本發明屬于輔助wled發光，尤其涉及一種鈣鈦礦青光發光體膜的制備方法及白光發光二極管。

背景技術：

1、鈣鈦礦量子點(qds)因其發射半峰寬窄、色純度高、可見光波段可調等特點可應用于發光二極管(led)。

2、特別是，目前的白光發光二極管(wled)，大多數是通過將藍光ingan?led芯片(440-460nm)與yag熒光粉(發出黃光)結合而產生白光。由于其發射光譜中缺乏紅色波段，這些wled顯色指數偏低(cri<80)和色溫(cct>5000k)偏高。雖然添加紅色熒光粉能提高wled的顯色指數，但其顯色指數很難達到95.15以上，這是因為紅色熒光粉不能完全補償藍綠光之間青色區域(470-520nm)的光缺失，稱為“青色間隙”的現象。此外，目前以led芯片發出的強烈藍光為特征的”藍色超調"現象已被確定為潛在的健康問題。研究表明，過多的藍光照射與一系列不良影響有關，包括眼部損傷加劇、抑郁和心理障礙易感性增加、人體自然晝夜節律中斷、影響睡眠-覺醒周期。

3、因此，需要開發一種青光鈣鈦礦發光體，用于提高wled的顯色指數同時吸收led芯片發出的藍光以減少對人體的傷害，因此有待改進。

技術實現思路

1、本發明的目的在于提供一種鈣鈦礦青光發光體膜的制備方法及白光發光二極管，通過提高wled的顯色指數，同時吸收led芯片發出的藍光以減少對人體的傷害。

2、為實現上述目的，本發明采用的技術方案是：

3、一種白光發光二極管，所述白光發光二極管的出光面上設置有鈣鈦礦青光發光體膜，所述鈣鈦礦青光發光體膜能夠降低所述白光發光二極管的色溫，并且提高所述白光發光二極管的顯色指數；

4、所述鈣鈦礦青光發光體膜吸收所述白光發光二極管所發出的波長小于455nm的藍光，并補償波長范圍為470-520nm的青光缺失；

5、所述青光發光體的化學式為cspb(brcl)3:ba；

6、其中，ba為摻雜的鋇離子。

7、進一步的，所述鈣鈦礦青光發光體膜可提高白光發光二極管在cie?13.3-1995標準中定義的特殊色度指數r6-r10值。

8、進一步的，所述鈣鈦礦青光發光體膜補償波長范圍為470-495nm的青光缺失。

9、進一步的，所述鈣鈦礦青光發光體膜可作為燈罩的一部分或直接作為燈罩使用。

10、在本申請中，鈣鈦礦青光發光體膜的應用形式并不僅限于設置于燈罩表面，還可以直接作為燈罩的原材料，并通過現有技術手段直接制備生產出燈罩。因此，需要明確指出：盡管本申請的鈣鈦礦青光發光體膜具有“膜”這一技術特征，但其形態并不局限于柔軟狀態，也包括硬度較高的形態。

11、進一步的，所述青光發光體還包括有機研磨劑，所述有機研磨劑至少部分附著于cspb(brcl)3:ba的表面。

12、進一步的，所述有機研磨劑包括18烷基膦酸、月桂醇硫酸酯鉀、正辛基磷酸、pima、2-羥基-nn,n-三甲基乙胺-4-甲基中的其中一種。

13、一種鈣鈦礦青光發光體膜的制備方法，包括如下步驟：

14、a1、球磨合成：

15、將csbr、pbcl2、babr2以及有機研磨劑經干法球磨后得到鈣鈦礦發光體，所述鈣鈦礦發光體為cspb(brcl)3:ba鈣鈦礦結構；

16、a2、制備成膜：

17、將步驟a1制備的鈣鈦礦發光體與uv膠混合，并加入乙酸乙酯稀釋膠水，攪拌至充分溶解，得到混合物；將混合物刮涂在燈罩的表面，紫外線燈固化，以在燈罩表面形成鈣鈦礦青光發光體膜。

