專利名稱：一種磁控濺射可鋼化雙銀low-e 玻璃及制備該玻璃的方法
一種磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃及制備該玻璃的方法技術領域：
本發明涉及一種磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃，本發明還涉及一種磁控濺射法制備可鋼化雙銀LOW-E玻璃的方法。背景技術：
玻璃是在當代的生產和生活中扮演著重要角色，建筑物的門窗汽車車窗和擋風玻璃等等許多地方都用到玻璃，給生產和生活帶來了很多的方便。但是現有的鍍膜玻璃的鍍膜層與玻璃基材的結合力弱、鍍膜層疏松、不均勻。
發明內容
本發明目的是克服了現有技術的不足，提供一種透過率高，鍍膜層與玻璃基材的結合力強、鍍膜層致密、均勻的磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃，本發明還提供一種磁控濺射法制備可鋼化雙銀LOW-E玻璃的方法。
本發明是通過以下技術方案實現的
一種磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片1，其特征在于在玻璃基片的復合面上由內到外依次相鄰地磁控濺射有十三個膜層，其中第一膜層即最內層為SW2 層21，第二層為TiA層22，第三層為CrNx層23，第四層為ZnO層M，第五層為Ag層25，第六層為NiCrOy層沈，第七層為TW2層27，第八層為SiSn3O4層觀，第九層為ZnO層四，第十層為Ag層210，第i^一層為NiCrOy層211，第十二層為TiO2層212，最外層為Si3N4Oy層 213。
如上所述的磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜層SW2層21 的厚度為23 27nm，第二層TW2層22的厚度為觀 32nm，第三層CrNx層23的厚度為 1. 5 3nm，第四層ZnO層M的厚度為8 12nm，第五層Ag層25的厚度為8 12nm，第六層NiCrOy層沈的厚度為1. 5 3nm，第七層TW2層27的厚度為觀 32nm，第八層SiSn3O4 層觀的厚度為58 62nm，第九層ZnO層四的厚度為8 12nm，第十層Ag層210的厚度為8 12nm，第i^一層NiCrOy層211的厚度為1. 5 3nm，第十二層TiO2層212的厚度為 18 22nm，最外層Si3N4Oy層213的厚度為28 32nm。
一種磁控濺射法制備上述的可鋼化雙銀LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步驟
(1)磁控濺射S^2層，用交流中頻電源、氮氣作反應氣體濺射半導體材料重量比 Si Al (90 98 2 10)；
(2)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
(3)磁控濺射CrNx層，用氮氣做反應氣體，用直流電源濺射；
(4)磁控濺射ZnO層，平滑CrNx層，用中頻交流電源濺射陶瓷Si靶，為Ag層作鋪墊；
(5)磁控濺射Ag層，交流電源濺射；
(6)磁控濺射NiCrOy層，用氮氣做反應氣體，滲少量氧氣，用直流電源濺射；
(7)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
(8)磁控濺射aiSn304層，用中頻交流電流濺射SiSn重量比(Zn Sn = 48 52 48 5 ；
(9)磁控濺射ZnO層，平滑CrNx層，用中頻交流電源濺射陶瓷Si靶，為Ag層作鋪墊；
(10)磁控濺射^Vg層，交流電源濺射；
(11)磁控濺射NiCrOy層，用氮氣做反應氣體，滲少量氧氣，用直流電源濺射；
(12)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
(13)磁控濺射Si3N40y層，氮氣作反應氣體、用交流中頻電源濺射半導體材料重量比 Si Al (90 98 2 10)。
