本公開涉及半導體裝置。

背景技術：

1、絕緣柵雙極晶體管(igbt：insulated?gate?bipolar?transistor)及反向導通絕緣柵雙極晶體管(rc－igbt：reverse?conducting-insulated?gate?bipolar?transistor)等半導體元件在通電時、通電開始時以及通電結束時發熱。由于該發熱，搭載有半導體元件的半導體裝置的壽命有時變短。由此，半導體裝置的可靠性降低。因此，要求一種對由于半導體元件的發熱而產生的熱進行散熱的技術。

2、作為半導體裝置的一個例子，日本特開2022－158037號公報中記載了具有配置于銅電路圖案上的rc－igbt芯片的半導體裝置。該半導體裝置在rc－igbt的表面電極(發射極)接合有引線。引線用作外部布線。

技術實現思路

1、在rc－igbt發生了短路的情況下，rc－igbt的igbt區域發熱。特別是在igbt區域的距表面電極近的部分產生熱。根據上述專利文獻1所記載的半導體裝置，rc－igbt的表面使用引線來與外部電連接。因此，在rc－igbt芯片的距表面電極近的部分產生的熱無法充分散熱。本公開是鑒于上述情況而完成的，其目的是提供一種能夠提升距表面電極近的部分的散熱性的半導體裝置。

2、本公開所涉及的半導體裝置具備絕緣柵雙極晶體管區域、多個二極管區域、表面電極、接合部件以及布線部件。多個二極管區域與絕緣柵雙極晶體管區域接觸。表面電極與絕緣柵雙極晶體管區域及多個二極管區域接觸。接合部件設置于表面電極之上。布線部件通過接合部件而與表面電極接合。絕緣柵雙極晶體管區域和多個二極管區域構成反向導通絕緣柵雙極晶體管。布線部件具有與接合部件接觸的被接合面。在沿著與表面電極垂直的方向觀察的俯視觀察時，被接合面覆蓋多個二極管區域每一個的至少一部分。多個二極管區域具有第一二極管區域、第二二極管區域以及第三二極管區域。在俯視觀察時，第二二極管區域相對于第一二極管區域位于第一方向，且從第一二極管區域分離。在俯視觀察時，第三二極管區域相對于第一二極管區域位于與第一方向垂直的第二方向，且從第一二極管區域及第二二極管區域的每一個分離。

3、本公開的上述及其他目的、特征、方面以及優點根據參照附圖理解的與本公開有關的以下詳細說明而變得清楚。

技術特征：

1.一種半導體裝置，其特征在于，

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

4.根據權利要求2或3所述的半導體裝置，其特征在于，

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，

6.根據權利要求2或3所述的半導體裝置，其特征在于，

7.根據權利要求2或3所述的半導體裝置，其特征在于，

8.根據權利要求2或3所述的半導體裝置，其特征在于，

9.根據權利要求2或3所述的半導體裝置，其特征在于，

10.根據權利要求2或3所述的半導體裝置，其特征在于，

11.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

12.根據權利要求1～3中的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

13.根據權利要求1～3中的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

14.根據權利要求1～3中的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

15.根據權利要求1～3中的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

16.根據權利要求1～3中的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

17.根據權利要求1～3中的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

技術總結
布線部件(50)具有與接合部件(60)接觸的被接合面(55)。在沿著與表面電極(10)垂直的方向觀察的俯視觀察時，被接合面(55)覆蓋多個二極管區域(2)每一個的至少一部分。多個二極管區域(2)具有第一二極管區域(21)、第二二極管區域(22)以及第三二極管區域(23)。在俯視觀察時，第二二極管區域(22)相對于第一二極管區域(21)位于第一方向(101)，且從第一二極管區域(21)分離。在俯視觀察時，第三二極管區域(23)相對于第一二極管區域(21)位于與第一方向(101)垂直的第二方向(102)，且從第一二極管區域(21)及第二二極管區域(22)的每一個分離。

技術研發人員：古川憐央奈,曾根田真也
受保護的技術使用者：三菱電機株式會社
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28