專利名稱：一種磁控濺射可鋼化單銀low-e 玻璃及制備該玻璃的方法
一種磁控濺射可鋼化單銀LOW-E玻璃及制備該玻璃的方法技術領域：
本發明涉及一種磁控濺射可鋼化單銀LOW-E玻璃，本發明還涉及一種磁控濺射法制備可鋼化單銀LOW-E玻璃的方法。背景技術：
玻璃是在當代的生產和生活中扮演著重要角色，建筑物的門窗汽車車窗和擋風玻璃等等許多地方都用到玻璃，給生產和生活帶來了很多的方便。但是現有的鍍膜玻璃的鍍膜層與玻璃基材的結合力弱、鍍膜層疏松、不均勻。
發明內容
本發明目的是克服了現有技術的不足，提供一種透過率高，鍍膜層與玻璃基材的結合力強、鍍膜層致密、均勻的磁控濺射可鋼化單銀LOW-E玻璃，本發明還提供一種磁控濺射法制備可鋼化單銀LOW-E玻璃的方法。
本發明是通過以下技術方案實現的
一種磁控濺射可鋼化單銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片1，其特征在于在玻璃基片的復合面上由內到外依次相鄰地磁控濺射有九個膜層，其中第一膜層即最內層為Si3N4 層21，第二層為TW2層22，第三層為CrNx層23，第四層為ZnO層M，第五層為Ag層25，第六層為CrNxOy層沈，第七層為SiSn3O4層27，第八層為TW2層觀，最外層為Si3N4Oy層四。
如上所述的磁控濺射可鋼化單銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜層的Si3N4層 21的厚度為13 17nm，第二層TiO2層22的厚度為觀 32nm，第三層CrNx層23的厚度為 1. 5 3nm，第四層ZnO層M的厚度為8 12nm，第五層Ag層25的厚度為8 12nm，第六層CrNxOy層沈的厚度為1. 5 3nm，第七層SiSn3O4層27的厚度為觀 32nm，第八層TW2 層觀的厚度為18 22nm，最外層Si3N4Oy層四的厚度為觀 32nm。
一種磁控濺射法制備上述的可鋼化單銀LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步驟
(1)磁控濺射Si3N4層，用交流中頻電源、氮氣作反應氣體濺射半導體材料SiAl重量比(Si Al = 90 98 2 10)；
(2)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
(3)磁控濺射CrNx層，用氮氣做反應氣體，用直流電源濺射；
(4)磁控濺射ZnO層，平滑CrNx層，用中頻交流電源濺射陶瓷Si靶，為Ag層作鋪墊；
(5)磁控濺射Ag層，交流電源濺射；
(6)磁控濺射CrNxOy層，用氮氣做反應氣體，滲少量氧氣，用直流電源濺射；
(7)磁控濺射aiSn304層，用中頻交流電流濺射SiSn重量比(Zn Sn = 48 52 48 5 ；
(8)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
(9)磁控濺射Si3N40y層，氮氣作反應氣體、用交流中頻電源濺射半導體材料SiAl 重量比(Si Al = 90 98 2 10)。
如上所述的方法，其特征在于所述第一膜層的Si3N4層21的厚度為13 17nm，第二層TW2層22的厚度為觀 32nm，第三層CrNx層23的厚度為1. 5 3nm，第四層ZnO 層M的厚度為8 12nm，第五層Ag層25的厚度為8 12nm，第六層CrNxOy層沈的厚度為1. 5 3nm，第七層SiSn3O4層27的厚度為觀 32nm，第八層TW2層觀的厚度為18 22nm，最外層Si3N4Oy層四的厚度為觀 32nm。
與現有技術相比，本發明有如下優點
1、本發明采用磁控濺射法將鍍膜層濺射在玻璃基材上，鍍膜層與玻璃基材的結合力強、鍍膜層致密、均勻。
2、本玻璃利用TW2膜的高折射率，使鍍膜玻璃顏色呈中性，使之具有較高的可見光透過率，并利用T^2降低銀膜的面電阻，減少銀的消耗。
3、本玻璃鋼化前后透過率偏差小于1.5%，漂移小，ΔΕ < 1.0，顏色偏差小，按國標法測耐磨ΔΕ < 2. 0。

圖1是本發明結構示意圖。
具體實施方式
