本申請是關(guān)于半導(dǎo)體制造技術(shù)，特別是關(guān)于高電子遷移率晶體管裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、高電子遷移率晶體管(high?electron?mobility?transistor；hemt)是一種場效晶體管，包含具有不同能隙的半導(dǎo)體材料，并且在由不同半導(dǎo)體材料所形成界面處會(huì)產(chǎn)生二維電子氣(two?dimensional?electron?gas；2deg)。由于二維電子氣具有高遷移率，高電子遷移率晶體管可以具有高崩潰電壓、高電子遷移率、低導(dǎo)通電阻與低輸入電容等優(yōu)點(diǎn)，因而適用于高功率元件上。

2、在理想狀況下，高電子遷移率晶體管裝置在開啟狀態(tài)(on?state)時(shí)，柵極電壓為0。然而，實(shí)際操作可能有電壓突波。此電壓突波會(huì)導(dǎo)致特性改變且難以監(jiān)控。因此，需要進(jìn)一步改善高電子遷移率晶體管裝置及其制造方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)本申請的一些實(shí)施例，提供一種高電子遷移率晶體管裝置。此高電子遷移率晶體管裝置包含基底、柵極結(jié)構(gòu)、源極結(jié)構(gòu)、漏極結(jié)構(gòu)以及蕭特基二極管(schottkydiode)。基底具有氮化鎵層。柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置于基底上方。源極結(jié)構(gòu)和漏極結(jié)構(gòu)設(shè)置于柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)。蕭特基二極管包含第一蕭特基接觸金屬層以及歐姆接觸金屬層。第一蕭特基接觸金屬層鄰近源極結(jié)構(gòu)并與柵極結(jié)構(gòu)電耦合。歐姆接觸金屬層鄰近第一蕭特基接觸金屬層并與源極結(jié)構(gòu)電耦合。

2、根據(jù)本申請的另一些實(shí)施例，提供一種高電子遷移率晶體管裝置的制造方法。此高電子遷移率晶體管裝置的制造方法包含在基底上方形成一柵極結(jié)構(gòu)，其中基底具有氮化鎵層；在柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成源極結(jié)構(gòu)和漏極結(jié)構(gòu)；形成第一蕭特基接觸金屬層鄰近源極結(jié)構(gòu)并與柵極結(jié)構(gòu)電耦合；以及形成歐姆接觸金屬層鄰近第一蕭特基接觸金屬層并與源極結(jié)構(gòu)電耦合。

技術(shù)特征：

1.一種高電子遷移率晶體管裝置，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管裝置，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括：

3.如權(quán)利要求2所述的高電子遷移率晶體管裝置，其特征在于，所述源極結(jié)構(gòu)包括一源極場板延伸至所述場板層上方。

4.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管裝置，其特征在于，在一上視圖中，所述柵極結(jié)構(gòu)圍繞所述源極結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管裝置，其特征在于，更包括：

6.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管裝置，其特征在于，在一上視圖中，所述源極結(jié)構(gòu)和所述漏極結(jié)構(gòu)覆蓋一隔離區(qū)的邊緣。

7.一種高電子遷移率晶體管裝置的制造方法，其特征在于，包括：

8.如權(quán)利要求7所述的高電子遷移率晶體管裝置的制造方法，其特征在于，在形成所述源極結(jié)構(gòu)和所述漏極結(jié)構(gòu)期間，形成所述歐姆接觸金屬層。

9.如權(quán)利要求7所述的高電子遷移率晶體管裝置的制造方法，其特征在于，更包括：

10.如權(quán)利要求7所述的高電子遷移率晶體管裝置的制造方法，其特征在于，更包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环N高電子遷移率晶體管裝置及其制造方法，包含基底、柵極結(jié)構(gòu)、源極結(jié)構(gòu)、漏極結(jié)構(gòu)以及蕭特基二極管。基底具有氮化鎵層。柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置于基底上方。源極結(jié)構(gòu)和漏極結(jié)構(gòu)設(shè)置于柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)。蕭特基二極管包含第一蕭特基接觸金屬層以及歐姆接觸金屬層。第一蕭特基接觸金屬層鄰近源極結(jié)構(gòu)并與柵極結(jié)構(gòu)電耦合。歐姆接觸金屬層鄰近第一蕭特基接觸金屬層并與源極結(jié)構(gòu)電耦合。

技術(shù)研發(fā)人員：魏旭志,溫文瑩
受保護(hù)的技術(shù)使用者：新唐科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/28