本技術(shù)屬于電子電路，具體涉及一種浮地應(yīng)用mos管驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)：

1、mos管全稱為金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(metal-oxide-semiconductorfield-effect?transistor，mosfet)，是一種常用的電子元件，它主要由柵極、源極和漏極三個(gè)電極組成。mos管的工作原理是通過柵極電壓來控制源極和漏極之間的電流流動(dòng)，這種控制方式屬于電壓控制型器件。在如今各種各樣的電路應(yīng)用中，mos管經(jīng)常被用作開關(guān)來控制信號(hào)、負(fù)載。在一些特定的電路應(yīng)用中，mos管的源極并非固定電位，而是浮動(dòng)電位，無法直接用固定的電壓進(jìn)行開關(guān)控制，往往需要設(shè)計(jì)額外的隔離電源配合隔離驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，這就導(dǎo)致了電路成本升高

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的是提供一種浮地應(yīng)用mos管驅(qū)動(dòng)電路，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：

3、本實(shí)用新型提供一種浮地應(yīng)用mos管驅(qū)動(dòng)電路，包括開關(guān)控制單元、穩(wěn)壓?jiǎn)卧完P(guān)斷加速單元，所述開關(guān)控制單元分別連接外部電源和穩(wěn)壓?jiǎn)卧糜诮尤雖os管開關(guān)電平信號(hào)，并根據(jù)mos管開關(guān)電平信號(hào)控制外部電源與穩(wěn)壓?jiǎn)卧g電源傳輸?shù)膶?dǎo)通與關(guān)斷，所述穩(wěn)壓?jiǎn)卧c關(guān)斷加速單元連接，用于將輸出至關(guān)斷加速單元的電壓鉗位在設(shè)定電壓范圍內(nèi)，所述關(guān)斷加速單元分別連接mos管的柵極和源極，用于在開關(guān)控制單元導(dǎo)通時(shí)，將mos管的柵極電壓變?yōu)楦唠娖剑筸os管導(dǎo)通，在開關(guān)控制單元關(guān)斷時(shí)，將mos管的柵極電壓加速拉低，使mos管關(guān)斷。

4、其應(yīng)用時(shí)，可向開關(guān)控制單元施加相應(yīng)的mos管開關(guān)電平信號(hào)，當(dāng)mos管開關(guān)電平信號(hào)為高電平信號(hào)時(shí)，開關(guān)控制單元導(dǎo)通，通過穩(wěn)壓?jiǎn)卧獙⑤敵鲋陵P(guān)斷加速單元的電壓鉗位在設(shè)定電壓范圍內(nèi)，防止過高的電壓將mos管的柵極、源極擊穿，此時(shí)，關(guān)斷加速單元將mos管的柵極電壓變?yōu)楦唠娖剑筸os管導(dǎo)通工作，當(dāng)mos管開關(guān)電平信號(hào)為低電平信號(hào)時(shí)，開關(guān)控制單元關(guān)斷，此時(shí)，關(guān)斷加速單元將mos管的柵極電壓加速拉低，使mos管快速關(guān)斷。

5、在一個(gè)可能的設(shè)計(jì)中，所述開關(guān)控制單元包括光電耦合器u1，所述光電耦合器u1的電源端連接外部電源，所述光電耦合器u1的輸出端連接穩(wěn)壓?jiǎn)卧龉怆婑詈掀鱱1的控制端用于接入mos管開關(guān)電平信號(hào)，所述光電耦合器u1的接地端接地。

6、在一個(gè)可能的設(shè)計(jì)中，所述光電耦合器u1的控制端接入的mos管開關(guān)電平信號(hào)為高電平時(shí)，光電耦合器u1導(dǎo)通，所述光電耦合器u1的控制端接入的mos管開關(guān)電平信號(hào)為低電平時(shí)，光電耦合器u1關(guān)斷，且所述光電耦合器u1的控制端連接有保護(hù)電阻r3。

7、在一個(gè)可能的設(shè)計(jì)中，所述關(guān)斷加速單元包括二極管d2、電阻r4、三極管q1和三極管q2，所述二極管d2的正極端vd連接穩(wěn)壓?jiǎn)卧妮敵龆耍?fù)極端vg連接mos管的柵極，所述電阻r4的一端連接二極管d2的正極端vd，另一端連接mos管的源極，所述三極管q1的基極連接二極管d2的正極端vd，發(fā)射極連接二極管d2的負(fù)極端vg，集電極連接所述三極管q2的基極，所述三極管q2的集電極連接二極管d2的正極端vd，發(fā)射極連接mos管的源極。

8、在一個(gè)可能的設(shè)計(jì)中，所述三極管q1采用pnp三極管，所述三極管q2采用npn三極管。

9、在一個(gè)可能的設(shè)計(jì)中，所述二極管d2的負(fù)極端vg與mos管的柵極之間連接有電阻r2。

10、在一個(gè)可能的設(shè)計(jì)中，所述穩(wěn)壓?jiǎn)卧娮鑢1和二極管d3，所述電阻r1的一端連接開關(guān)控制單元，另一端連接二極管d2的正極端vd，所述二極管d3與電阻r4并聯(lián)，且二極管d3的負(fù)極連接二極管d2的正極端vd。

