本申請涉及顯示，尤其涉及一種陣列基板及顯示面板。

背景技術：

1、隨著面板行業的不斷發展，對顯示面板具有窄邊框、高開口率、高亮度、高分辨率等功能提出了越來越高的要求，導致顯示面板的制造也面臨新的挑戰。顯示面板包括多個薄膜晶體管，薄膜晶體管中包括金屬，金屬導致顯示面板的開口率降低。

2、因此，有必要提出一種技術方案以解決薄膜晶體管導致顯示面板的開口率降低的問題。

技術實現思路

1、本申請的目的在于提供一種陣列基板及顯示面板，以保證陣列基板上薄膜晶體管的性能的同時，有利于提高顯示面板的分辨率。

2、為實現上述目的，技術方案如下：

3、一種陣列基板，所述陣列基板包括：

4、凹槽，所述凹槽的縱截面對應的圖形為圓弧形；以及

5、至少一個薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：

6、有源圖案，包括第一連接部、中間部以及第二連接部，所述中間部連接于所述第一連接部和所述第二連接部之間，所述中間部設置于所述凹槽中，且所述中間部的縱截面對應的圖形為圓弧形；

7、柵極，對應所述中間部設置；以及

8、源漏電極，包括源極和漏極，所述源極與所述第一連接部接觸，所述漏極與所述第二連接部接觸。

9、在上述陣列基板中，所述凹槽的縱截面對應的圖形為半圓弧形，所述凹槽的橫截面對應的圖形為矩形。

10、在上述陣列基板中，所述圓弧形對應的半徑為2微米-10微米。

11、在上述陣列基板中，所述陣列基板還包括：

12、基板；以及

13、緩沖層，設置于所述基板上；

14、其中，至少一個所述薄膜晶體管設置于所述緩沖層遠離所述基板的一側，且所述凹槽設置于所述基板和所述緩沖層中的至少一者上。

15、在上述陣列基板中，所述有源圖案設置于所述緩沖層遠離所述基板的一側，所述柵極設置于所述有源圖案遠離所述基板的一側，所述源漏電極設置于所述柵極遠離所述有源圖案的一側，陣列基板還包括：

16、柵極絕緣層，設置于所述有源圖案與所述柵極之間，且覆蓋所述緩沖層和所述有源圖案；以及

17、層間絕緣層，設置于柵極與所述源漏電極之間，且覆蓋所述柵極絕緣層和所述柵極；

18、所述源極通過貫穿所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層的第一接觸孔與第一連接部接觸，所述漏極通過貫穿所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層的第二接觸孔與所述第二連接部接觸。

19、在上述陣列基板中，所述陣列基板還包括：

20、平坦化層，設置于所述源漏電極遠離所述層間絕緣層的一側，且覆蓋所述源漏電極和所述層間絕緣層；

21、第一電極，設置于所述平坦化層遠離所述源漏電極的一側；

22、鈍化層，設置于所述第一電極遠離所述平坦化層的一側；以及

23、第二電極，設置于所述鈍化層遠離所述第一電極的一側；

24、其中，所述第一電極和所述第二電極中的一者與所述漏極電性連接。

25、在上述陣列基板中，所述平坦化層的厚度大于或等于2.5微米且小于或等于5微米。

26、在上述陣列基板中，所述平坦化層、所述層間絕緣層以及所述柵極絕緣層均包括對應所述凹槽的內陷部。

27、在上述陣列基板中，所述中間部沿著所述中間部的圓周方向的尺寸大于所述第一連接部和所述第二連接部在所述第二連接部指向所述第一連接部方向上的尺寸。

28、一種顯示面板，所述顯示面板包括上述陣列基板。

29、有益效果：本申請提供一種陣列基板及顯示面板，通過有源圖案的中間部設置于凹槽中，凹槽的縱截面對應的圖形為圓弧形，中間部的縱截面對應的圖形為圓弧形，以保證有源圖案的中間部的尺寸進而保證薄膜晶體管的性能的同時，有利于減小薄膜晶體管占用的面積，進而提高顯示面板的開口率。而且，凹槽的縱截面對應的圖形為圓弧形，相較于凹槽為其他形狀，能使有源圖案的中間部的尺寸最大的同時減小薄膜晶體管的尺寸。另外，凹槽的縱截面對應的圖形為圓弧形，使得中間部各處所受的應力相同，減小有源圖案的中間部斷裂的風險。此外，相較于平面型的有源層，本申請中間部的投影面積小，有利于減小中間部上單位面積受的光照強度，有利于省略遮光層的設計，從而減小制程數。

技術特征：

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述凹槽的縱截面對應的圖形為半圓弧形，所述凹槽的橫截面對應的圖形為矩形，所述凹槽的縱截面平行于所述有源圖案指向所述基板的方向，所述凹槽的橫截面與所述凹槽的縱截面垂直。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述圓弧曲面對應的半徑為2微米-10微米。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：

5.根據權利要求1至4任一項所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括源極和漏極，所述源極與所述第一連接部接觸，所述漏極與所述第二連接部接觸，所述源極和所述漏極位于所述層間絕緣層背離所述基板的表面上且位于所述第二內陷部之外。

8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述源極通過貫穿所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層的第一接觸孔與第一連接部接觸，所述漏極通過貫穿所述層間絕緣層和所述柵極絕緣層的第二接觸孔與所述第二連接部接觸；其中，所述第一接觸孔和所述第二接觸孔位于所述凹槽和所述第二內陷部之外。

9.根據權利要求1至4任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述第一連接部和所述第二連接部均位于所述凹槽之外。

10.根據權利要求1至4任一項所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

11.根據權利要求10所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

12.根據權利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述平坦化層的厚度大于或等于2.5微米且小于或等于5微米。

13.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述中間部沿著所述中間部的周向的尺寸大于所述第一連接部和所述第二連接部在所述第二連接部指向所述第一連接部方向上的尺寸。

14.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有源圖案的材料包括多晶硅；和/或，

15.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括權利要求1-14任一項所述陣列基板。

技術總結
本申請提供一種陣列基板及顯示面板，陣列基板包括：凹槽，凹槽的縱截面對應的圖形為圓弧形；以及至少一個薄膜晶體管，薄膜晶體管包括：有源圖案，包括第一連接部、中間部以及第二連接部，中間部連接于第一連接部和第二連接部之間，中間部設置于凹槽中，且中間部的縱截面對應的圖形為圓弧形；柵極，對應中間部設置；以及源漏電極，包括源極和漏極，源極與第一連接部接觸，漏極與第二連接部接觸。本申請通過有源圖案的中間部設置于凹槽中，凹槽的縱截面對應的圖形為圓弧形，以保證有源圖案的中間部的尺寸進而保證薄膜晶體管的性能的同時，有利于減小薄膜晶體管占用的面積，進而提高顯示面板的開口率。

技術研發人員：艾飛,宋德偉,羅成志
受保護的技術使用者：武漢華星光電技術有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28