本技術涉及顯示，特別是涉及一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術：

1、oled（organic?light?emitting?diode，有機發光二極管）顯示面板是當今顯示面板研究領域的熱點之一，與液晶顯示面板相比，oled顯示面板具有低能耗、低成本、自發光、寬視角及響應速度快等優點。oled顯示面板的子像素通常采用fmm（fine?metal?mask，精細金屬掩膜）蒸鍍制作而成。

2、目前，一種取消fmm的蒸鍍工藝成為業內關注的焦點。然而，目前這種制備工藝制成的oled顯示面板成品良率較低。

技術實現思路

1、基于此，有必要針對上述技術問題，提供一種能夠提升顯示面板成品良率的顯示面板及其制備方法、顯示裝置。

2、第一方面，本技術提供了一種顯示面板，包括：

3、基板，

4、信號線，設置于所述基板的一側；

5、第一絕緣層，設置于所述基板的一側，且部分所述第一絕緣層位于所述信號線遠離所述基板的一側，所述第一絕緣層上開設有過孔，所述信號線的部分自所述過孔暴露；

6、第一電極，設置于所述第一絕緣層遠離所述基板的一側，所述第一電極在所述第一絕緣層上的正投影覆蓋所述過孔，其中，所述第一電極包括與信號線部分連接的第一電極部，所述第一電極部在所述第一絕緣層上的正投影覆蓋所述過孔的底壁；

7、第二絕緣層，設置于所述第一電極遠離所述基板的一側，所述第二絕緣層在所述第一絕緣層上的正投影覆蓋所述過孔；

8、其中，所述第二絕緣層包括與第一平坦部，所述第一平坦部在所述基板上的正投影與所述過孔在所述基板上的正投影交疊，所述第一平坦部沿所述基板厚度方向的尺寸為第一尺寸h1，所述第一絕緣層靠近所述基板的一側表面與所述第一絕緣層遠離所述基板的一側表面的距離為第一距離l1，所述第一尺寸h1與所述第一距離l1之比不小于0.8。

9、本實施例中，第一尺寸h1與第一距離l1之比不小于0.8，如此，減小了第二絕緣層在過孔處與非過孔處之間的段差，使得在第二絕緣層上能夠進行厚度均勻的成膜，例如進行隔離結構的成膜，從而可以避免隔離結構在像素開孔階段容易被破壞導致的像素暗點問題，進而可以提高顯示面板的成品良率。

10、在其中一個實施例中，所述第一尺寸h1與所述第一距離l1之比大于等于0.8，且小于等于1.2；

11、可選地，所述第一電極還包括第二電極部，所述第二電極部在所述第一絕緣層上的正投影與所述過孔不交疊；所述第二絕緣層還包括設置于所述第一電極的第二電極部背離所述基板一側的第二平坦部；

12、所述第二平坦部沿所述基板厚度方向的尺寸為第二尺寸h2，所述第二尺寸h2小于所述第一尺寸h1；

13、可選地，所述第二尺寸h2大于等于3000a，且小于等于5000a；

14、可選地，所述第一平坦部遠離所述基板的一側表面與所述基板靠近所述信號線的一側表面的距離為第二距離l2，所述第二平坦部遠離所述基板的一側表面與所述基板靠近所述信號線的一側表面的距離為第三距離l3，所述第二距離l2與所述第三距離l3之比不小于0.8；

15、可選地，所述第二距離l2與所述第三距離l3之比大于等于0.8，且小于等于1.2。

16、在其中一個實施例中，所述第二絕緣層界定出像素開口，所述第一電極的部分自所述像素開口暴露；

17、可選的，所述顯示面板還包括隔離結構，所述隔離結構設置于所述第二絕緣層遠離所述基板的一側，所述隔離結構在所述第一絕緣層上的正投影覆蓋所述過孔，且所述隔離結構界定出隔離開口，所述隔離開口與所述像素開口連通；