如上所述的方法，其特征在于所述第一膜層SiA層21的厚度為23 27nm，第二層 TiO2層22的厚度為觀 32nm，第三層CrNx層23的厚度為1. 5 3nm，第四層ZnO層M的厚度為8 12nm，第五層Ag層25的厚度為8 12nm，第六層NiCrOy層沈的厚度為1. 5 3nm，第七層TW2層27的厚度為觀 32nm，第八層SiSn3O4層觀的厚度為58 62nm，第八層ZnO層四的厚度為8 12nm，第十層Ag層210的厚度為8 12nm，第—^一層NiCrOy層 211的厚度為1.5 3nm，第十二層TiO2層212的厚度為18 22nm，最外層Si3N4Oy層213 的厚度為觀 32nm。
與現有技術相比，本發明有如下優點
1、本發明采用磁控濺射法將鍍膜層濺射在玻璃基材上，鍍膜層
2、本玻璃利用TiO2膜的高折射率，使鍍膜玻璃顏色呈中性，使之具有較高的可見光透過率，本玻璃透光率T (透過透明或半透明體的光通量與其入射光通量的百分率達 84%，輻射率< 0. 04，并利用TiO2降低銀膜的面電阻，減少銀的消耗。
3、本玻璃鋼化前后透過率偏差小于1. 5%，漂移小，ΔΕ < 1. 0，顏色偏差小，按國標法測耐磨ΔΕ < 2. 0。

圖1是本發明結構示意圖。
具體實施方式
—種磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片1，在玻璃基片的復合面上由內到外依次相鄰地磁控濺射有十三個膜層，其中第一膜層即最內層為SiO2層21，第二層為TW2層22，第三層為CrNx層23，第四層為ZnO層M，第五層為Ag層25，第六層為NiCrOy 層沈，第七層為TW2層27，第八層為SiSn3O4層觀，第九層為ZnO層四，第十層為Ag層210， 第—^一層為NiCrOy層211，第十二層為TiO2層212，最外層為Si3N4Oy層213。
所述第一膜層SW2層21，即二氧化硅層，通過與TiO2結合提高折射率，SiO2的厚度為 23 27nm，nm 是納米，Im = 109nm。
所述第二膜層的TW2層22，即鈦的氧化物——二氧化鈦。采用高折射率η = 2. 5的TW2是為了提高玻璃的透光率，而且玻璃呈中性顏色，使之具有較高的可見光透過率，并利用TiO2降低銀膜的面電阻，減少銀的消耗。TiO2膜表面非常光滑，因而改善了銀膜的導電率。TiO2層厚度為觀 32nm。
第三層CrNx層23，即氮化鉻層，提高耐磨性，CrNx層厚度為1. 5 3nm。CrNx厚度為 1. 5 3nm。
第四層ZnO層24，即氧化鋅層，是減反射的金屬氧化物層，同時進一步提高銀膜的導電率。氧化鋅ZnO可用作助熔劑，降低玻璃的燒結溫度，用作玻璃涂料，讓可見光通過的同時反射紅外線，以達到保溫或隔熱的效果。ZnO層厚度為8 12nm。
所述第五層Ag層25，即金屬銀層，金屬銀層提供了較低的輻射率，起環保節能的作用；Ag層厚度為8 12nm。
第六層，即氧化鎳鉻層，氧化鎳鉻層為了進一步保護銀膜，以避免銀膜在反應濺射過程受到浸蝕，還要在薄的銀膜一側或兩側增加所謂的“阻擋層”，對于鍍層具有非常良好的抗化學和機械性能。NiCrOy層的厚度為1. 5 3nm。
第七層TW2層27，即鈦的氧化物——二氧化鈦。TW2層的厚度為觀 32nm。
第八層SiSn3O4層28，即氧化鋅錫層，ZnSn304的的厚度為58 62nm，
第九層ZnO層29，即氧化鋅層，是減反射的金屬氧化物層，同時進一步提高銀膜的導電率。氧化鋅ZnO可用作助熔劑，降低玻璃的燒結溫度，用作玻璃涂料，讓可見光通過的同時反射紅外線，以達到保溫或隔熱的效果。ZnO層的厚度為8 12nm。
第十層Ag層210，即金屬銀層，金屬銀層提供了較低的輻射率，起環保節能的作用；Ag層的厚度為8 12nm。
第十一層NiCrOy層211，即氧化鎳鉻層，氧化鎳鉻層為了進一步保護銀膜，以避免銀膜在反應濺射過程受到浸蝕，還要在薄的銀膜一側或兩側增加所謂的“阻擋層”，對于鍍層具有非常良好的抗化學和機械性能。NiCrOy層的厚度為1. 5 3nm。
第十二層TW2層212，即鈦的氧化物——二氧化鈦，厚度為18 22nm。
最外層Si3N40y層29，即氮氧化硅層，氮氧化硅提高鋼化時抗高溫氧化性，Si3N4Oy 層厚度為觀 32nm。