11、在一個(gè)可能的設(shè)計(jì)中，所述電阻r1與開關(guān)控制單元之間連接有二極管d1，且二極管d1的正極連接開關(guān)控制單元，負(fù)極連接電阻r1。

12、有益效果：本實(shí)用新型可實(shí)現(xiàn)對(duì)浮動(dòng)電位mos管的開關(guān)驅(qū)動(dòng)控制，且電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可以有效降低電路成本。

技術(shù)特征：

1.一種浮地應(yīng)用mos管驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括開關(guān)控制單元、穩(wěn)壓?jiǎn)卧完P(guān)斷加速單元，所述開關(guān)控制單元分別連接外部電源和穩(wěn)壓?jiǎn)卧糜诮尤雖os管開關(guān)電平信號(hào)，并根據(jù)mos管開關(guān)電平信號(hào)控制外部電源與穩(wěn)壓?jiǎn)卧g電源傳輸?shù)膶?dǎo)通與關(guān)斷，所述穩(wěn)壓?jiǎn)卧c關(guān)斷加速單元連接，用于將輸出至關(guān)斷加速單元的電壓鉗位在設(shè)定電壓范圍內(nèi)，所述關(guān)斷加速單元分別連接mos管的柵極和源極，用于在開關(guān)控制單元導(dǎo)通時(shí)，將mos管的柵極電壓變?yōu)楦唠娖剑筸os管導(dǎo)通，在開關(guān)控制單元關(guān)斷時(shí)，將mos管的柵極電壓加速拉低，使mos管關(guān)斷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種浮地應(yīng)用mos管驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述開關(guān)控制單元包括光電耦合器u1，所述光電耦合器u1的電源端連接外部電源，所述光電耦合器u1的輸出端連接穩(wěn)壓?jiǎn)卧龉怆婑詈掀鱱1的控制端用于接入mos管開關(guān)電平信號(hào)，所述光電耦合器u1的接地端接地。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種浮地應(yīng)用mos管驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述光電耦合器u1的控制端接入的mos管開關(guān)電平信號(hào)為高電平時(shí)，光電耦合器u1導(dǎo)通，所述光電耦合器u1的控制端接入的mos管開關(guān)電平信號(hào)為低電平時(shí)，光電耦合器u1關(guān)斷，且所述光電耦合器u1的控制端連接有保護(hù)電阻r3。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種浮地應(yīng)用mos管驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述關(guān)斷加速單元包括二極管d2、電阻r4、三極管q1和三極管q2，所述二極管d2的正極端vd連接穩(wěn)壓?jiǎn)卧妮敵龆耍?fù)極端vg連接mos管的柵極，所述電阻r4的一端連接二極管d2的正極端vd，另一端連接mos管的源極，所述三極管q1的基極連接二極管d2的正極端vd，發(fā)射極連接二極管d2的負(fù)極端vg，集電極連接所述三極管q2的基極，所述三極管q2的集電極連接二極管d2的正極端vd，發(fā)射極連接mos管的源極。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種浮地應(yīng)用mos管驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述三極管q1采用pnp三極管，所述三極管q2采用npn三極管。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種浮地應(yīng)用mos管驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述二極管d2的負(fù)極端vg與mos管的柵極之間連接有電阻r2。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種浮地應(yīng)用mos管驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述穩(wěn)壓?jiǎn)卧娮鑢1和二極管d3，所述電阻r1的一端連接開關(guān)控制單元，另一端連接二極管d2的正極端vd，所述二極管d3與電阻r4并聯(lián)，且二極管d3的負(fù)極連接二極管d2的正極端vd。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種浮地應(yīng)用mos管驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述電阻r1與開關(guān)控制單元之間連接有二極管d1，且二極管d1的正極連接開關(guān)控制單元，負(fù)極連接電阻r1。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)屬于電子電路技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種浮地應(yīng)用MOS管驅(qū)動(dòng)電路，包括開關(guān)控制單元、穩(wěn)壓?jiǎn)卧完P(guān)斷加速單元，開關(guān)控制單元分別連接外部電源和穩(wěn)壓?jiǎn)卧糜诮尤隡OS管開關(guān)電平信號(hào)，并根據(jù)MOS管開關(guān)電平信號(hào)控制外部電源與穩(wěn)壓?jiǎn)卧g電源傳輸?shù)膶?dǎo)通與關(guān)斷，穩(wěn)壓?jiǎn)卧c關(guān)斷加速單元連接，用于將輸出至關(guān)斷加速單元的電壓鉗位在設(shè)定電壓范圍內(nèi)，關(guān)斷加速單元分別連接MOS管的柵極和源極，用于在開關(guān)控制單元導(dǎo)通時(shí)，將MOS管的柵極電壓變?yōu)楦唠娖剑筂OS管導(dǎo)通，在開關(guān)控制單元關(guān)斷時(shí)，將MOS管的柵極電壓加速拉低，使MOS管關(guān)斷。本技術(shù)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且關(guān)斷時(shí)間快，適用于功率MOS管需要快速關(guān)斷的應(yīng)用場(chǎng)景，同時(shí)，可以有效降低電路成本。

技術(shù)研發(fā)人員：劉偉平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：成都極空科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240621
技術(shù)公布日：2025/4/28