本發明涉及植物脫毒培養快繁技術領域，具體涉及一種越橘脫毒苗的繁育方法及其脫毒培養基。

背景技術：

在實際生產中，許多無性繁殖的植物會受到病毒的感染，越橘是以母株形成的匍匐根莖繁殖，苗木在生長過程中易感染病毒，病毒對寄生的越桔可造成毀滅性危害，導致大幅度減產，甚至全株死亡，還會導致種性退化、品質變劣。很好地保持品種的優良特性是實際生產和繁育的基本要求，因此，尋求一種既能保持品種優良特性又能擺脫病毒感染的處理方法對越桔生產是至關重要的。

脫毒是多種植物汰除病毒的方法，目前，通過組織培養實現商業化的脫毒試管苗，在果樹蔬菜，花卉領域已十分普遍，經脫毒處理的作物產量顯著增加，植物組織培養脫毒技術的不斷改進和提高以適應大規模的生產已勢在必行。但是由于不同植物對同種感染病毒的敏感度和抵抗力也不同，同時不同病毒對感染的寄主植物具有選擇性，加之愈傷組織經過多次繼代常發生一些變異，導致不同寄主植物和不同病毒之間脫毒方法和脫毒效果不盡相同。盡管馬鈴薯、甘薯、大蒜、香蕉、柑橘、蘋果、葡萄、百合、草莓、矮牽牛、康乃馨、月季、菊花、牡丹、花葉芋、山茶、甘蔗、草莓等經組織培養的脫毒方法已在中國廣泛應用，但是越橘脫毒尚未見報道。

技術實現要素：

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種用于越橘脫毒繁育的脫毒培養基和越橘脫毒繁育的方法，使所述方法對TomRSV番茄環斑病毒具有較高的脫毒效率同時經脫毒處理的越橘具有較高的成活率。

為了實現上述發明目的，本發明提供以下技術方案：

本發明提供了一種用于越橘脫毒繁育的脫毒培養基，以水為溶劑，包括以下含量的組分的改良WPM培養基：0.1～1.0mg/L吲哚丁酸、0.1～0.5mg/L赤霉素、0.1～0.5mg/L 6-芐氨基腺嘌呤、15～25g/L蔗糖和5～7g/L瓊脂，所述脫毒培養基pH為5.2～5.8。

優選的，包括以下含量的組分的改良WPM培養基：0.4～0.6mg/L吲哚丁酸、0.2～0.4mg/L赤霉素、0.2～0.4mg/L 6-芐氨基腺嘌呤、18～23g/L蔗糖和5.5～6.0g/L瓊脂，所述脫毒培養基的pH為5.4～5.6。

本發明還提供一種越橘的脫毒繁育方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)將越橘休眠枝條催芽，芽長至1～3cm時剪下，進行滅菌處理；

2)將所述步驟1)滅菌后的芽切取莖尖0.3～0.8cm接種基礎培養基上，在溫度為25～28℃、光照強度為1800～2200Lx、光照時間為12～16h/d的條件下進行培養；

3)待所述步驟2)的莖尖長到1.5～2.0cm時，在無菌環境下切取0.03～0.05cm的莖尖接種至權利要求1或2所述的脫毒培養基上，在溫度為22～25℃的條件下進行暗培養5～9天，再在溫度為23～26℃、光照強度為1800～2200Lx、光照時間為12～16h/d的條件下進行培養，得到脫毒苗；

4)待所述步驟3)得到的脫毒苗長至1.5～2.0cm，接種到快速增殖培養基上進行快速增殖培養；

5)將所述步驟4)得到的脫毒苗長至2.0～3.0cm進行煉苗生根。

優選的，所述步驟1)中的基礎培養基為含有0.8～1.2mg/L反式玉米素、18～23g/L蔗糖、5.0～6.0g/L瓊脂的改良WPM培養基，所述改良WPM培養基的pH為5.4～5.6；