一種磁控濺射可鋼化單銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片1，在玻璃基片的復合面上由內到外依次相鄰地磁控濺射有九個膜層，其中第一膜層即最內層為Si3N4層21，第二層為 TiO2層22，第三層為CrNx層23，第四層為ZnO層對，第五層為Ag層25，第六層為CrNxOy層沈，第七層為SiSn3O4層27，第八層為TW2層觀，最外層為Si3N4Oy層四。
所述第一膜層的Si3N4層21，即氮化硅層；Si3N4是一種非常堅硬的材料，它確保了整個鍍層具有良好的機械耐久性，設置在最內層作為保護玻璃的最后一道屏障，Si3N4層的厚度為13 17nm, nm是納米，Im = 109nm。
所述第二膜層的TW2層22，即鈦的氧化物——二氧化鈦。采用高折射率η = 2. 5 的TW2是為了提高玻璃的透光率，而且玻璃呈中性顏色，使之具有較高的可見光透過率，并利用TW2降低銀膜的面電阻，減少銀的消耗。TiO2膜表面非常光滑，因而改善了銀膜的導電率。厚度為觀 32nm。
所述第三膜層CrNx層23，即氮化鉻層，提高耐磨性，CrNx層厚度為1. 5 3nm。
所述第四層ZnO層24，即氧化鋅層，是減反射的金屬氧化物層，同時進一步提高銀膜的導電率。氧化鋅ZnO可用作助熔劑，降低玻璃的燒結溫度，用作玻璃涂料，讓可見光通過的同時反射紅外線，以達到保溫或隔熱的效果。ZnO層的厚度為8 12nm。
所述第五層Ag層25，即金屬銀層，金屬銀層提供了較低的輻射率，起環保節能的作用；Ag層的厚度為8 12nm，
所述第六層CrNxOy層沈，即氮氧化鉻層，提高膜層耐磨性、提高透光率、提高鋼化時抗高溫氧化性，CrNxOy的厚度為1. 5 3nm。
所述第七層&iSn304層27，即氧化鋅錫層，ZnSn304的厚度為觀 32nm，
所述第八層Ti02層28，即鈦的氧化物——二氧化鈦，厚度為18 22nm，
最外層Si3N40y層29，即氮氧化硅層，氮氧化硅提高鋼化時抗高溫氧化性，Si3N4Oy 層厚度為觀 32nm。
一種磁控濺射法制備上述的可鋼化單銀LOW-E玻璃的方法，包括如下步驟
(10)磁控濺射Si3N4層，用交流中頻電源、氮氣作反應氣體濺射半導體材料SiAl 重量比(Si Al = 90 98 2 10)；
(11)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
(12)磁控濺射CrNx層，用氮氣做反應氣體，用直流電源濺射；
(13)磁控濺射ZnO層，平滑CrNx層，用中頻交流電源濺射陶瓷Si靶，為Ag層作鋪墊；
(14)磁控濺射Ag層，交流電源濺射；
(15)磁控濺射CrNxOy層，用氮氣做反應氣體，滲少量氧氣，用直流電源濺射；
(16)磁控濺射aiSn304層，用中頻交流電流濺射SiSn (Zn Sn48 52 48 52)；
(17)磁控濺射Ti02，層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶。
(18)磁控濺射Si3N40y層，氮氣作反應氣體、用交流中頻電源濺射半導體材料 Si Al (90 98 2 10)。
本發明的優選方案
所述第一膜層的Si3N4層21的厚度為15nm，第二層1102層22的厚度為30nm，第三層CrNx層23的厚度為2nm，第四層ZnO層M的厚度為lOnm，第五層Ag層25的厚度為 IOnm,第六層CrNxOy層沈的厚度為2nm，第七層SiSn3O4層27的厚度為30nm，第八層TW2 層洲的厚度為20nm，最外層Si3N4Oy層四的厚度為30nm。步驟(1)和步驟(9)中半導體材料的配比均為Si Al (90 10)，步驟(7)中鋅和錫配比為Si Sn (50 50)。
Low-E玻璃也叫做低輻射鍍膜玻璃。
本發明采用磁控濺射法將鍍膜層濺射在玻璃基材上，鍍膜層與玻璃基材的結合力強、鍍膜層致密、均勻。本玻璃利用TiO2膜的高折射率，使鍍膜玻璃顏色呈中性，使之具有較高的可見光透過率，并利用T^2降低銀膜的面電阻，減少銀的消耗。本玻璃鋼化前后透過率偏差小于1. 5%，漂移小，ΔΕ < 1. 0，顏色偏差小，按國標法測耐磨ΔΕ < 2. O。
本玻璃利用TiO2膜的高折射率，使鍍膜玻璃顏色呈中性，使之具有較高的可見光透過率，并利用T^2降低銀膜的面電阻，減少銀的消耗。本玻璃透光率τ(透過透明或半透明體的光通量與其入射光通量的百分率)達84% ；本玻璃輻射率< 0.08，輻射率是某物體的單位面積輻射的熱量同單位面積黑體在相同溫度、相同條件下輻射熱量之比。輻射率定義是某物體吸收或反射熱量的能力。玻璃的輻射率越接近于零，其絕熱性能就越好。
