本發明涉及半導體，尤其涉及一種bcd半導體器件的制造方法。

背景技術：

1、bcd是一種單片集成工藝技術，這種技術能夠在同一芯片上制作雙極型晶體管(bipolar?junction?transistor，bjt)，互補型金屬氧化物半導體(cmos)和擴散金屬氧化物半導體(dmos)器件。bcd工藝不僅綜合了雙極型器件高跨導、強負載驅動能力和cmos集成度高、低功耗的優點，而且集成進了開關速度很快的dmos功率器件。由于dmos同時具有高速和大電流能力的特性，耐壓通常也較高，因而用bcd工藝制造的電源管理芯片能工作在高頻、高壓和大電流下，是制造高性能電源芯片的理想工藝。

2、ldmos器件是一種雙擴散結構的功率器件，由于其更容易與cmos工藝兼容而被廣泛采用。在采用bcd工藝就進行制造橫向雙擴散金屬氧化物半導體(ldmos)器件過程中，采用自對準注入溝道工藝能夠有效降低溝道電阻，提高器件可靠性。自對準注入溝道工藝采用先進行柵極多晶硅(poly)刻蝕，再進行p型體區注入(p-body?imp)形成溝道的方式，能夠避免la'/lb'不對稱引起的可靠性問題，如圖1所示。通過p-body?imp注入角度能夠調整溝道長度，有效簡單降低溝道電阻，提升器件性能。

3、但在柵極多晶硅刻蝕后有聚合物顆粒(polymer)殘留問題，影響后續p型體區摻雜形貌，導致器件容易漏電。

技術實現思路

1、本發明的目的在于提供一種bcd半導體器件的制造方法，改善由于點光源照射角度不同導致光阻形貌不對稱的問題，改善p型體區摻雜形貌，保持器件的閾值電壓vt在晶圓不同位置具有較高的一致性，提高器件的可靠性。

2、為達到上述目的，一種bcd半導體器件的制造方法，包括：

3、提供襯底，在所述襯底上沉積柵極多晶硅層；

4、在所述柵極多晶硅層上形成圖案化的光阻以定義p型體區；

5、對所述襯底進行烘烤；

6、對所述柵極多晶硅層進行刻蝕；

7、對所述襯底進行uvc照射；以及，

8、進行離子注入以在所述襯底形成p型體區。

9、可選的，在所述柵極多晶硅層上形成圖案化的光阻包括：對形成的圖案化的光阻進行烘烤進行堅膜處理。

10、可選的，對所述襯底進行烘烤在所述堅膜處理之后進行，對所述襯底進行烘烤的溫度和所述堅膜處理的溫度相同。

11、可選的，所述襯底進行烘烤的溫度大于所述襯底進行uvc照射的溫度。

12、可選的，所述襯底和所述柵極多晶硅層之間還形成有柵氧化層。

13、可選的，對所述柵極多晶硅層進行刻蝕包括：

14、以圖案化的光阻為掩膜對柵極多晶硅層進行主刻蝕，暴露所述柵氧化層；

15、以圖案化的光阻為掩膜對柵極多晶硅層進行輕刻蝕，去除主刻蝕產生的聚合物殘留。

16、可選的，uvc照射后進行離子注入時，光阻形貌關于形成的p型體區對稱。

17、可選的，進行離子注入時，所注入的離子以一定的傾斜角度注入。

18、可選的，所述方法還包括：去除圖案化的光阻。

19、可選的，去除圖案化的光阻后還包括：定義柵極區域，形成多晶硅柵極。

20、可選的，所述方法應用于ldmos的自對準注入溝道工藝。

21、綜上所述，本發明提供的bcd半導體器件的制造方法，在襯底上沉積柵極多晶硅層，在形成定義p型體區的光阻后對其進行烘烤，并將原有的高溫uvc照射換成低溫uvc照射，先高溫烘烤將光阻改變到所需形貌，柵極多晶硅層刻蝕后再低溫uvc照射固化光阻形貌，改善了由于點光源照射角度不同導致光阻形貌不對稱的問題，在p-body離子注入時，光阻形貌對稱，注入離子均勻，進而器件的閾值電壓vt在晶圓不同位置保持較高的一致性，提高了器件的可靠性。

技術特征：

1.一種bcd半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

2.根據權利要求1所述bcd半導體器件的制造方法，其特征在于，

3.根據權利要求2所述bcd半導體器件的制造方法，其特征在于，對所述襯底進行烘烤在所述堅膜處理之后進行，對所述襯底進行烘烤的溫度和所述堅膜處理的溫度相同。

4.根據權利要求3所述bcd半導體器件的制造方法，其特征在于，所述襯底進行烘烤的溫度大于所述襯底進行uvc照射的溫度。

5.根據權利要求1所述bcd半導體器件的制造方法，其特征在于，所述襯底和所述柵極多晶硅層之間還形成有柵氧化層。

6.根據權利要求1所述bcd半導體器件的制造方法，其特征在于，對所述柵極多晶硅層進行刻蝕包括：

7.根據權利要求1所述bcd半導體器件的制造方法，其特征在于，uvc照射后進行離子注入時，光阻形貌關于形成的p型體區對稱。

8.根據權利要求7所述bcd半導體器件的制造方法，其特征在于，進行離子注入時，所注入的離子以一定的傾斜角度注入。

9.根據權利要求1所述bcd半導體器件的制造方法，其特征在于，還包括：去除圖案化的光阻。

10.根據權利要求9所述bcd半導體器件的制造方法，其特征在于，去除圖案化的光阻后還包括：定義柵極區域，形成多晶硅柵極。

11.根據權利要求1所述bcd半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法應用于ldmos的自對準注入溝道工藝。

技術總結
本發明提供一種BCD半導體器件的制造方法，在襯底上沉積柵極多晶硅層，形成圖案化的光阻以定義P型體區，并對襯底進行烘烤以對光阻進行堅膜處理，然后對柵極多晶硅層進行刻蝕和低溫UVC照射，之后進行離子注入以在形成P型體區。本發明在形成定義P型體區的光阻后對其進行烘烤，并將原有的高溫UVC照射換成低溫UVC照射，先高溫烘烤將光阻改變到所需形貌，柵極多晶硅層刻蝕后再低溫UVC照射固化光阻形貌，改善了由于點光源照射角度不同導致光阻形貌不對稱的問題，在P?body離子注入時，光阻形貌對稱，注入離子均勻，進而器件的閾值電壓Vt在晶圓不同位置保持較高的一致性，提高了器件的可靠性。

技術研發人員：崔燕雯,嚴強生,陳宏,陸向宇
受保護的技術使用者：上海華虹宏力半導體制造有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28