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一種單面板金手指的制造工藝的制作方法

文檔序號:8051689閱讀:851來源:國知局
專利名稱:一種單面板金手指的制造工藝的制作方法
技術領域
本發明涉及一種單面板金手指的制造工藝,尤其涉及一種能夠提高產率和合格率的單面板金手指的制造工藝。
背景技術
目前來說,行業內生產單面板雙面露銅金手指板的工藝流程是下料一鉆孔一貼底層覆蓋膜(覆蓋膜有開口)一層壓一絲印抗蝕刻油(底層覆蓋膜開窗處)一貼干膜、曝光一蝕刻線路一貼頂層覆蓋膜(覆蓋膜有開口)一層壓一化金。單面板雙面露銅金手指板所用銅箔基材一般為薄純銅箔,這樣的生產工藝在產品蝕刻線路退膜后,底層覆蓋膜開窗處手指會變成鏤空手指,在退膜到層壓頂層覆蓋膜的過程中,過水平線設備或手工操作時都容易造成鏤空手指變形、皺折甚至斷裂。這也是目前行業內單面板雙面露銅金手指生產良率低的主要原因。

發明內容
為了解決以上技術問題,本發明提供一種單面板金手指的制造工藝,所述金手指包括設置在上層的頂部覆蓋膜層、中間的純銅箔層、以及,設置在底部的底部覆蓋膜層,所述底部覆蓋膜層上各設置有一開口,所述制造工藝包括以下步驟
貼合步驟于所述覆蓋膜層開口處貼一條比所述開口大的PI膠帶; 層壓步驟將所述金手指和所述PI膠帶一起進行層壓;再將所述層壓后的產品貼上頂層覆蓋膜;再進行層壓;
撕去步驟將所述壓完后的PI膠帶撕去; 處理步驟在所述頂層覆蓋膜層和底層覆蓋膜層的開口處加工。本發明采用以上方法,與現有技術相比,解決了此類產品蝕刻線路退膜后到層壓頂層覆蓋膜的過程中鏤空手指的變形、皺折,能大大提高此類產品的生產良率。優選的,所述PI膠帶的熔點的范圍為270至350°C。本發明進一步采用以上技術特征,其優點在于,PI膠帶可以耐高溫,在生產過程中其抗撕裂,粘著力強,撕去后被遮蔽表面不留殘膠。優選的,層壓步驟中的壓強為500psi,壓層的溫度為160至180°C。本發明進一步采用以上技術特征,其優點在于,采用以上工藝參數,更能使使金手指耐磨,降低金手指表面的劃傷率,增強產品的品質。防止金手指脫落,消除了發生斷裂產
係急 O優選的,述PI膠帶的長度比所述開口的長度長1毫米。 本發明進一步采用以上技術特征,其優點在于,不但充分保證PI膠帶對開口處進行覆蓋,更進一步地將金手指進行壓合,保證了對金手指加工的質量和外觀的合格率,而且還能提高PI膠帶的利用率。 優選的,所述加工的項目選擇采用鍍金和化金中的一種。
本發明進一步采用以上技術特征,其優點在于,采用本發明中的制造方法,所制造的金手指的增加了應用范圍更廣。


圖1是本發明的一種實施例的結構示意圖。圖2是本發明的一種實施例的結構示意圖。圖3是本發明的一種實施例的工作流程圖。
具體實施例方式下面結合附圖,對本發明的較優的實施例作進一步的詳細說明 圖1中1為頂層覆蓋膜層,2為純銅箔層,3為底層覆蓋膜層。圖2中2為純銅箔層,3為底層覆蓋膜層,4為耐高溫PI膠帶。將4貼在3底層覆蓋膜開窗處,隨2 —起層壓,然后就在銅箔上進行貼層壓壓合,壓好后再將4撕掉,然后在頂層覆蓋膜層1和底層覆蓋膜層3的開窗處進行表面處理加工,直至產品成型到包裝出貨。如圖3所示,為本發明中單面板金手指的制造工藝,所述金手指包括設置在上層的頂部覆蓋膜層1、中間的純銅箔層2、以及,設置在底部的底部覆蓋膜層3,所述底部覆蓋膜層3上各設置有一開口,所述制造工藝包括以下步驟
貼合步驟于所述覆蓋膜層開口處貼一條比所述開口的PI膠帶; 層壓步驟將所述金手指和所述PI膠帶一起進行層壓;再將所述層壓后的產品貼上頂層覆蓋膜;再進行層壓;
撕去步驟將所述壓完后的PI膠帶撕去; 處理步驟在所述頂層覆蓋膜層和底層覆蓋膜層的開口處加工。以上內容是結合具體的優選實施方式對本發明所作的進一步詳細說明,不能認定本發明的具體實施只局限于這些說明。對于本發明所屬技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本發明構思的前提下,還可以做出若干簡單推演或替換,都應當視為屬于本發明的保護范圍。
權利要求
1.一種單面板金手指的制造工藝,其特征在于,所述金手指包括設置在上層的頂部覆蓋膜層、中間的純銅箔層、以及,設置在底部的底部覆蓋膜層,所述底部覆蓋膜層上各設置有一開口,所述制造工藝包括以下步驟貼合步驟于所述覆蓋膜層開口處貼一條比所述開口大的PI膠帶;層壓步驟將所述金手指和所述PI膠帶一起進行層壓;再將所述層壓后的產品貼上頂層覆蓋膜;再進行層壓;撕去步驟將所述壓完后的PI膠帶撕去;處理步驟在所述頂層覆蓋膜層和底層覆蓋膜層的開口處加工。
2.如權利要求1所述的單面板金手指的制造工藝,其特征在于,所述PI膠帶的熔點的范圍為270至;350°C。
3.如權利要求1或2所述的單面板金手指的制造工藝,其特征在于,層壓步驟中的壓強為 500psio
4.如權利要求1或2所述的單面板金手指的制造工藝,其特征在于,層壓步驟中壓層的溫度為160至180°C。
5.如權利要求1所述的單面板金手指的制造工藝,其特征在于,所述PI膠帶的長度比所述開口的長度長1毫米。
6.如權利要求1所述的單面板金手指的制造工藝,其特征在于,所述加工的項目選擇采用鍍金和化金中的一種。
全文摘要
本發明提供一種單面板金手指的制造工藝,所述金手指包括設置在上層的頂部覆蓋膜層、中間的純銅箔層、以及,設置在底部的底部覆蓋膜層,所述底部覆蓋膜層上各設置有一開口,所述制造工藝包括以下步驟貼合步驟于所述覆蓋膜層開口處貼一條比所述開口大的PI膠帶;層壓步驟將所述金手指和所述PI膠帶一起進行層壓;再將所述層壓后的產品貼上頂層覆蓋膜;再進行層壓;撕去步驟將所述壓完后的PI膠帶撕去。處理步驟在所述頂層覆蓋膜層和底層覆蓋膜層的開口處加工。本發明的有益效果是解決了此類產品蝕刻線路退膜后到層壓頂層覆蓋膜的過程中鏤空手指的變形、皺折,能大大提高此類產品的生產良率。
文檔編號H05K3/40GK102427680SQ20111036340
公開日2012年4月25日 申請日期2011年11月16日 優先權日2011年11月16日
發明者葉夕楓 申請人:博羅縣精匯電子科技有限公司
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