18、可選地，所述隔離結構遠離所述基板一側的表面無段差；

19、可選地，所述隔離開口在所述基板上的正投影外輪廓，位于所述像素開口在所述基板上的正投影外輪廓的外圍；

20、可選地，所述隔離結構在所述基板上的正投影為網格狀；

21、可選地，所述隔離結構包括沿遠離所述基板方向層疊設置的第一隔離部和第二隔離部，所述第二隔離部在所述基板上的正投影覆蓋所述第一隔離部在所述基板上的正投影；

22、可選地，所述第一隔離部包括導電材料；

23、可選地，所述第一隔離部包括至少一層金屬層；

24、可選地，所述第一隔離部包括沿遠離所述基板方向層疊設置的第一金屬層和第二金屬層，所述第一金屬層在所述基板上的正投影外輪廓，位于所述第二金屬層在所述基板上的正投影外輪廓的外圍；

25、可選地，所述第二隔離部的材料包括鈦或者鉬；所述第一金屬層的材料包括鉬或者鈦；所述第二金屬層的材料包括鋁或者銅或者銀。

26、在其中一個實施例中，所述第二絕緣層還包括第三平坦部，所述第三平坦部在所述基板上的正投影與所述第一電極在所述基板上的正投影不交疊；

27、所述第三平坦部沿所述基板厚度方向的尺寸為第三尺寸h3，所述第三尺寸h3大于所述第二尺寸h2；

28、可選地，所述第三平坦部遠離所述基板的一側表面與所述基板靠近所述信號線的一側表面的距離為第四距離l4，所述第四距離l4與所述第三距離l3相等；

29、可選地，所述第二絕緣層遠離所述基板一側的表面無段差。

30、在其中一個實施例中，所述顯示面板還包括發光功能層和第二電極；

31、所述發光功能層設置于所述第一電極遠離所述基板的一側，且設置于所述像素開口處；

32、所述第二電極設置于所述發光功能層遠離所述基板的一側；

33、可選地，所述第二電極與所述第一隔離部電連接。

34、在其中一個實施例中，所述顯示面板還包括封裝層，所述封裝層設置于所述第二電極遠離所述基板的一側。

35、在其中一個實施例中，所述過孔的側壁為平面或曲面。

36、第二方面，本技術提供了一種顯示面板，包括：

37、基板，

38、信號線，設置于所述基板的一側；

39、第一絕緣層，設置于所述基板的一側，且部分所述第一絕緣層位于所述信號線遠離所述基板的一側，所述第一絕緣層上開設有過孔，所述信號線的部分自所述過孔暴露；

40、第一電極，設置于所述第一絕緣層遠離所述信號線的一側，所述第一電極在所述第一絕緣層上的正投影覆蓋所述過孔，其中，所述第一電極包括與所述信號線部分連接的第一電極部，所述第一電極部在所述第一絕緣層上的正投影覆蓋所述過孔的底壁；

41、像素定義層，設置于所述第一電極遠離所述基板的一側，所述像素定義層在所述第一絕緣層上的正投影覆蓋所述過孔，且所述像素定義層界定出像素開口，所述第一電極的部分自所述像素開口暴露；

42、隔離結構，設置于所述像素定義層遠離所述基板的一側，所述隔離結構在所述第一絕緣層上的正投影覆蓋所述過孔，且所述隔離結構界定出隔離開口，所述隔離開口與所述像素開口連通；

43、發光功能層，設置于所述第一電極遠離所述基板的一側，且設置于所述像素開口處；

44、其中，所述像素定義層包括與所述第一電極的第一電極部接觸的第一平坦部和第二平坦部，所述第二平坦部在基板上正投影與所述第一電極部在所述基板上的正投影不交疊，所述第一平坦部沿所述基板厚度方向的尺寸大于所述第二平坦部沿所述基板厚度方向的尺寸。