所述改良的WPM培養基包括以下含量的組分：400mg/L NH₄NO₃、202mg/L KNO₃、198mg/L(NH₄)2SO₄、408mg/L KH₂PO₄、370mg/L MgSO₄.7H₂O，708mg/L Ca(NO₃)₂.4H₂O、6.2mg/L H₃BO₃、22.3mg/L MnSO₄·4H₂O、8.6mg/LZnSO₄·7H₂O、0.25mg/LNa₂MoO₄·2H₂O、0.25mg/L CuSO₄·5H₂O、27.8mg/L FeSO₄·7H₂O、37.3mg/L Na₂-EDTA、100mg/L肌醇、1mg/L鹽酸硫胺素、0.5mg/L煙酸、0.5mg/L鹽酸吡哆醇和2mg/L甘氨酸。

優選的，所述步驟2)中光照強度為2000Lx；所述步驟2)光照時間為14h/d。

優選的，所述步驟3)中暗培養的時間為7d；所述步驟3)中暗培養的溫度為23℃。

優選的，所述步驟4)快速增殖培養基為含有0.5～1.0mg/L吲哚丁酸、0.1～0.3mg/L赤霉素和0.05～0.2mg/L 6-芐氨基腺嘌呤的改良WPM培養基，改良WPM培養基pH為5.4～5.6。

優選的，所述步驟5)煉苗具體為：將增殖培養的脫毒組培瓶苗放到溫室，瓶蓋打開煉苗2～4d。

優選的，所述步驟5)移栽具體是：將所述煉苗得到的脫毒苗用無菌水沖洗；

將所述沖洗后的脫毒苗在濃度為400～600mg/L的IBA中浸泡5～8min；

將所述浸泡后的脫毒苗用消毒的水苔包裹，移栽到育苗盤中誘導生根，誘導生根的條件為控制相對濕度控制為80％～90％，溫度為22～25℃，培養35～50天；

將誘導生根的脫毒苗移栽到培養基質中。

優選的，所述的培養基質為草炭和蛭石按照體積比2～1:1～2形成的混合物。

本發明提供的一種用于越橘脫毒繁育的脫毒培養基，以水為溶劑，包括以下含量的組分的改良WPM培養基：0.1～1.0mg/L吲哚丁酸、0.1～0.5mg/L赤霉素、0.1～0.5mg/L 6-芐氨基腺嘌呤、15～25g/L蔗糖和5～7g/L瓊脂。越橘莖尖組織經所述脫毒培養基培養，脫毒率達到92～100％，成苗率達到86％～95％，與對照組相比，脫毒率提高了84％～100％，成苗率也明顯優于對照組，能夠有效解決TomRSV番茄環斑病毒的脫毒不徹底的問題，并且降低病菌感染子芽的幾率，使得子芽能夠很好的出苗，并且幼苗長勢良好，抗病性增強。

本發明還提供一種越橘的脫毒繁育方法，利用越橘莖尖進行組織培養方法，將不含毒的新芽采用系列培養基上進行培養，達到100％脫毒的效果，同時解決因番茄環斑病毒引起的越橘種質退化問題。適合工廠化育苗，可商品化生產。通過越橘子芽脫毒組培繁殖，加快了繁殖速度了，提高了作物品質，滿足市場需求。

具體實施方式

本發明提供了一種用于越橘脫毒繁育的脫毒培養基，以水為溶劑，包括以下含量的組分的改良WPM培養基：0.1～1.0mg/L吲哚丁酸、0.1～0.5mg/L赤霉素、0.1～0.5mg/L 6-芐氨基腺嘌呤、15～25g/L蔗糖和5～7g/L瓊脂；優選包括以下含量的組分的改良WPM培養基：0.4～0.6mg/L吲哚丁酸、0.2～0.4mg/L赤霉素、0.2～0.4mg/L 6-芐氨基腺嘌呤、18～23g/L蔗糖和5.5～6.0g/L瓊脂；更優選包括以下含量的組分的改良WPM培養基：0.5mg/L吲哚丁酸、0.3mg/L赤霉素、0.3mg/L6-芐氨基腺嘌呤、20g/L蔗糖和5.8g/L瓊脂。

