甲基碘化銨、四甲基磷酸銨中的一種或幾種；和/或

7、所述第一載流子功能層為第一電子功能層或第一空穴功能層；和/或

8、所述第一載流子功能材料包括第一電子功能材料或第一空穴功能材料；和/或

9、所述光電器件還包括光活性層，所述光活性層設(shè)置在所述第一載流子功能層和所述第二電極之間。

10、可選地，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述第一鈍化劑的化學(xué)式包括：(ch3nh3)2so4、ch3nh3cl、ch3nhbr、(ch3)2nh2i、(ch3)4npo4中的一種或幾種；和/或

11、所述光活性層的材料包括4,4'-雙(n-咔唑)-1,1'-聯(lián)苯:三[2-(對(duì)甲苯基)吡啶合銥(iii)]、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(對(duì)甲苯基)吡啶合銥]、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe熒光材料、ttpx熒光材料、tbrb熒光材料、dbp熒光材料、延遲熒光材料、tta材料、tadf材料、含有b-n共價(jià)鍵合的聚合物、hlct材料、exciplex發(fā)光材料、cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste、sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste、gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb、cuins2、cuinse2、agins2、cdse/cdses/cds、inp/znses/zns、cdznse/znse/zns、cdses/znses/zns、cdse/zns、cdse/znse/zns、znse/zns、znsete/zns、cdse/cdznses/zns、inp/znse/zns、amy3，其中a選自cs+、ch3(ch2)n-2nh3+或[nh3(ch2)nnh3]2+，其中n≥2，m選自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的一種或幾種，y選自cl-、br-、i-中的一種或幾種；和/或

12、所述第一電子功能材料包括第一摻雜型金屬氧化物顆粒、第一非摻雜型金屬氧化物顆粒、iib-via族半導(dǎo)體材料、iiia-va族半導(dǎo)體材料及ib-iiia-via族半導(dǎo)體材料中的一種或幾種，所述第一非摻雜型金屬氧化物顆粒的材料包括zno、tio2、sno2、zro2、ta2o5中的一種或幾種，所述第一摻雜型金屬氧化物顆粒中的金屬氧化物包括zno、tio2、sno2、zro2、ta2o5、al2o3中的一種或幾種，所述第一摻雜型金屬氧化物顆粒中的摻雜元素包括al、mg、li、mn、y、la、cu、ni、zr、ce、in、ga中的一種或幾種，所述iib-via族半導(dǎo)體材料包括zns、znse、cds中的一種或幾種，所述iiia-va族半導(dǎo)體材料包括inp、gap中的一種或幾種，所述ib-iiia-via族半導(dǎo)體材料包括cuins、cugas中的一種或幾種；和/或

13、所述第一空穴功能材料包括4,4'-n,n'-二咔唑基-聯(lián)苯、n,n'-二苯基-n,n'-雙(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4”-二胺、n,n'-二苯基-n,n'-雙(3-甲基苯基)-(1,1'-聯(lián)苯基)-4,4'-二胺、n,n'-雙(3-甲基苯基)-n,n'-雙(苯基)-螺、n,n'-二(4-(n,n'-二苯基-氨基)苯基)-n,n'-二苯基聯(lián)苯胺、4,4',4'-三(n-咔唑基)-三苯胺、4,4',4'-三(咔唑-9-基)三苯胺、三氯異氰尿酸、摻鋱的磷酸鹽基綠色發(fā)光材料、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(n-(4-仲丁基苯基)二苯胺))]、聚(4-丁基苯基-二苯基胺)、聚[雙(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚苯胺、聚吡咯、聚(對(duì))亞苯基亞乙烯基、聚(亞苯基亞乙烯基)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基]、聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基]、銅酞菁、芳香族叔胺、多核芳香叔胺、4,4'-雙(對(duì)咔唑基)-1,1'-聯(lián)苯化合物、n,n,n',n'-四芳基聯(lián)苯胺、pedot、pedot:pss及其衍生物、pedot:pss摻有s-moo3的衍生物、聚(n-乙烯基咔唑)及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基聯(lián)苯胺、螺npb、納米多晶金剛石、微晶纖維素及四氰基醌二甲烷、摻雜石墨烯、非摻雜石墨烯、第二摻雜型金屬氧化物顆粒、第二非摻雜型金屬氧化物顆粒、金屬硫化物、金屬硒化物和金屬氮化物中的一種或幾種，所述第二摻雜型金屬氧化物顆粒中的金屬氧化物和所述第二非摻雜型金屬氧化物顆粒中的金屬氧化物各自獨(dú)立地包括moo3、wo3、nio、cro3、cuo、cu2o、v2o5中的一種或幾種，所述第二摻雜型金屬氧化物顆粒中的摻雜元素包括mo、w、ni、cr、cu、v中的一種或幾種，所述金屬硫化物包括cus、mos3、ws3中的一種或幾種，所述金屬硒化物包括mose3、wse3中的一種或幾種，所述金屬氮化物包括p型氮化鎵；和/或

