本文中的本公開涉及一種包括量子點發光元件的顯示裝置和用于制造顯示裝置的方法。

背景技術：

1、發光元件具有將電能轉換成光能的特性。在發光元件之中，在發光層中包含量子點的量子點發光元件具有高顏色純度和高發光效率并且可以顯示多種顏色。在發光元件中，空穴經由空穴傳輸區域移動到發光層，并且電子經由電子傳輸區域移動到發光層。正在對電子的高效注入和傳輸進行研究以改善量子點發光元件中的光效率。

技術實現思路

1、本公開提供一種表現出優異的顯示效率的顯示裝置。

2、本公開還提供一種用于制造顯示裝置的方法(或一種制造顯示裝置的方法)，該方法表現出優異的制造效率。

3、根據本公開的實施例，顯示裝置可以包括：基體層；絕緣層，設置在基體層上；像素限定膜，設置在絕緣層上并且具有像素開口；發光元件，設置在絕緣層上；以及無機層，設置在絕緣層上并且包括比像素限定膜的邊緣向內設置并且在平面圖中與像素限定膜重疊的邊緣。發光元件可以包括：第一電極，通過像素開口暴露；第二電極，設置在第一電極上；發光層，包括量子點并且設置在第一電極與第二電極之間；空穴傳輸區域，設置在第一電極與第二電極之間；以及電子傳輸區域，包括金屬氧化物，電子傳輸區域與空穴傳輸區域間隔開，發光層介于電子傳輸區域與空穴傳輸區域之間，并且電子傳輸區域設置在第一電極與第二電極之間。

4、在實施例中，無機層可以包括非晶硅、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一者。

5、在實施例中，在垂直于顯示裝置的厚度方向的方向上，無機層可以與電子傳輸區域接觸。

6、在實施例中，在平面圖中，無機層可以不與像素開口重疊。

7、在實施例中，無機層可以覆蓋第一電極的邊緣。

8、在實施例中，無機層可以與絕緣層接觸。

9、在實施例中，無機開口可以限定在無機層中，并且在平面圖中，無機開口可以與像素開口重疊。

10、在實施例中，第一電極可以與像素限定膜間隔開，無機層介于第一電極與像素限定膜之間。

11、在實施例中，像素限定膜可以與絕緣層間隔開，無機層介于像素限定膜與絕緣層之間。

12、在實施例中，絕緣層可以包括：第一區域，在平面圖中與像素限定膜重疊并且具有第一厚度；以及第二區域，在平面圖中與像素開口重疊并且具有小于第一厚度的第二厚度。

13、在實施例中，在平面圖中，無機層可以與第一區域完全重疊。

14、在實施例中，金屬氧化物可以包括sno、sno2、cugao2、ga2o3、cu2o、srcu2o2、srtio3、cualo2、ta2o5、nio、basno3、moo3和tio2中的至少一者以及由下面的式m-1表示的化合物。

15、[式m-1]

16、znqme(1-q)o

17、在實施例中，在式m-1中，q可以是0與0.5之間的有理數，并且me可以是li、be、na、mg、al、k、ca、ti、v、cr、mn、fe、co、ni、cu、ga、ge、rb、sr、zr、nb、mo、ru、pd、ag、in、sn(ii)、sn(iv)、sb或ba。

18、根據本公開的實施例，一種用于制造顯示裝置的方法可以包括：制備基體層；在基體層上形成絕緣層；在絕緣層上形成第一電極；在第一電極上形成初步無機層；通過使用第一半色調掩模在初步無機層上形成初步像素限定膜；通過去除初步無機層的第一部分和初步像素限定膜的在平面圖中與第一部分重疊的第二部分形成無機層和具有像素開口的像素限定膜；在通過像素開口暴露的第一電極上形成功能層；以及在功能層上形成第二電極。功能層的形成可以包括：通過提供包括量子點的第一組合物來形成發光層；形成空穴傳輸區域；以及通過提供包括金屬氧化物的第二組合物來形成電子傳輸區域。空穴傳輸區域的形成和電子傳輸區域的形成中的一者可以在發光層的形成之前執行，并且空穴傳輸區域的形成和電子傳輸區域的形成中的另一者可以在發光層的形成之后執行。

19、在實施例中，在無機層的形成和像素限定膜的形成中，無機層的邊緣可以比像素限定膜的邊緣向內設置。

20、在實施例中，可以通過灰化工藝去除初步無機層的第一部分和初步像素限定膜的第二部分。

21、在實施例中，通過使用第二半色調掩模，絕緣層可以被形成為包括具有第一厚度的第一區域和具有小于第一厚度的第二厚度的第二區域。

22、在實施例中，在平面圖中，初步無機層的第一部分和初步像素限定膜的第二部分中的每一者可以與絕緣層的第二區域重疊。

23、在實施例中，無機層可以包括非晶硅、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一者。

24、在實施例中，第一組合物和第二組合物中的每一者可以通過噴墨印刷方法或滴涂(dispensing)方法提供。

25、在實施例中，制造顯示裝置的方法還可以包括在發光層、空穴傳輸區域和電子傳輸區域的形成之前，通過向像素限定膜提供含氟氣體執行等離子體處理。含氟氣體可以包括cf4、c3f6、c4f8、sf6、chf3、c5f8、ch2f2、c2hf5、ch3f和nf3中的至少一者。

技術特征：

1.一種顯示裝置，其中，所述顯示裝置包括：

2.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述無機層包括非晶硅、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一者。

3.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，在垂直于所述顯示裝置的厚度方向的方向上，所述無機層與所述電子傳輸區域接觸。

4.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，在平面圖中，所述無機層不與所述像素開口重疊。

5.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述無機層覆蓋所述第一電極的邊緣。

6.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，

7.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述絕緣層包括：

8.一種用于制造顯示裝置的方法，其中，所述方法包括：

9.根據權利要求8所述的方法，其中，在所述無機層的所述形成和所述像素限定膜的所述形成中，所述無機層的邊緣比所述像素限定膜的邊緣向內設置。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，通過使用第二半色調掩模，所述絕緣層被形成為包括具有第一厚度的第一區域和具有小于所述第一厚度的第二厚度的第二區域。

技術總結
本公開涉及一種顯示裝置和用于制造顯示裝置的方法。顯示裝置包括：基體層；絕緣層，設置在基體層上；像素限定膜，設置在絕緣層上并且具有像素開口；發光元件，設置在絕緣層上；以及無機層，設置在絕緣層上并且包括比像素限定膜的邊緣向內設置的邊緣。發光元件包括：第一電極；第二電極；發光層，包括量子點并且設置在第一電極與第二電極之間；空穴傳輸區域；以及電子傳輸區域，包括金屬氧化物，與空穴傳輸區域間隔開，并且設置在第一電極與第二電極之間。

技術研發人員：南毓鉉,金律局,金炫植,林熙運
受保護的技術使用者：三星顯示有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/24