本發明還提供一種越橘的脫毒繁育方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)將越橘休眠枝條催芽，芽長至1～3cm時剪下，進行滅菌處理；

2)將所述步驟1)滅菌后的芽切取莖尖0.3～0.8cm接種基礎培養基上，在溫度為25～28℃、光照強度為1800～2200Lx、光照時間為12～16h/d的條件下進行培養；

3)待所述步驟2)的莖尖長到1.5～2.0cm時，在無菌環境下切取0.03～0.05cm的莖尖接種至脫毒培養基上，在溫度為22～25℃的條件下進行暗培養5～9天，再在溫度為23～26℃、光照強度為1800～2200Lx、光照時間為12～16h/d的條件下進行培養，得到脫毒苗；

4)待所述步驟3)得到的脫毒苗長至1.5～2.0cm，接種到快速增殖培養基上進行快速增殖培養；

5)將所述步驟4)得到的脫毒苗長至將增殖培養的脫毒組培瓶苗放到溫室，瓶蓋打開煉苗2～4d進行煉苗。

本發明將越橘休眠枝條催芽，芽長至1～3cm時剪下，進行滅菌處理。

本發明中，所述催芽的方法優選采用水培催芽。所述水培催芽具體是將休眠枝條在清水中培養直至長出新芽。

本發明中，所述滅菌的方法沒有特殊限制，采用本領域技術人員常用的組培中滅菌的技術方案即可。本發明實施例中，所述的滅菌處理優選為用70％～75％的乙醇溶液洗滌50～70s，用無菌水沖洗1～2次，再用體積濃度0.1％～0.15％的升汞浸泡2～3min，無菌水沖洗5～6次，再用無菌濾紙吸干表面水分。

滅菌處理后，本發明將所述滅菌后的芽切取莖尖0.3～0.8cm接種基礎培養基上，在溫度為25～28℃、光照強度為1800～2200Lx、光照時間為12～16h/d的條件下進行培養；

本發明中，所述莖尖的長度優選為0.5cm。

在本發明中，所述基礎培養基優選為含有0.8～1.2mg/L反式玉米素、18～23g/L蔗糖、5.0～6.0g/L瓊脂的改良WPM培養基；所述改良的WPM培養基優選包括以下含量的組分：400mg/L NH₄NO₃、202mg/L KNO₃、198mg/L(NH₄)2SO₄、408mg/L KH₂PO₄、370mg/L MgSO₄.7H₂O，708mg/L Ca(NO₃)₂.4H₂O、6.2mg/L H₃BO₃、22.3mg/L MnSO₄·4H₂O、8.6mg/L ZnSO₄·7H₂O、0.25mg/LNa₂MoO₄·2H₂O、0.25mg/L CuSO₄·5H₂O、27.8mg/L FeSO₄·7H₂O、37.3mg/LNa₂-EDTA、100mg/L肌醇、1mg/L鹽酸硫胺素、0.5mg/L煙酸、0.5mg/L鹽酸吡哆醇和2mg/L甘氨酸。

得到滅菌后的芽，本發明將所述滅菌后的芽切取莖尖0.3～0.8cm接種基礎培養基上，在溫度為25～28℃、光照強度為1800～2200Lx、光照時間為12～16h/d的條件下進行培養。

本發明中，所述接種的方法沒有任何限制，采用本領域技術人員所熟知的接種技術方案即可。

本發明中，所述光照強度優選為2000Lx；所述光照時間優選為14h/d。

待所述莖尖長到1.5～2.0cm時，本發明將莖尖在無菌環境下切取0.03～0.05cm的莖尖接種至上述技術方案所述的脫毒培養基上，在溫度為22～25℃的條件下進行暗培養5～9天，再在溫度為23～26℃、光照強度為1800～2200Lx、光照時間為12～16h/d的條件下繼續培養，得到脫毒苗。