一種磁控濺射法制備權上述的可鋼化雙銀LOW-E玻璃的方法，包括如下步驟
(14)磁控濺射SiO2層，用交流中頻電源、氮氣作反應氣體濺射半導體材料 Si Al (90 98 2 10)；
(15)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
(16)磁控濺射CrNx層，用氮氣做反應氣體，用直流電源濺射；
(17)磁控濺射ZnO層，平滑CrNx層，用中頻交流電源濺射陶瓷Si靴，為Ag層作鋪墊；
(18)磁控濺射Ag層，交流電源濺射；
(19)磁控濺射NiCrOy層，用氮氣做反應氣體，滲少量氧氣，用直流電源濺射；
(20)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
磁控濺射aiSn304層，用中頻交流電流濺射SiSn (Zn Sn48 52 48 52)；
(22)磁控濺射ZnO層，平滑CrNx層，用中頻交流電源濺射陶瓷Si靶，為Ag層作鋪墊；
(23)磁控濺射Ag層，交流電源濺射；
(24)磁控濺射NiCrOy層，用氮氣做反應氣體，滲少量氧氣，用直流電源濺射；
(25)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
(26)磁控濺射Si3N40y層，氮氣作反應氣體、用交流中頻電源濺射半導體材料 Si Al (90 98 2 10)。
本發明的優選方案
所述第一膜層SW2層21的厚度為25nm，第二層TW2層22的厚度為30nm，第三層 CrNx層23的厚度為2nm，第四層ZnO層M的厚度為lOnm，第五層Ag層25的厚度為10nm， 第六層NiCrOy層沈的厚度為2nm，第七層TW2層27的厚度為30nm，第八層SiSn3O4層觀的厚度為60nm，第九層ZnO層四的厚度為lOnm，第十層Ag層210的厚度為lOnm，第—^一層 NiCrOy層211的厚度為2nm，第十二層TiO2層212的厚度為20nm，最外層Si3N4Oy層213的厚度為30nm。
步驟(1)和步驟(13)中半導體材料的配比均為Si Al (90 10)，步驟(8)中鋅和錫配比為Zn Sn (50 50)。
Low-E玻璃也叫做低輻射鍍膜玻璃。
本發明采用磁控濺射法將鍍膜層濺射在玻璃基材上，鍍膜層與玻璃基材的結合力強、鍍膜層致密、均勻。本玻璃利用TiO2膜的高折射率，使鍍膜玻璃顏色呈中性，使之具有較高的可見光透過率，并利用TiA降低銀膜的面電阻，減少銀的消耗。本玻璃鋼化前后透過率偏差小于1. 5%，漂移小，ΔΕ < 1. 0，顏色偏差小，按國標法測耐磨ΔΕ < 2. O。
本玻璃利用TiO2膜的高折射率，使鍍膜玻璃顏色呈中性，使之具有較高的可見光透過率，并利用T^2降低銀膜的面電阻，減少銀的消耗。本玻璃透光率τ(透過透明或半透明體的光通量與其入射光通量的百分率)達84% ；本玻璃輻射率< 0. 04，輻射率是某物體的雙位面積輻射的熱量同雙位面積黑體在相同溫度、相同條件下輻射熱量之比。輻射率定義是某物體吸收或反射熱量的能力。玻璃的輻射率越接近于零，其絕熱性能就越好。
權利要求
1.一種磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片(1)，其特征在于在玻璃基片的復合面上由內到外依次相鄰地磁控濺射有十三個膜層，其中第一膜層即最內層為SW2 層(21)，第二層為TiO2層(22)，第三層為CrNx層(23)，第四層為ZnO層(M)，第五層為Ag 層(25)，第六層為NiCrOy層( )，第七層為TiO2層(27)，第八層為SiSn3O4層( )，第九層為ZnO層( )，第十層為Ag層010)，第i^一層為NiCrOy層Oil)，第十二層為TiO2層 (212)，最外層為 Si3N4Oy 層(213)。
