本發明涉及半導體裝置。

背景技術：

1、若使mosfet進行高電壓動作，則由于碰撞離子化現象，在柵極電極的正下方的體區域產生電子空穴對。為了將所產生的空穴從體區域拔出，設置與體區域連接的體接觸區域(參照專利文獻1)。在體區域中產生的空穴在體區域移動而到達體接觸區域，從體接觸區域拔出空穴。

2、專利文獻1：美國專利申請公開第2019/0348514號說明書

3、在專利文獻1所記載的mosfet中，用于從體區域拔出在體區域中產生的空穴的時間變長，其結果是，耐壓有可能降低。

技術實現思路

1、本發明的目的在于，提供半導體裝置，能夠從mosfet的體區域高效地拔出空穴，抑制耐壓的降低。

2、根據本發明的一個觀點，提供一種半導體裝置，具備：由半導體構成的器件層，配置在絕緣性表面上；以及場效應晶體管，包含形成于上述器件層的第一導電型的源極區域、上述第一導電型的漏極區域、與上述第一導電型相反的第二導電型的體區域、以及配置在上述器件層上的柵極電極，上述體區域配置在上述柵極電極的正下方，在俯視上述絕緣性表面時，上述柵極電極以及上述體區域具有在第一方向上較長的形狀，上述源極區域配置在上述柵極電極的一側，上述漏極區域配置在上述柵極電極的另一側，上述場效應晶體管還包含從上述體區域的上述源極區域側的邊緣的多個體接觸連接部位朝向上述源極區域側延伸的上述第二導電型的體接觸區域，上述源極區域在上述多個體接觸連接部位以外的多個源極體連接部位與上述體區域連接，上述多個源極體連接部位各自的上述第一方向的長度的最大值為上述柵極電極的與上述第一方向正交的第二方向的尺寸的8倍以下。

3、若多個源極體連接部位各自的第一方向的長度的最大值為柵極電極的第二方向的尺寸的8倍以下，則能夠將耐壓維持得高。

技術特征：

1.一種半導體裝置，其中，具備：

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

4.根據權利要求1至3中任意一項所述的半導體裝置，其中，

5.根據權利要求1至4中任意一項所述的半導體裝置，其中，

6.根據權利要求1至5中任意一項所述的半導體裝置，其中，

技術總結
在絕緣性表面上配置有由半導體構成的器件層。場效應晶體管包含形成于器件層的第一導電型的源極區域、第一導電型的漏極區域、與第一導電型相反的第二導電型的體區域、配置在器件層上的柵極電極。體區域配置在柵極電極的正下方。在俯視絕緣性表面時柵極電極以及體區域具有在第一方向上較長的形狀，源極區域配置在柵極電極的一側，漏極區域配置在另一側。場效應晶體管還包含從體區域的源極區域側的邊緣的多個體接觸連接部位朝向源極區域側延伸的第二導電型的體接觸區域。源極區域在多個體接觸連接部位以外的多個源極體連接部位與體區域連接。多個源極體連接部位各自的第一方向的長度的最大值為柵極電極的與第一方向正交的第二方向的尺寸的8倍以下。

技術研發人員：富士原明
受保護的技術使用者：株式會社村田制作所
技術研發日：
技術公布日：2025/4/24