本發明中，所述莖尖的長度優選為0.04cm。

本發明中，所述暗培養后繼續培養的溫度優選為25℃。

本發明中，所述暗培養后繼續培養的光照強度優選為2000Lx。

本發明中，所述暗培養后繼續培養的光照時間優選為14h/d。

本發明中，所述暗培養的時間優選為7d；所述暗培養的溫度優選為23℃。

待所述脫毒苗長至1.5～2.0cm，本發明將所述脫毒苗接種到快速增殖培養基上進行快速增殖培養。

本發明中，所述快速增殖培養基優選為含有0.5～1.0mg/L吲哚丁酸(IBA)、0.1～0.3mg/L赤霉素(GA3)和0.05～0.2mg/L 6-芐氨基腺嘌呤(6-BA)的改良WPM培養基，所述改良WPM培養基的pH為5.4～5.6；更優選為含有0.8mg/L吲哚丁酸、0.2mg/L赤霉素和0.1mg/L 6-芐氨基腺嘌呤的改良WPM培養基，所述的改良WPM培養基pH為5.5。所述改良的WPM培養基優選與上述方案中改良的WPM培養基相同。

所述脫毒苗長至2.0～3.0cm，本發明將所述脫毒苗進行煉苗。

本發明中，所述煉苗具體為將增殖培養的脫毒組培瓶苗放到溫室，瓶蓋打開煉苗2～4d。

本發明中，所述煉苗后還優選包括移栽。所述移栽的方法優選包括以下步驟：

A、將所述煉苗得到的脫毒苗用無菌水沖洗；

B、將所述沖洗后的脫毒苗在濃度為400～600mg/L的IBA中浸泡5～8min；

C、將所述浸泡后的脫毒苗用消毒的水苔包裹，移栽到育苗缽中誘導生根，誘導生根的條件為控制相對濕度控制為80％～90％，溫度為22～25℃，培養35～50d；

D、將誘導生根的脫毒苗移栽到培養基質中。

煉苗得到脫毒苗后，本發明將所述脫毒苗用無菌水沖洗。在本發明中，所述無菌水的來源沒有特殊限制，采用本領域技術人員所熟知的無菌水即可。

所述沖洗后，本發明優選將所述沖洗后的脫毒苗在400～600mg/L的IBA中浸泡5～8min。在本發明中，所述IBA的濃度優選為450～550mg/L，更優選為500mg/L；所述浸泡的時間優選為6～7min。

得到IBA浸泡的脫毒苗后，本發明將所述浸泡后的脫毒苗用消毒的水苔包裹，移栽到育苗缽中誘導生根，所述誘導生根的條件為：相對濕度為80％～90％，環境溫度為22～25℃，培養35～50天。