權利要求
1.一種磁控濺射可鋼化單銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片(1)，其特征在于在玻璃基片的復合面上由內到外依次相鄰地磁控濺射有九個膜層，其中第一膜層即最內層為Si3N4 層(21)，第二層為TiO2層(22)，第三層為CrNx層(23)，第四層為ZnO層(M)，第五層為Ag 層05)，第六層為CrNxOy層06)，第七層為SiSn3O4層、2 )，第八層為TW2層Q8)，最外層為 Si3N4Oy 層(29)。
2.根據權利要求1所述的磁控濺射可鋼化單銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜層的Si3N4層(21)的厚度為13 17nm,第二層TiO2層(22)的厚度為28 32nm,第三層CrNx 層03)的厚度為1.5 3nm，第四層ZnO層Q4)的厚度為8 12nm，第五層Ag層Q5)的厚度為8 12nm，第六層CrNxOy層Q6)的厚度為1. 5 3nm，第七層SiSn3O4層、2 )的厚度為觀 32nm，第八層TiO2層Q8)的厚度為18 22nm，最外層Si3N4Oy層Q9)的厚度為 28 3&im。
3.—種磁控濺射法制備權利要求1所述的可鋼化單銀LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步驟(1)磁控濺射Si3N4層，用交流中頻電源、氮氣作反應氣體濺射半導體材料SiAl重量比 (Si Al = 90 98 2 10)；(2)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；(3)磁控濺射CrNx層，用氮氣做反應氣體，用直流電源濺射；(4)磁控濺射ZnO層，平滑CrNx層，用中頻交流電源濺射陶瓷Si靶，為Ag層作鋪墊；(5)磁控濺射Ag層，交流電源濺射；(6)磁控濺射CrNxOy層，用氮氣做反應氣體，滲少量氧氣，用直流電源濺射；(7)磁控濺射aiSn304層，用中頻交流電流濺射SiSn重量比(Zn Sn = 48 52 48 5 ；(8)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；(9)磁控濺射Si3N40y層，氮氣作反應氣體、用交流中頻電源濺射半導體材料SiAl重量比(Si Al = 90 98 2 10)。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于所述第一膜層的Si3N4層的厚度為 13 17nm，第二層TW2層Q2)的厚度為觀 32nm，第三層CrNx層Q3)的厚度為1. 5 3nm，第四層ZnO層Q4)的厚度為8 12nm，第五層Ag層Q5)的厚度為8 12nm，第六層CrNxOy層06)的厚度為1. 5 3nm，第七層SiSn3O4層、2 )的厚度為觀 32nm，第八層 TiO2層08)的厚度為18 22nm，最外層Si3N4Oy層Q9)的厚度為觀 32nm。
全文摘要
本發明公開了一種磁控濺射可鋼化單銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片，其特征在于在玻璃基片的復合面上由內到外依次相鄰地磁控濺射有九個膜層，其中第一膜層即最內層為Si3N4層，第二層為TiO2層，第三層為CrNx層，第四層為ZnO層，第五層為Ag層，第六層為CrNxOy層，第七層為ZnSn3O4層，第八層為TiO2層，最外層為Si3N4Oy層。本發明目的是克服了現有技術的不足，提供一種透過率高，鍍膜層與玻璃基材的結合力強、鍍膜層致密、均勻的磁控濺射可鋼化單銀LOW-E玻璃，本發明還提供一種磁控濺射法制備可鋼化單銀LOW-E玻璃的方法。
文檔編號C03C17/36GK102503175SQ20111034850
公開日2012年6月20日 申請日期2011年11月7日 優先權日2011年11月7日
發明者林改 申請人:中山市格蘭特實業有限公司火炬分公司