45、本實施例中，第一平坦部沿所述基板厚度方向的尺寸大于所述第二平坦部沿所述基板厚度方向的尺寸，如此，減小了像素定義層在過孔處與非過孔處之間的段差，使得隔離結構的成膜區域比較平緩，這樣隔離結構成膜厚度均勻，從而可以避免隔離結構在像素開孔階段容易被破壞導致的像素暗點問題，進而可以提高顯示面板的成品良率。

46、在其中一個實施例中，所述第一平坦部沿所述基板厚度方向的尺寸為第一尺寸h1，所述第一絕緣層靠近所述基板的一側表面與所述第一絕緣層遠離所述基板的一側表面的距離為第一距離l1，所述第一尺寸h1與所述第一距離l1之比不小于0.8；

47、可選地，所述第一尺寸h1與所述第一距離l1之比大于等于0.8，且小于等于1.2；

48、可選地，所述第一電極還包括第二電極部，所述第二電極部在所述第一絕緣層上的正投影與所述過孔不交疊；所述第二平坦部與所述第一電極的第二電極部接觸；

49、所述第二平坦部沿所述基板厚度方向的尺寸為第二尺寸h2，所述第二尺寸h2小于所述第一尺寸h1；

50、可選地，所述第二尺寸h2大于等于3000a，且小于等于5000a；

51、可選地，所述第一平坦部遠離所述基板的一側表面與所述基板靠近所述信號線的一側表面的距離為第二距離l2，所述第二平坦部遠離所述基板的一側表面與所述基板靠近所述信號線的一側表面的距離為第三距離l3，所述第二距離l2與所述第三距離l3之比不小于0.8；

52、可選地，所述第二距離l2與所述第三距離l3之比大于等于0.8，且小于等于1.2。

53、在其中一個實施例中，所述隔離結構遠離所述基板一側的表面無段差；

54、可選地，所述隔離開口在所述基板上的正投影外輪廓，位于所述像素開口在所述基板上的正投影外輪廓的外圍；

55、可選地，所述隔離結構在所述基板上的正投影為網格狀；

56、可選地，所述隔離結構包括沿遠離所述基板方向層疊設置的第一隔離部和第二隔離部，所述第二隔離部在所述基板上的正投影覆蓋所述第一隔離部在所述基板上的正投影；

57、可選地，所述第一隔離部包括導電材料；

58、可選地，所述第一隔離部包括至少一層金屬層；

59、可選地，所述第一隔離部包括沿遠離所述基板方向層疊設置的第一金屬層和第二金屬層，所述第一金屬層在所述基板上的正投影外輪廓，位于所述第二金屬層在所述基板上的正投影外輪廓的外圍；

60、可選地，所述第二隔離部的材料包括鈦或者鉬；所述第一金屬層的材料包括鉬或者鈦；所述第二金屬層的材料包括鋁或者銅或者銀。

61、在其中一個實施例中，所述像素定義層還包括第三平坦部，所述第三平坦部在所述基板上的正投影與所述第一電極在所述基板上的正投影不交疊；

62、所述第三平坦部沿所述基板厚度方向的尺寸為第三尺寸h3，所述第三尺寸h3大于所述第二尺寸h2；

63、可選地，所述第三平坦部遠離所述基板的一側表面與所述基板靠近所述信號線的一側表面的距離為第四距離l4，所述第四距離l4與所述第三距離l3相等；

64、可選地，所述第二絕緣層遠離所述基板一側的表面無段差。

65、在其中一個實施例中，所述顯示面板還包括發光功能層和第二電極，所述發光功能層設置于所述第一電極遠離所述基板的一側，且設置于所述像素開口處；所述第二電極設置于所述發光功能層遠離所述基板的一側；