本發明中，所述脫毒苗用消毒的水苔包裹優選露出脫毒苗頂部的1/3～1/4。

本發明中，所述營養液為快速增殖培養基。所述的快速增殖培養基與上述進行快速增殖培養過程所用的培養基相同。

本發明中，所述誘導生根的相對濕度優選為85％，所述誘導生根的環境溫度優選為23℃；所述誘導生根的培養時間優選為42d。

得到誘導生根的脫毒苗后，本發明優選將誘導生根的脫毒苗移栽到培養基質中。本發明中，所述移栽的方法沒有特殊限制，采用本領域技術人員所熟知的移栽的技術方案即可。

本發明中，所述的培養基質為草炭和蛭石。所述草炭和蛭石按照體積比2～1:1～2混合。

下面結合實施例對本發明提供的一種越橘脫毒繁育方法及其培養基進行詳細的說明，但是不能把它們理解為對本發明保護范圍的限定。

實施例1

取越橘休眠枝條水培催芽，待休眠芽長至2cm時剪下，在超凈工作臺上進行滅菌處理。用70％乙醇洗滌60S，用無菌水沖洗1次，再用0.1％升汞浸泡3min，無菌水沖洗5次，再用無菌濾紙吸干表面水分。切取莖尖0.3-0.8cm接種至附加反式玉米素0.8mg/L，添加蔗糖18g/L、瓊脂5.0g/L、pH為5.5的改良WPM培養基上進行無菌培養，所述改良的WPM培養基成份及使用用量為：400mg/LNH₄NO₃、202mg/LKNO₃、198mg/L(NH₄)2SO₄、408mg/LKH₂PO₄、370mg/L MgSO₄.7H₂O，708mg/L Ca(NO₃)₂.4H₂O、6.2mg/L H₃BO₃、22.3mg/L MnSO₄·4H₂O、8.6mg/LZnSO₄·7H₂O、0.25mg/LNa₂MoO₄·2H₂O、0.25mg/L CuSO₄·5H₂O、27.8mg/L FeSO₄·7H₂O、37.3mg/L Na₂-EDTA、100mg/L肌醇、1mg/L鹽酸硫胺素、0.5mg/L煙酸、0.5mg/L鹽酸吡哆醇和2mg/L甘氨酸；培養條件為：溫度25℃，光照強度為1800Lx，光照時間為12h/d。當莖尖長到1.5cm時，在體視顯微鏡下切取0.03cm的莖尖接種至附加0.5mg/L吲哚丁酸、0.2mg/L赤霉素和0.1mg/L6-芐氨基腺嘌呤，添加蔗糖20g/L、瓊脂5.6g/L的改良WPM培養基上進行暗培養，暗培養5天，暗培養溫度22℃。暗培養之后，在溫度25℃，光照強度2000Lx，光照時間14h/d下進行脫毒苗培養。在脫毒苗長至1.5cm時，將苗接種到改良的WPM培養基添加反式玉米素0.8mg/L、蔗糖20g/L、瓊脂5.6g/L的培養基上進行脫毒苗快速增殖培養。進行脫毒試管苗的煉苗和移栽；將增殖培養的試管苗煉苗3天后成簇取出，用清水沖洗基部，去除培養基。在濃度為600ppm的IBA中浸泡5min，用消毒的水苔包裹脫毒苗，僅露出1/3頂部即可，栽到96孔的小營養缽誘導生根，用透光的塑料薄膜覆蓋保溫保濕，利用加濕器霧化加濕，相對濕度控制在80％，溫度控制在22℃，42天生根。脫毒苗生根后連同水苔一起移栽到草炭：蛭石(體積比)＝1:2組成的基質中培養。

實施例2

取越橘休眠枝條水培催芽，待休眠芽長至2cm時剪下，在超凈工作臺上進行滅菌處理。用70％乙醇洗滌60S，用無菌水沖洗1次，再用0.1％升汞浸泡3min，無菌水沖洗5次，再用無菌濾紙吸干表面水分。切取莖尖0.8cm接種至附加反式玉米素1.2mg/L，添加蔗糖23g/L、瓊脂6.0g/L，pH為5.4的改良WPM培養基上進行無菌培養，所述改良的WPM培養基成份及使用用量為：400mg/LNH₄NO₃、202mg/LKNO₃、198mg/L(NH₄)2SO₄、408mg/LKH₂PO₄、370mg/L MgSO₄.7H₂O，708mg/L Ca(NO₃)₂.4H₂O、6.2mg/L H₃BO₃、22.3mg/L MnSO₄·4H₂O、8.6mg/LZnSO₄·7H₂O、0.25mg/LNa₂MoO₄·2H₂O、0.25mg/L CuSO₄·5H₂O、27.8mg/LFeSO₄·7H₂O、37.3mg/LNa₂-EDTA、100mg/L肌醇、1mg/L鹽酸硫胺素、0.5mg/L煙酸、0.5mg/L鹽酸吡哆醇和2mg/L甘氨酸；培養條件為：溫度25℃，光照強度為2200Lx，光照時間為16h/d。當莖尖長到2.0cm時，在體視顯微鏡下切取0.05cm的莖尖接種至附加0.5mg/L吲哚丁酸(IBA)、0.2mg/L赤霉素(GA3)和0.1mg/L6-芐氨基腺嘌呤(6-BA)，添加蔗糖20g/L、瓊脂5.6g/L的改良WPM培養基上進行暗培養，暗培養5-9天，暗培養溫度25℃，暗培養時間優選7天，優選溫度23℃。暗培養之后，在溫度25℃，光照強度2000Lx，光照時間14h/d下進行脫毒苗培養。在脫毒苗長至2.0cm時，將苗接種到改良的WPM培養基添加反式玉米素0.8mg/L、蔗糖20g/L、瓊脂5.6g/L的培養基上進行脫毒苗快速增殖培養。進行脫毒試管苗的煉苗和移栽；將增殖培養的試管苗煉苗5天后成簇取出，用清水沖洗基部，去除培養基。在濃度為400ppm的IBA中浸泡8min，用消毒的水苔包裹脫毒苗，僅露出1/4頂部即可，栽到96孔的小營養缽誘導生根，用透光的塑料薄膜覆蓋保溫保濕，利用加濕器霧化加濕，相對濕度控制在90％，溫度控制在25℃，45天生根。脫毒苗生根后連同水苔一起移栽到草炭：蛭石(體積比)＝2:1組成的基質中培養。

