本發明涉及山核桃組織培養技術領域，尤其是一種抑制山核桃外植體褐變的方法。
背景技術：
山核桃是一種落葉喬木，屬胡桃科山核桃屬，高達10-20米，胸徑30-60厘米；樹皮平滑，灰白色，光滑。山核桃的果實由于具有極高的營養價值和獨特的口感風味，得到了消費者的認可，逐漸成為一種廣受歡迎的高檔堅果。中國為原產地之一，適生于山麓疏林中或腐殖質豐富的山谷。
山核桃主要采用播種繁殖，其苗期長、質量參差不齊且苗木易退化，嚴重阻礙了生產的發展；山核桃植株受傷后，其體內的ppo性隨著酚類物質含量的增加而提高，在植株受傷處形成褐色壞死層，嚴重阻礙了山核桃嫁接和扦插繁殖的成活率；在山核桃的組織培養研究中，外植體的褐化問題也是阻礙其組織培養的主要因素之一，抑制山核桃外植體的褐變研究不僅對其組織培養，也對其無性繁殖具有重大意義。
技術實現要素：
本發明的目的是提供一種抑制山核桃外植體褐變的方法，本發明解決的技術問題是抑制山核桃組織培養過程中褐變現象。
為了解決上述問題，本發明采用的技術方案是：
這種抑制山核桃外植體褐變的方法包括以下步驟：
a、外植體消毒：選取山核桃莖尖作為外植體，采用負離子光觸媒處理7分鐘～10分鐘，再用濃度為70％的酒精浸泡5分鐘～8分鐘；
b、暗培養：將消毒后的外植體接種于暗培養基上，調節ph值為4～5，控制溫度為23℃～25℃，暗培養10天～15天；所述暗培養基是以1/2ms培養基為基礎培養基，添加50克/升～80克/升活性炭、30克/升～50克/升硫代硫酸鈉和10克/升～18克/升半胱氨酸；
c、光照培養：轉入光照培養基中，設置培養溫度為22℃～27℃，在1300～1800lux的光照強度為下進行培養；所述光照培養基為以2/3ms培養基為基礎培養基，添加10克/升～16克/升赤霉酸。
上述方案中，更具體的技術方案還可以是：酒精消毒后，采用無菌水沖洗2次～5次，每次沖洗時間為2分鐘～10分鐘。
由于采用了上述技術方案，本發明與現有技術相比具有如下有益效果：
1、本發明采用山核桃莖尖作為外植體，消毒后依次經過暗培養和光照培養的方法，一方面，暗培養基以1/2ms培養基為基礎培養基，光照培養基為以2/3ms培養基為基礎培養基，與ms培養基相比，1/2ms培養基和2/3ms培養基中無機鹽離子濃度較低，能夠降低山核桃莖尖褐變機率；另一方面，暗培養基中添加活性炭、硫代硫酸鈉和半胱氨酸，光照培養基中添加赤霉酸，可以較有效控制山核桃褐變，抗褐變率達到83.5％。
2、本發明采用負離子光觸媒處理山核桃莖尖，負離子光觸媒在光的照射下，具有極強的殺菌、防污自潔的功能，且不會損傷外植體，安全環保。
具體實施方式
下面結合實施例對本發明作進一步詳述：
實施例1
本實施例抑制山核桃外植體褐變的方法包括以下步驟：
a、外植體消毒：選取山核桃莖尖作為外植體，將外植體放置于涂有納米二氧化鈦粉體制成的中性涂層的罐體中12min，在罐體內通入質量比為8∶1氮氣和臭氧，進行負離子光觸媒處理7分鐘，再用濃度為70％的酒精浸泡8分鐘，采用無菌水沖洗2次，每次沖洗時間為10分鐘。
b、暗培養：將消毒后的外植體接種于暗培養基上，調節ph值為4～5，控制溫度為23℃～25℃，暗培養15天；所述暗培養基是以1/2ms培養基為基礎培養基，添加50克/升活性炭、50克/升硫代硫酸鈉和14克/升半胱氨酸；
c、光照培養：轉入光照培養基中，設置培養溫度為22℃～27℃，在1800lux的光照強度為下進行培養；所述光照培養基為以2/3ms培養基為基礎培養基，添加10克/升赤霉酸。
本實施例方法山核桃抗褐變率為83.5％。
實施例2
a、外植體消毒：選取山核桃莖尖作為外植體，將外植體放置于涂有納米二氧化鈦粉體制成的中性涂層的罐體中15min，在罐體內通入質量比為9∶1.5氮氣和臭氧，進行負離子光觸媒處理10分鐘，再用濃度為70％的酒精浸泡7分鐘，采用無菌水沖洗3次，每次沖洗時間為2分鐘。
b、暗培養：將消毒后的外植體接種于暗培養基上，調節ph值為4～5，控制溫度為23℃～25℃，暗培養13天；所述暗培養基是以1/2ms培養基為基礎培養基，添加70克/升活性炭、40克/升硫代硫酸鈉和10克/升半胱氨酸；
c、光照培養：轉入光照培養基中，設置培養溫度為22℃～27℃，在1600lux的光照強度為下進行培養；所述光照培養基為以2/3ms培養基為基礎培養基，添加13克/升赤霉酸。
本實施例方法山核桃抗褐變率為83.2％。
實施例3
a、外植體消毒：選取山核桃莖尖作為外植體，將外植體放置于涂有納米二氧化鈦粉體制成的中性涂層的罐體中14min，在罐體內通入質量比為7∶1氮氣和臭氧，進行負離子光觸媒處理9分鐘，再用濃度為70％的酒精浸泡5分鐘，采用無菌水沖洗5次，每次沖洗時間為7分鐘。
b、暗培養：將消毒后的外植體接種于暗培養基上，調節ph值為4～5，控制溫度為23℃～25℃，暗培養10天；所述暗培養基是以1/2ms培養基為基礎培養基，添加80克/升活性炭、30克/升硫代硫酸鈉和18克/升半胱氨酸；
c、光照培養：轉入光照培養基中，設置培養溫度為22℃～27℃，在1300lux的光照強度為下進行培養；所述光照培養基為以2/3ms培養基為基礎培養基，添加16克/升赤霉酸。
本實施例方法山核桃抗褐變率為82.9％。