本發(fā)明的一個方式涉及一種使用氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體裝置、存儲裝置及電子設(shè)備。另外，本發(fā)明的一個方式涉及一種上述半導(dǎo)體裝置及上述存儲裝置的制造方法。注意，本發(fā)明的一個方式不限定于上述。作為本發(fā)明的一個方式的的一個例子，可以舉出半導(dǎo)體裝置、顯示裝置、發(fā)光裝置、蓄電裝置、存儲裝置、電子設(shè)備、照明裝置、輸入裝置(例如，觸摸傳感器)、輸入輸出裝置(例如，觸摸面板)、上述裝置的驅(qū)動方法或者上述裝置的制造方法。注意，在本說明書等中，半導(dǎo)體裝置是指能夠通過利用半導(dǎo)體特性而工作的所有裝置。除了晶體管等半導(dǎo)體元件之外，半導(dǎo)體電路、運(yùn)算裝置或存儲裝置也是半導(dǎo)體裝置的一個方式。有時可以說顯示裝置(液晶顯示裝置、發(fā)光顯示裝置等)、投影裝置、照明裝置、電光裝置、蓄電裝置、存儲裝置、半導(dǎo)體電路、攝像裝置、電子設(shè)備等包括半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

1、近年來，已對半導(dǎo)體裝置進(jìn)行開發(fā)，lsi、cpu、存儲器等主要用于半導(dǎo)體裝置。cpu是包括將半導(dǎo)體晶片加工來形成芯片而成的半導(dǎo)體集成電路(至少包括晶體管及存儲器)且形成有作為連接端子的電極的半導(dǎo)體元件的集合體。

2、lsi、cpu、存儲器等的半導(dǎo)體電路(ic芯片)被安裝在電路板(例如，印刷線路板)上，并被用作各種電子設(shè)備的構(gòu)件之一。

3、此外，通過使用形成在具有絕緣表面的襯底上的半導(dǎo)體薄膜構(gòu)成晶體管的技術(shù)受到注目。該晶體管被廣泛地應(yīng)用于集成電路(ic)、圖像顯示裝置(簡單地記載為顯示裝置)等電子設(shè)備。作為可以應(yīng)用于晶體管的半導(dǎo)體薄膜，硅類半導(dǎo)體材料被廣泛地周知。作為其他材料，氧化物半導(dǎo)體受到關(guān)注。

4、另外，已知使用氧化物半導(dǎo)體的晶體管在非導(dǎo)通狀態(tài)下泄漏電流極小。例如，專利文獻(xiàn)1已公開了應(yīng)用使用氧化物半導(dǎo)體的晶體管的泄漏電流小的特性的低功耗cpu等。另外，例如，專利文獻(xiàn)2已公開了通過應(yīng)用使用氧化物半導(dǎo)體的晶體管的泄漏電流小的特性可以長期保持存儲內(nèi)容的存儲裝置等。

5、近年來，隨著電子設(shè)備的小型化和輕量化，對集成電路的進(jìn)一步高密度化的要求提高。此外，有提高包含集成電路的半導(dǎo)體裝置的生產(chǎn)率的需求。例如，專利文獻(xiàn)3及非專利文獻(xiàn)1公開了一種技術(shù)，其中通過層疊使用氧化物半導(dǎo)體膜的第一晶體管和使用氧化物半導(dǎo)體膜的第二晶體管，重疊地設(shè)置多個存儲單元，由此提高集成電路的密度。另外，例如，如專利文獻(xiàn)4所示，還公開了一種將使用氧化物半導(dǎo)體膜的晶體管的溝道垂直配置以實(shí)現(xiàn)集成電路的高密度化的技術(shù)。

6、[先行技術(shù)文獻(xiàn)]

7、[專利文獻(xiàn)]

8、[專利文獻(xiàn)1]日本專利申請公開第2012-257187號公報

9、[專利文獻(xiàn)2]日本專利申請公開第2011-151383號公報

10、[專利文獻(xiàn)3]國際專利申請公開第2021/053473號

11、[專利文獻(xiàn)4]日本專利申請公開第2013-211537號公報

12、[非專利文獻(xiàn)]

13、[非專利文獻(xiàn)1]m.oota?et.al，“3d-stacked?caac-in-ga-zn?oxide?fets?withgate?length?of?72nm”，iedm?tech.dig.，2019，pp.50-53

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

2、本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種可微型化或可高集成化的存儲裝置。另外，本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種存儲容量大的存儲裝置。另外，本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種工作速度快的存儲裝置。另外，本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種具有良好電特性的存儲裝置。另外，本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種晶體管的電特性偏差少的存儲裝置。另外，本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種高可靠性的存儲裝置。另外，本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種通態(tài)電流大的存儲裝置。另外，本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種低功耗的存儲裝置。另外，本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種新穎的存儲裝置。另外，本發(fā)明的一個方式的目的之一是提供一種新穎的存儲裝置的制造方法。