實施例3

取越橘休眠枝條水培催芽，待休眠芽長至2cm時剪下，在超凈工作臺上進行滅菌處理。用70％乙醇洗滌60S，用無菌水沖洗1次，再用0.1％升汞浸泡3min，無菌水沖洗5次，再用無菌濾紙吸干表面水分。切取莖尖0.5cm接種至附加反式玉米素1.0mg/L，添加蔗糖20g/L、瓊脂5.6g/L，pH為5.4的改良WPM培養基上進行無菌培養，所述改良的WPM培養基成份及使用用量為：400mg/LNH₄NO₃、202mg/LKNO₃、198mg/L(NH₄)2SO₄、408mg/LKH₂PO₄、370mg/L MgSO₄.7H₂O，708mg/L Ca(NO₃)₂.4H₂O、6.2mg/L H₃BO₃、22.3mg/L MnSO₄·4H₂O、8.6mg/LZnSO₄·7H₂O、0.25mg/LNa₂MoO₄·2H₂O、0.25mg/L CuSO₄·5H₂O、27.8mg/L FeSO₄·7H₂O、37.3mg/L Na₂-EDTA、100mg/L肌醇、1mg/L鹽酸硫胺素、0.5mg/L煙酸、0.5mg/L鹽酸吡哆醇和2mg/L甘氨酸；培養條件為：溫度25℃，光照強度為2000Lx，光照時間14h/d。當莖尖長到1.8cm時，在體視顯微鏡下切取0.04cm的莖尖接種至附加0.5mg/L吲哚丁酸(IBA)、0.2mg/L赤霉素(GA3)和0.1mg/L6-芐氨基腺嘌呤(6-BA)，添加蔗糖20g/L、瓊脂5.6g/L的改良WPM培養基上進行暗培養，暗培養7天，暗培養溫度23℃。暗培養之后，在溫度25℃，光照強度2000Lx，光照時間14h/d下進行脫毒苗培養。在脫毒苗長至1.8cm時，將苗接種到改良的WPM培養基添加反式玉米素0.8mg/L、蔗糖20g/L、瓊脂5.6g/L，pH為5.5的培養基上進行脫毒苗快速增殖培養。進行脫毒試管苗的煉苗和移栽；將增殖培養的試管苗煉苗4天后成簇取出，用清水沖洗基部，去除培養基。在濃度為500ppm的IBA中浸泡6min，用消毒的水苔包裹脫毒苗，僅露出1/3頂部即可，栽到96孔的小營養缽誘導生根，用透光的塑料薄膜覆蓋保溫保濕，利用加濕器霧化加濕，相對濕度控制在85％，溫度控制在24℃，40天生根。脫毒苗生根后連同水苔一起移栽到草炭：蛭石(體積比)＝1:1組成的基質中培養。