18、進一步的，所述步驟a1的球磨時間至少為1h，球磨的轉速為50-500r/min。

19、進一步的，所述步驟s2中的鈣鈦礦發光體與uv膠的質量比為1：10。

20、一種鈣鈦礦青光發光體膜的制備方法，包括如下步驟：

21、a1、球磨合成：

22、將csbr、pbcl2、babr2以及有機研磨劑經干法球磨后得到鈣鈦礦發光體，所述鈣鈦礦發光體為cspb(brcl)3:ba鈣鈦礦結構；

23、a2、制備燈罩：

24、將步驟a1制備的鈣鈦礦發光體作為燈罩的原材料，參與燈罩的制備生產。

25、本發明的有益效果主要體現在：

26、(1)本發明鈣鈦礦青光發光體膜，能夠降低白光發光二極管的色溫，并且提高wled的顯色指數，同時吸收led芯片發光的藍光減少對人體的傷害。具體而言：鈣鈦礦青光發光體膜吸收白光發光二極管所發出的波長小于455nm的藍光，并補償波長范圍為470-520nm的青光缺失。

27、(2)在針對cspb(brcl)3:ba鈣鈦礦發光體合成時，由于采用了有機研磨劑，一方面通過摩擦加速固態反應；另一方面，隔離反應制備的量子點，使其不團聚，以更好的控制所合成的量子點發光性能及波長。同時，本發明所提及的制備方法更適宜批量生產。

技術特征：

1.一種白光發光二極管，其特征在于，所述白光發光二極管的出光面上設置有鈣鈦礦青光發光體膜，所述鈣鈦礦青光發光體膜能夠降低所述白光發光二極管的色溫，并且提高所述白光發光二極管的顯色指數；

2.根據權利要求1所述的一種白光發光二極管，其特征在于，所述鈣鈦礦青光發光體膜可提高白光發光二極管在cie?13.3-1995標準中定義的特殊色度指數r6-r10值。

3.根據權利要求1所述的一種白光發光二極管，其特征在于，所述鈣鈦礦青光發光體膜補償波長范圍為470-495nm的青光缺失。

4.根據權利要求1所述的一種白光發光二極管，其特征在于，所述鈣鈦礦青光發光體膜可作為燈罩的一部分或直接作為燈罩使用。

5.根據權利要求1所述的一種白光發光二極管，其特征在于，所述青光發光體還包括有機研磨劑，所述有機研磨劑至少部分附著于cspb(brcl)3:ba的表面。

6.根據權利要求5所述的一種白光發光二極管，其特征在于，所述有機研磨劑包括18烷基膦酸、月桂醇硫酸酯鉀、正辛基磷酸、pima、2-羥基-nn,n-三甲基乙胺-4-甲基中的其中一種。

7.根據權利要求5-6任一所述的一種鈣鈦礦青光發光體膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

8.根據權利要求7所述的一種鈣鈦礦青光發光體膜的制備方法，其特征在于，所述步驟a1的球磨時間至少為1h，球磨的轉速為50-500r/min。

9.根據權利要求7所述的一種鈣鈦礦青光發光體膜的制備方法，其特征在于，所述步驟s2中的鈣鈦礦發光體與uv膠的質量比為1：10。

10.根據權利要求5-6任一所述的一種鈣鈦礦青光發光體膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

技術總結
本發明提供一種鈣鈦礦青光發光體膜的制備方法及白光發光二極管，所述白光發光二極管的出光面上設置有鈣鈦礦青光發光體膜，所述鈣鈦礦青光發光體膜能夠降低所述白光發光二極管的色溫，并且提高所述白光發光二極管的顯色指數；所述鈣鈦礦青光發光體膜吸收所述白光發光二極管所發出的波長小于455nm的藍光，并補償波長范圍為470?520nm的青光缺失；所述青光發光體的化學式為CsPb(BrCl)<subgt;3</subgt;:Ba；其中，Ba為摻雜的鋇離子。本發明的鈣鈦礦青光發光體膜通過提高WLED的顯色指數，同時吸收LED芯片發出的藍光以減少對人體的傷害。

技術研發人員：樊超,楊昊林
受保護的技術使用者：溫州鋅芯鈦晶科技有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28