14、所述第一電極和所述第二電極各自獨(dú)立包括金屬、碳材料以及金屬氧化物中的一種或幾種；所述金屬包括al、ag、cu、mo、au、ba、ca、yb以及mg中的一種或幾種；所述碳材料包括石墨、碳納米管、石墨烯以及碳纖維中的一種或幾種；所述金屬氧化物包括金屬氧化物電極或者摻雜或非摻雜透明金屬氧化物之間夾著金屬的復(fù)合電極，所述金屬氧化物電極的材料包括ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo、moo3以及amo中的一種或幾種，所述復(fù)合電極包括azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、zns/ag/zns、zns/al/zns、tio2/ag/tio2以及tio2/al/tio2中的一種或幾種。

15、可選地，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述第一載流子功能材料為第一空穴功能材料，所述第一空穴功能材料和所述第一鈍化劑的質(zhì)量比為100：(10～15)；和/或

16、所述第一載流子功能材料為第一電子功能材料，所述第一電子功能材料和所述第一鈍化劑的質(zhì)量比為100：(5～12)。

17、可選地，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述光電器件還包括第二載流子功能層，所述第二載流子功能層設(shè)置在所述光活性層和所述第二電極之間，所述第二載流子功能層的材料包括第二載流子功能材料，或者所述第二載流子功能層的材料包括第二載流子功能材料和第二鈍化劑，所述第二鈍化劑為[(ch3)a2nhb2]x2xy2，其中，1≤x2/y2≤3，1≤a2≤4，0≤b2≤3，a2+b2＝4，所述x包括路易斯堿，所述第一鈍化劑和所述第二鈍化劑相同或不同。

18、可選地，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述第一載流子功能層為第一空穴功能層時(shí)，所述第二載流子功能層為第二電子功能層，所述第二載流子功能材料包括第二電子功能材料；或者

19、所述第一載流子功能層為第一電子功能層時(shí)，所述第二載流子功能層為第二空穴功能層，所述第二載流子功能材料包括第二空穴功能材料。

20、可選地，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述第二電子功能材料包括第一摻雜型金屬氧化物顆粒、第一非摻雜型金屬氧化物顆粒、iib-via族半導(dǎo)體材料、iiia-va族半導(dǎo)體材料及ib-iiia-via族半導(dǎo)體材料中的一種或幾種，所述第一非摻雜型金屬氧化物顆粒的材料包括zno、tio2、sno2、zro2、ta2o5中的一種或幾種，所述第一摻雜型金屬氧化物顆粒中的金屬氧化物包括zno、tio2、sno2、zro2、ta2o5、al2o3中的一種或幾種，所述第一摻雜型金屬氧化物顆粒中的摻雜元素包括al、mg、li、mn、y、la、cu、ni、zr、ce、in、ga中的一種或幾種，所述iib-via族半導(dǎo)體材料包括zns、znse、cds中的一種或幾種，所述iiia-va族半導(dǎo)體材料包括inp、gap中的一種或幾種，所述ib-iiia-via族半導(dǎo)體材料包括cuins、cugas中的一種或幾種；和/或

21、所述第二空穴功能材料包括4,4'-n,n'-二咔唑基-聯(lián)苯、n,n'-二苯基-n,n'-雙(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4”-二胺、n,n'-二苯基-n,n'-雙(3-甲基苯基)-(1,1'-聯(lián)苯基)-4,4'-二胺、n,n'-雙(3-甲基苯基)-n,n'-雙(苯基)-螺、n,n'-二(4-(n,n'-二苯基-氨基)苯基)-n,n'-二苯基聯(lián)苯胺、4,4',4'-三(n-咔唑基)-三苯胺、4,4',4'-三(咔唑-9-基)三苯胺、三氯異氰尿酸、摻鋱的磷酸鹽基綠色發(fā)光材料、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(n-(4-仲丁基苯基)二苯胺))]、聚(4-丁基苯基-二苯基胺)、聚[雙(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚苯胺、聚吡咯、聚(對(duì))亞苯基亞乙烯基、聚(亞苯基亞乙烯基)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基]、聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基]、銅酞菁、芳香族叔胺、多核芳香叔胺、4,4'-雙(對(duì)咔唑基)-1,1'-聯(lián)苯化合物、n,n,n',n'-四芳基聯(lián)苯胺、pedot、pedot:pss及其衍生物、pedot:pss摻有s-moo3的衍生物、聚(n-乙烯基咔唑)及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基聯(lián)苯胺、螺npb、納米多晶金剛石、微晶纖維素及四氰基醌二甲烷、摻雜石墨烯、非摻雜石墨烯、第二摻雜型金屬氧化物顆粒、第二非摻雜型金屬氧化物顆粒、金屬硫化物、金屬硒化物和金屬氮化物中的一種或幾種，所述第二摻雜型金屬氧化物顆粒中的金屬氧化物和所述第二非摻雜型金屬氧化物顆粒中的金屬氧化物各自獨(dú)立地包括moo3、wo3、nio、cro3、cuo、cu2o、v2o5中的一種或幾種，所述第二摻雜型金屬氧化物顆粒中的摻雜元素包括mo、w、ni、cr、cu、v中的一種或幾種，所述金屬硫化物包括cus、mos3、ws3中的一種或幾種，所述金屬硒化物包括mose3、wse3中的一種或幾種，所述金屬氮化物包括p型氮化鎵。

