1.一種功率器件的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述終端結(jié)構(gòu)包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述n型襯底為n-型襯底，所述終端結(jié)構(gòu)還包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述各個場限環(huán)的寬度區(qū)間為5-12um。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述覆蓋所述多個場限環(huán)的邊沿的覆蓋范圍為0.5～1.5um。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溝槽的深度范圍為4-6um，所述溝槽的寬度范圍為0.6-2um。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率器件的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬層的厚度范圍為3-5um。
7.一種功率器件的終端結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，用于制造如權(quán)利要求1至6任一項所述的功率器件的終端結(jié)構(gòu)，所述方法包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率器件的終端結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述n型襯底為n-型襯底，所述方法還包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率器件的終端結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述多個場限環(huán)相對所述結(jié)漸變摻雜區(qū)的距離漸變遞增；所述結(jié)終端擴(kuò)展區(qū)、所述結(jié)漸變摻雜區(qū)和所述多個場限環(huán)內(nèi)摻雜有p型離子；所述各個場限環(huán)的寬度區(qū)間為5-12um。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率器件的終端結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述覆蓋所述多個場限環(huán)的邊沿的覆蓋范圍為0.5～1.5um。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率器件的終端結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述溝槽的深度范圍為4-6um，所述溝槽的寬度范圍為0.6-2um。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率器件的終端結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述金屬層的厚度范圍為3-5um。
13.一種芯片，包括如上述權(quán)利要求1-6任一項所述的功率器件的終端結(jié)構(gòu)。