3、注意，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。本發(fā)明的一個方式并不需要實(shí)現(xiàn)所有上述目的。可以從說明書、附圖、權(quán)利要求書的記載抽出上述以外的目的。

4、解決技術(shù)問題的手段

5、本發(fā)明的一個方式是一種存儲裝置，包括：襯底上的第一絕緣體；覆蓋第一絕緣體的至少一部分的氧化物半導(dǎo)體；氧化物半導(dǎo)體上的第一導(dǎo)電體及第二導(dǎo)電體；第一導(dǎo)電體上的第二絕緣體；第二導(dǎo)電體上的第三絕緣體；第二絕緣體上的第三導(dǎo)電體；第三絕緣體上的第四導(dǎo)電體；配置在第三導(dǎo)電體及第四導(dǎo)電體上且具有與第一導(dǎo)電體、第二絕緣體及第三導(dǎo)電體與第二導(dǎo)電體、第三絕緣體及第四導(dǎo)電體間重疊的第一開口的第四絕緣體；配置在第一開口內(nèi)且配置在第一絕緣體上及氧化物半導(dǎo)體上的第五絕緣體；配置在第一開口內(nèi)且配置在第五絕緣體上的第五導(dǎo)電體；配置在形成于第四絕緣體中的第二開口內(nèi)且接觸于第三導(dǎo)電體的頂面的第六導(dǎo)電體；以及配置在形成于第四絕緣體、第三絕緣體及第四導(dǎo)電體中的第三開口內(nèi)且接觸于第二導(dǎo)電體的頂面的第七導(dǎo)電體。當(dāng)從溝道寬度方向的截面看時，第一絕緣體的高度比第一絕緣體的寬度長，第一絕緣體的頂面在不與第一導(dǎo)電體及第二導(dǎo)電體重疊的區(qū)域中與第五絕緣體接觸。

6、在上述存儲裝置中，優(yōu)選當(dāng)從溝道寬度方向的截面看時第一絕緣體的高度是第一絕緣體的寬度的2倍以上且20倍以下。

7、在上述存儲裝置中，優(yōu)選的是，第一導(dǎo)電體用作晶體管的源電極和漏電極中的一方，第二導(dǎo)電體用作晶體管的源電極和漏電極中的另一方，第五導(dǎo)電體用作晶體管的柵電極。

8、在上述存儲裝置中，優(yōu)選的是，第一導(dǎo)電體用作電容元件的一對電極中的一方，第三導(dǎo)電體用作電容元件的一對電極中的另一方，第二絕緣體用作電容元件的介電質(zhì)。

9、在上述存儲裝置中，優(yōu)選的是，第二絕緣體具有依次層疊有氧化鋯膜、氧化鋁膜、氧化鋯膜的疊層結(jié)構(gòu)。

10、在上述存儲裝置中，優(yōu)選的是，第七導(dǎo)電體與第四絕緣體間設(shè)置有第六絕緣體，由于第六絕緣體，第七導(dǎo)電體與第四導(dǎo)電體絕緣。

11、在上述存儲裝置中，優(yōu)選的是，當(dāng)從溝道寬度方向的截面看時，在第一絕緣體的一個側(cè)面，氧化物半導(dǎo)體與第五導(dǎo)電體夾著第五絕緣體對置，在第一絕緣體的另一個側(cè)面，氧化物半導(dǎo)體與第五導(dǎo)電體夾著第五絕緣體對置。

12、在上述存儲裝置中，優(yōu)選的是，當(dāng)從溝道寬度方向的截面看時，在第一絕緣體的一個側(cè)面，第一導(dǎo)電體與第三導(dǎo)電體夾著第二絕緣體對置，在第一絕緣體的另一個側(cè)面，第一導(dǎo)電體與第三導(dǎo)電體夾著第二絕緣體對置。

13、在上述存儲裝置中，優(yōu)選氧化物半導(dǎo)體包含選自in、ga及zn中的一個或多個。

14、發(fā)明效果

15、根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種可微型化或可高集成化的存儲裝置。另外，根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種存儲容量大的存儲裝置。另外，根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種工作速度快的存儲裝置。另外，根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種高可靠性的存儲裝置。另外，根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種晶體管的電特性偏差少的存儲裝置。另外，根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種具有良好電特性的存儲裝置。另外，根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種通態(tài)電流大的存儲裝置。另外，根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種低功耗的存儲裝置。另外，根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種新穎的存儲裝置。另外，根據(jù)本發(fā)明的一個方式可以提供一種新穎的存儲裝置的制造方法。

16、注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。本發(fā)明的一個方式并不需要具有所有上述效果。可以從說明書、附圖、權(quán)利要求書的記載抽出上述以外的效果。