66、可選地，所述第二電極與所述第一隔離部電連接。

67、在其中一個實施例中，所述顯示面板還包括封裝層，所述封裝層設置于所述第二電極遠離所述基板的一側。

68、第三方面，本技術提供了一種顯示面板，包括：

69、基板，

70、信號線，設置于所述基板的一側；

71、第一絕緣層，設置于所述基板的一側，且部分所述第一絕緣層位于所述信號線遠離所述基板的一側，所述第一絕緣層上開設有過孔，所述信號線的部分自所述過孔暴露；

72、第一電極，設置于所述第一絕緣層遠離所述基板的一側，所述第一電極在所述第一絕緣層上的正投影覆蓋所述過孔，其中，所述第一電極包括與所述信號線部分連接的第一電極部和第二電極部，所述第一電極部在所述第一絕緣層上的正投影覆蓋所述過孔的底壁，所述第二電極部在所述第一絕緣層上的正投影與所述過孔不交疊；

73、第二絕緣層，設置于所述第一電極遠離所述基板的一側，所述第二絕緣層在所述第一絕緣層上的正投影覆蓋所述過孔；

74、其中，所述第二絕緣層包括分別與所述第一電極的第一電極部和第二電極部接觸的第一平坦部和第二平坦部；所述第一平坦部遠離所述基板的一側表面與所述基板靠近所述信號線的一側表面的距離為第二距離l2，所述第二平坦部遠離所述基板的一側表面與所述基板靠近所述信號線的一側表面的距離為第三距離l3，所述第二距離l2與所述第三距離l3之比不小于0.8。

75、本實施例中，第二距離l2與第三距離l3之比不小于0.8，如此，減小了第二絕緣層在過孔處與非過孔處之間的段差，使得在第二絕緣層上能夠進行厚度均勻的成膜，例如進行隔離結構的成膜，從而可以避免隔離結構在像素開孔階段容易被破壞導致的像素暗點問題，進而可以提高顯示面板的成品良率。

76、在其中一個實施例中，所述第二距離l2與所述第三距離l3之比大于等于0.8，且小于等于1.2；

77、可選地，所述第一平坦部沿所述基板厚度方向的尺寸為第一尺寸h1，所述第一絕緣層靠近所述基板的一側表面與所述第一絕緣層遠離所述基板的一側表面的距離為第一距離l1，所述第一尺寸h1與所述第一距離l1之比不小于0.8；

78、可選地，所述第一尺寸h1與所述第一距離l1之比大于等于0.8，且小于等于1.2；

79、可選地，所述第二平坦部沿所述基板厚度方向的尺寸為第二尺寸h2，所述第二尺寸h2小于所述第一尺寸h1；

80、可選地，所述第二尺寸h2大于等于3000a，且小于等于5000a。

81、第四方面，本技術提供了一種顯示面板的制備方法，所述方法包括：

82、提供基板，

83、于所述基板的一側形成信號線，

84、于所述基板的一側形成第一絕緣層，且部分所述第一絕緣層位于所述信號線遠離所述基板的一側，所述第一絕緣層上開設有過孔，所述信號線的部分自所述過孔暴露；

85、于所述第一絕緣層遠離所述基板的一側形成第一電極，其中，所述第一電極在所述第一絕緣層上的正投影覆蓋所述過孔，所述第一電極包括與所述信號線部分連接的第一電極部，所述第一電極部在所述第一絕緣層上的正投影覆蓋所述過孔的底壁；

86、于所述第一電極遠離所述基板的一側形成第二絕緣層，其中，所述第二絕緣層在所述第一絕緣層上的正投影覆蓋所述過孔；

87、其中，所述第二絕緣層包括與第一平坦部，所述第一平坦部在所述基板上的正投影與所述過孔在所述基板上的正投影交疊，所述第一平坦部沿所述基板厚度方向的尺寸為第一尺寸h1，所述第一絕緣層靠近所述基板的一側表面與所述第一絕緣層遠離所述基板的一側表面的距離為第一距離l1，所述第一尺寸h1與所述第一距離l1之比不小于0.8。

88、在其中一個實施例中，所述第一尺寸h1與所述第一距離l1之比大于等于0.8，且小于等于1.2；

89、可選地，所述第一電極還包括第二電極部，所述第二電極部在所述第一絕緣層上的正投影與所述過孔不交疊；所述第二絕緣層還包括設置于所述第一電極的第二電極部背離所述基板一側的第二平坦部；