對比例

取越橘休眠枝條水培催芽，待休眠芽長至2cm時剪下，在超凈工作臺上進行滅菌處理。用70％乙醇洗滌60S，用無菌水沖洗1次，再用0.1％升汞浸泡3min，無菌水沖洗5次，再用無菌濾紙吸干表面水分。切取莖尖0.5cm接種至附加反式玉米素1.0mg/L，添加蔗糖20g/L、瓊脂5.6g/L的改良WPM培養基上進行無菌培養，所述改良的WPM培養基成份及使用用量為：400mg/L NH₄NO₃、202mg/LKNO₃、198mg/L(NH₄)2SO₄、408mg/LKH₂PO₄、370mg/L MgSO₄.7H₂O，708mg/L Ca(NO₃)₂.4H₂O、6.2mg/L H₃BO₃、22.3mg/L MnSO₄·4H₂O、8.6mg/LZnSO₄·7H₂O、0.25mg/LNa₂MoO₄·2H₂O、0.25mg/L CuSO₄·5H₂O、27.8mg/L FeSO₄·7H₂O、37.3mg/L Na₂-EDTA、100mg/L肌醇、1mg/L鹽酸硫胺素、0.5mg/L煙酸、0.5mg/L鹽酸吡哆醇和2mg/L甘氨酸；培養條件為：溫度25℃，光照強度為2000Lx，光照時間14h/d。當莖尖長到1.8cm時，在體視顯微鏡下切取0.04cm的莖尖接種至普通脫毒培養基上，普通脫毒培養基為添加反式玉米素1.0mg/L，蔗糖20g/L、瓊脂5.6g/L的改良WPM培養基上進行暗培養，暗培養7天，暗培養溫度23℃。暗培養之后，在溫度25℃，光照強度2000Lx，光照時間14h/d下進行脫毒苗培養。在脫毒苗長至1.8cm時，將苗接種到改良的WPM培養基添加反式玉米素0.8mg/L、蔗糖20g/L、瓊脂5.6g/L的培養基上進行脫毒苗快速增殖培養。進行脫毒試管苗的煉苗和移栽；將增殖培養的試管苗煉苗4天后成簇取出，用清水沖洗基部，去除培養基。在濃度為500ppm的IBA中浸泡6min，用消毒的水苔包裹脫毒苗，僅露出1/3頂部即可，栽到96孔的小營養缽誘導生根，用透光的塑料薄膜覆蓋保溫保濕，利用加濕器霧化加濕，相對濕度控制在85％，溫度控制在24℃，45天生根。脫毒苗生根后連同水苔一起移栽到草炭：蛭石(體積比)＝1:1組成的基質中培養。

將實施例1～3和對比例脫毒培養得到的越橘植株苗的生長及結果情況進行定期觀察，并對越橘植株苗的生長狀態、感染TomRSV番茄環斑病毒的情況以及果實產量和質量進行記錄，具體實驗數據見表1。

表1實施例1～3和對比例脫毒培養得到的越橘植株苗的生長及結果情況

由以上實施例可知，本發明提供的一種越橘脫毒繁育方法及其脫毒培養基，培養植株的脫毒率達到92～100％，成苗率達到86％～95％，與對照組相比，脫毒率提高了84％～100％，成苗率也明顯優于對照組，同時脫毒苗發育的植株生長狀態良好，與對照組相比脫毒株苗的產量提高50％，且果實色澤鮮艷，形狀正常，贏得消費者的喜愛。實驗結果表明本發明提供的一種越橘脫毒繁育方法及其脫毒培養基能夠有效解決TomRSV番茄環斑病毒的脫毒不徹底的問題，并且降低病菌感染子芽的幾率，使得子芽能夠很好的出苗，并且幼苗長勢良好，抗病性增強；通過越橘子芽脫毒組培繁殖，加快了繁殖速度，提高了作物品質，滿足市場需求。

以上所述僅是本發明的優選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發明的保護范圍。