本發明涉及半導體光電器件領域，尤其涉及一種用于led芯片的鈍化層及其制備方法、led芯片。

背景技術：

1、led芯片由外延層和芯片層組成，外延層一般包含襯底、n型半導體、量子阱、p型半導體；芯片層從下往上依次為電流阻擋層、透明導電層、電極、鈍化層。其中，鈍化層一般為sio2層，其由pecvd沉積而成，然而，pecvd生長sio2層過程中，會有大量的h進入sio2層，形成si-h鍵，si-h鍵不僅使得鈍化層致密性差，而且由于其不穩定，容易斷裂形成h自由基，進而產生h+，在高溫高濕環境下會腐蝕透明導電層、外延層等，導致led芯片失效。

技術實現思路

1、本發明所要解決的技術問題在于，提供一種用于led芯片的鈍化層的制備方法，其制備得到的鈍化層致密性高，且可有效提升led芯片的可靠性。

2、本發明還要解決的技術問題在于，提供一種用于led芯片的鈍化層，其致密性高，可提升led芯片的可靠性。

3、本發明還要解決的技術問題在于，提供一種led芯片，其可靠性強。

4、為了解決上述技術問題，本發明提供了一種用于led芯片的鈍化層的制備方法，其包括：

5、以第一氣體與sih4為硅源氣體，以n2o為氧源氣體，在pecvd中沉積氧化硅層；

6、采用紫外光照射所述氧化硅層；

7、其中，第一氣體為n2、ar、he中的任意一種或至少兩種的混合氣體。

8、作為上述技術方案的改進，所述硅源氣體中，sih4與第一氣體的體積比為1:2.5～1:5；所述硅源氣體與所述氧源氣體的體積比為1:1.5～1:3；

9、所述第一氣體為n2、ar中的任意一種；或所述第一氣體為n2與he的混合氣體；或所述第一氣體為ar與he的混合氣體。

10、作為上述技術方案的改進，所述第一氣體為n2與he的混合氣體，且n2與he的體積比為5:1～8:1；或

11、所述第一氣體為ar與he的混合氣體，且ar與he的體積比為5:1～8:1。

12、作為上述技術方案的改進，所述第一氣體為ar與he的混合氣體，且ar與he的體積比為5.5:1～6.5:1。

13、作為上述技術方案的改進，所述以第一氣體與sih4為硅源氣體，以n2o為氧源氣體，在pecvd中沉積氧化硅層的步驟中，射頻功率為80～100w，腔室壓強為80～120pa，溫度為200～250℃。

14、作為上述技術方案的改進，所述采用紫外光照射所述氧化硅層的步驟中，紫外光照射時長、鈍化層的厚度、紫外光的波長、紫外光的能量密度符合下述關系式：

15、

16、其中，t為紫外光照射時長，其單位為s；h為鈍化層的厚度，其單位為nm；w為紫外光的波長，其單位為nm；j為紫外光的能量密度，其單位為j/cm2。

17、作為上述技術方案的改進，所述紫外光的波長為250～350nm，能量密度為250～800j/cm2。

18、作為上述技術方案的改進，所述采用紫外光照射所述氧化硅層的步驟中，將所述氧化硅層在干燥條件下進行紫外光照射。

19、相應地，本發明還公開了一種用于led芯片的鈍化層，其由上述的用于led芯片的鈍化層的制備方法制備而得。

20、相應地，本發明還公開了一種led芯片，其包括上述的鈍化層。

21、實施本發明，具有如下有益效果：

22、本發明一實施例中的用于led芯片的鈍化層的制備方法中，先采用特定的反應氣體在pecvd中沉積氧化硅層，然后采用紫外光照射該氧化硅層，使得其內部的si-h鍵斷裂釋放，進而提升了鈍化層的致密性，提升了基于該鈍化層的led芯片的可靠性。

技術特征：

1.一種用于led芯片的鈍化層的制備方法，其特征在于，包括：

2.如權利要求1所述的用于led芯片的鈍化層的制備方法，其特征在于，所述硅源氣體中，sih4與第一氣體的體積比為1:2.5～1:5；所述硅源氣體與所述氧源氣體的體積比為1:1.5～1:3；

3.如權利要求1所述的用于led芯片的鈍化層的制備方法，其特征在于，所述第一氣體為n2與he的混合氣體，且n2與he的體積比為5:1～8:1；或

4.如權利要求1所述的用于led芯片的鈍化層的制備方法，其特征在于，所述第一氣體為ar與he的混合氣體，且ar與he的體積比為5.5:1～6.5:1。

5.如權利要求1～4任一項所述的用于led芯片的鈍化層的制備方法，其特征在于，所述以第一氣體與sih4為硅源氣體，以n2o為氧源氣體，在pecvd中沉積氧化硅層的步驟中，射頻功率為80～100w，腔室壓強為80～120pa，溫度為200～250℃。

6.如權利要求1所述的用于led芯片的鈍化層的制備方法，其特征在于，所述采用紫外光照射所述氧化硅層的步驟中，紫外光照射時長、鈍化層的厚度、紫外光的波長、紫外光的能量密度符合下述關系式：

7.如權利要求6所述的用于led芯片的鈍化層的制備方法，其特征在于，所述紫外光的波長為250～350nm，能量密度為250～800j/cm2。

8.如權利要求1所述的用于led芯片的鈍化層的制備方法，其特征在于，所述采用紫外光照射所述氧化硅層的步驟中，將所述氧化硅層在干燥條件下進行紫外光照射。

9.一種用于led芯片的鈍化層，其特征在于，由如權利要求1～8任一項所述的用于led芯片的鈍化層的制備方法制備而得。

10.一種led芯片，其特征在于，包括如權利要求9所述的鈍化層。

技術總結
本發明涉及半導體光電器件領域，具體公開了一種用于LED芯片的鈍化層及其制備方法、LED芯片。其中，用于LED芯片的鈍化層的制備方法包括：以第一氣體與SiH<subgt;4</subgt;為硅源氣體，以N<subgt;2</subgt;O為氧源氣體，在PECVD中沉積氧化硅層；采用紫外光照射所述氧化硅層；其中，第一氣體為N<subgt;2</subgt;、Ar、He中的任意一種或至少兩種的混合氣體。實施本發明，可提升鈍化層的致密性，進而提升基于其的LED芯片的可靠性。

技術研發人員：張星星,張亞,張雪,胡加輝,金從龍
受保護的技術使用者：江西兆馳半導體有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28