22、相應(yīng)地，本技術(shù)實(shí)施例還提供一種光電器件的制備方法，包括：

23、提供光電器件預(yù)制體，所述光電器件預(yù)制體包括第一電極；

24、提供第一載流子功能材料和第一鈍化劑，將所述第一載流子功能材料和所述第一鈍化劑設(shè)置在所述光電器件預(yù)制體上，形成第一載流子功能層；其中，所述第一鈍化劑包括[(ch3)anhb]x1xy1，其中，1≤x1/y1≤3，1≤a≤4，0≤b≤3，a+b＝4，所述x包括路易斯堿；

25、在所述第一載流子功能層上形成第二電極，得到光電器件。

26、可選地，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述x包括cl-、br-、i-、so42-、po43-中的一種或幾種；和/或

27、所述第一鈍化劑包括甲基硫酸銨、甲基氯化銨、甲基溴化銨、二甲基碘化銨、四甲基磷酸銨中的一種或幾種；和/或

28、所述第一載流子功能層為第一電子功能層或第一空穴功能層；和/或

29、所述第一載流子功能材料包括第一電子功能材料或第一空穴功能材料。

30、可選地，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述光電器件預(yù)制體包括依次層疊設(shè)置的第一電極和光活性層，所述第一載流子功能層形成在所述光活性層上；或者

31、所述形成第一載流子功能層后，還包括形成光活性層和第二電極，得到光電器件。

32、可選地，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述形成光活性層后，還包括形成第二載流子功能層，所述形成第二載流子功能層包括：

33、提供第二載流子功能材料，將所述第二載流子功能材料設(shè)置在所述光活性層上，形成第二載流子功能層；或者

34、提供第二載流子功能材料和第二鈍化劑，將所述第二載流子功能材料和所述第二鈍化劑設(shè)置在所述光活性層上，形成第二載流子功能層；其中，所述第二鈍化劑包括[(ch3)anhb]x2xy2，其中，1≤x2/y2≤3，1≤a≤4，0≤b≤3，a+b＝4，所述x包括路易斯堿；所述第一鈍化劑和所述第二鈍化劑相同或不同。

35、可選地，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述形成第一載流子功能層的方法包括：將所述第一載流子功能材料和第一溶劑混合，得到第一分散液，將所述第一鈍化劑和第二溶劑混合，得到第二分散液，將所述第一分散液和所述第二分散液混合，得到第三分散液，將所述第三分散液設(shè)置在所述光電器件預(yù)制體上，形成第一載流子功能層。

36、可選地，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述第一溶劑和所述第二溶劑各自獨(dú)立包括氯苯、乙醇、二乙二醇單丁醚、三甲氧基丁醇、三乙二醇單丁醚、二乙二醇二甲醚、乙醇、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇、異丙醇、丙三醇、二甲基亞砜、丙酮、苯乙酮、四氫呋喃、n,n-二甲基甲酰胺、乙酸乙酯、吡咯、丁酸、甲酚中的一種或幾種；和/或

37、所述第二分散液中，所述第一鈍化劑的質(zhì)量濃度為2mg/ml～5mg/ml。

38、可選地，在本技術(shù)的一些實(shí)施例中，所述第一載流子功能材料包括第一空穴功能材料，所述第一分散液中，所述第一空穴功能材料的質(zhì)量濃度為8mg/ml～12mg/ml；所述第三分散液中，所述第一空穴功能材料和所述第一鈍化劑的質(zhì)量比為100：(10～15)；或者

39、所述第一載流子功能材料包括第一電子功能材料，所述第一分散液中，所述第一電子功能材料的質(zhì)量濃度為30mg/ml～40mg/ml；所述第三分散液中，所述第一電子功能材料和所述第一鈍化劑的質(zhì)量比為100：(5～12)。

40、相應(yīng)地，本技術(shù)實(shí)施例還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述光電器件，或者上述制備方法制得的光電器件。

41、本技術(shù)提供的光電器件，可以增加空穴濃度，提高光電器件的光轉(zhuǎn)換率，促進(jìn)空穴與電子的平衡，從而提高光電器件的批次穩(wěn)定性和一致性，適用于大規(guī)模生產(chǎn)。