2.根據權利要求1所述的磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜層 SiO2層Ql)的厚度為23 27nm，第二層TW2層Q2)的厚度為觀 32nm，第三層CrNx層 (23)的厚度為1.5 3nm，第四層ZnO層Q4)的厚度為8 12nm，第五層Ag層Q5)的厚度為8 12nm，第六層NiCrOy層Q6)的厚度為1. 5 3nm，第七層TW2層、2 )的厚度為 28 32nm，第八層SiSn3O4層Q8)的厚度為58 62nm，第九層ZnO層Q9)的厚度為8 12nm,第十層Ag層QlO)的厚度為8 12nm，第—^一層NiCrOy層Qll)的厚度為1. 5 3nm,第十二層TW2層012)的厚度為18 22nm，最外層Si3N4Oy層Q13)的厚度為洲 32nm。
3.—種磁控濺射法制備權利要求1所述的可鋼化雙銀LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步驟(1)磁控濺射SiO2層，用交流中頻電源、氮氣作反應氣體濺射半導體材料重量比51 Al (90 98 2 10)；(2)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；(3)磁控濺射CrNx層，用氮氣做反應氣體，用直流電源濺射；(4)磁控濺射ZnO層，平滑CrNx層，用中頻交流電源濺射陶瓷Si靶，為Ag層作鋪墊；(5)磁控濺射Ag層，交流電源濺射；(6)磁控濺射MCrOy層，用氮氣做反應氣體，滲少量氧氣，用直流電源濺射；(7)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；(8)磁控濺射aiSn304層，用中頻交流電流濺射SiSn重量比(Zn Sn = 48 52 48 5 ；(9)磁控濺射ZnO層，平滑CrNx層，用中頻交流電源濺射陶瓷Si靶，為Ag層作鋪墊；(10)磁控濺射Ag層，交流電源濺射；(11)磁控濺射MCrOy層，用氮氣做反應氣體，滲少量氧氣，用直流電源濺射；(12)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；(13)磁控濺射Si3N40y層，氮氣作反應氣體、用交流中頻電源濺射半導體材料重量比 Si Al (90 98 2 10)。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于所述第一膜層SiO2層的厚度為23 27nm,第二層TW2層Q2)的厚度為觀 32nm，第三層CrNx層Q3)的厚度為1. 5 3nm，第四層ZnO層04)的厚度為8 12nm，第五層Ag層Q5)的厚度為8 12nm，第六層NiCrOy 層06)的厚度為1. 5 3nm，第七層TW2層、2 )的厚度為觀 32nm，第八層SiSn3O4層 (28)的厚度為58 62nm，第八層ZnO層Q9)的厚度為8 12nm，第十層Ag層QlO)的厚度為8 12nm，第i^一層NiCrOy層Qll)的厚度為1. 5 3nm，第十二層TiO2層Q12)的厚度為18 22nm，最外層Si3N4Oy層Q13)的厚度為沘 32nm。
全文摘要
本發明公開了一種磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片，其特征在于在玻璃基片的復合面上由內到外依次相鄰地磁控濺射有十三個膜層，其中第一膜層即最內層為SiO2層，第二層為TiO2層，第三層為CrNx層，第四層為ZnO層，第五層為Ag層，第六層為NiCrOy層，第七層為TiO2層，第八層為ZnSn3O4層，第九層為ZnO層，第十層為Ag層，第十一層為NiCrOy層，第十二層為TiO2層，最外層為Si3N4Oy層。本發明目的是克服了現有技術的不足，提供一種透過率高，鍍膜層與玻璃基材的結合力強、鍍膜層致密、均勻的磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃，本發明還提供一種磁控濺射法制備可鋼化雙銀LOW-E玻璃的方法。
文檔編號C03C17/36GK102503174SQ201110348500
公開日2012年6月20日 申請日期2011年11月7日 優先權日2011年11月7日
發明者林改 申請人:中山市格蘭特實業有限公司火炬分公司