90、所述第二平坦部沿所述基板厚度方向的尺寸為第二尺寸h2，所述第二尺寸h2小于所述第一尺寸h1；

91、可選地，所述第二尺寸h2大于等于3000a，且小于等于5000a；

92、可選地，所述第一平坦部遠離所述基板的一側表面與所述基板靠近所述信號線的一側表面的距離為第二距離l2，所述第二平坦部遠離所述基板的一側表面與所述基板靠近所述信號線的一側表面的距離為第三距離l3，所述第二距離l2與所述第三距離l3之比不小于0.8；

93、可選地，所述第二距離l2與所述第三距離l3之比大于等于0.8，且小于等于1.2。

94、在其中一個實施例中，所述于所述第一電極遠離所述基板的一側形成第二絕緣層，包括：

95、在所述第一電極遠離所述基板的一側形成絕緣材料層；并在所述絕緣材料層上形成光刻膠層；

96、采用半色調掩膜板對所述光刻膠層進行曝光處理，其中，所述半色調掩膜板包括第一區、第二區和第三區；所述第一區的透過率小于所述第二區的透過率；所述第二區的透過率小于所述第三區的透過率；

97、對所述光刻膠層進行顯影處理，使得所述光刻膠層形成第一局部去除區、第二局部去除區和完全去除區，其中，所述第一局部去除區對應所述第一區，所述第二局部去除區對應所述第二區，所述完全去除區對應所述第三區；

98、去除所述完全去除區的光刻膠、去除部分所述第一局部去除區的光刻膠以及去除部分所述第二局部去除區的光刻膠，其中，所述第一局部去除區剩余的光刻膠的厚度大于所述第二局部去除區剩余的光刻膠的厚度；

99、對所述完全去除區暴露的絕緣材料層進行刻蝕，以形成像素開口；

100、去除部分所述第一局部去除區剩余的光刻膠，保留所述第一局部去除區被所述光刻膠覆蓋的絕緣材料層，以形成所述第一平坦部；

101、刻蝕去除所述第二局部去除區的光刻膠，并繼續對所述第二局部去除區的絕緣材料層進行刻蝕，以形成所述第二平坦部。

102、在其中一個實施例中，所述于所述第一電極遠離所述基板的一側形成第二絕緣層，包括：

103、在所述第一電極遠離所述基板的一側形成絕緣材料層，且所述第一電極的第一電極部上的絕緣材料層沿所述基板厚度方向的尺寸與所述第一距離l1之比不小于0.8；

104、在所述絕緣材料層上形成光刻膠層；

105、采用第一掩膜板對所述光刻膠層進行曝光處理，其中，所述第一掩膜板包括遮擋區和透光區；所述遮擋區對應所述第一電極部，所述透光區對應所述第二電極部；

106、對所述光刻膠層進行顯影處理，使得所述光刻膠層形成保留區和去除區，所述保留區對應所述第一電極部，所述去除區對應所述第二電極部；

107、去除所述去除區的光刻膠，對所述去除區的絕緣材料層進行刻蝕，以形成所述第二平坦部和像素開口；

108、保留所述保留區的光刻膠，以形成所述第一平坦部。

109、在其中一個實施例中，所述于所述第一電極遠離所述基板的一側形成第二絕緣層，包括：

110、在所述第一電極的第一電極部遠離所述基板的一側形成第一絕緣材料層，且所述第一電極部上的第一絕緣材料層沿所述基板厚度方向的尺寸與所述第一距離l1之比不小于0.8，以形成所述第一平坦部；

111、在所述第一電極的第二電極部遠離所述基板的一側形成第二絕緣材料層，且所述第二電極部上的第二絕緣材料層沿所述基板厚度方向的尺寸，小于所述第一電極部上的第一絕緣材料層沿所述基板厚度方向的尺寸，以形成所述第二平坦部。

112、第五方面，本技術提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述第一方面、第二方面或第三方面中任一項所述的顯示面板。